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文档简介
1、半导体材料知识 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有 半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料,其电导率在 10 (U-3)10 (U-9)欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、 磁等外界因素的变化十分敏感,在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料 的电导率。正是利用半导体材料的这些性质,才制造出功能多样的半导体器件。 半导体材料是半导体工业的基础,它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。 半导体材料按化学成分和内部结构,大致可分为以下几类。 1元素半导体有 锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50 年代,锗在半导体中占主导地位,但锗半导体 器件的
2、耐高温和抗辐射性能较差,到 60 年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造 的半导体器件,耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作大功率器件。因此,硅 已成为应用最多的一种增导体材料,目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。 2.化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。 它的种类很多, 重要的有砷化傢、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及傢砷硅等。其中砷化傢是 制造微波器件和集成电的重要材料。 碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学 稳定性好,在航天技术领域有着广泛的应用。3无定形半导体材料用作半导体的 玻璃是一种非晶体无定形半导体材料, 分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。 这 类材料具有良好
3、的开关和记忆特性和很强的抗辐射能力,主要用来制造阈值开关、 记忆开关和固体显示器件。4有机增导体材料已知的有机半导体材料有几十种, 包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,目前尚未得到应用。 以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体 上分子排列无序,但是仍具有单晶体的微观结构,因此具有许多特殊的性质。1975 年,英国 W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功,使 非晶硅薄膜的电阻率变化 10 个数量级,促进非晶态半导体器件的开发和应用。 同单晶材料相比,非晶态半导体材料制备工艺简单,对衬底结构无特殊要求,易 于大面积生长,掺杂后电阻率变化
4、大,可以制成多种器件。非晶硅太阳能电池吸 收系数大,转换效率高,面积大,已应用到计算器、电子表等商品中。非晶硅薄 膜场效应管阵列可用作大面积液晶平面显示屏的寻址开关。利用某些硫系非晶态 半导体材料的结构转变来记录和存储光电信息的器件已应用于计算机或控制系 统中。利用非晶态薄膜的电荷存储和光电导特性可制成用于静态图像光电转换的 静电复印机感光体和用于动态图像光电转换的电视摄像管的靶面。 具有半导体性质的非晶态材料。非晶态半导体是半导体的一个重要部分。 50 年代 B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究,当时很少有人注意,直到 1968年 S.R.奥弗申斯基关於用硫系薄膜制作开关器件的专利发表以后,才引起 人们对非晶态半导体的兴趣。1975 年 W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备 的非晶硅中实现了掺杂效应,使控制电导和制造 PN 结成为可能,从而为非晶硅 材料的应用开辟了广阔的前景。在理论方面, P.W.安德森和莫脱,N.F.建立了非
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