MOS管特性分析-文档资料

1、1实验课1 MOS管特性分析本课程作业要求： 1、提交手工计算、绘图(Visio)结果。必须对 结果进行分析。 2、提交仿真sp文件、仿真结果截图。对比1的 结果，观察是否一致，若不一致说明原因。3、提交的实验报告要求是word或pdf文件。2MODEL无说明情况下,实验采用课本32页给出的MODELNMOSLEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS

2、=1.0e-8PMOSLEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-83用到的命令格式.IC V(n)=3V *规定n节点的初始电压为3V。.Tran 10us 5ms UIC *在规定的初始条件下进行瞬态分析。 .DC V(n) 0 3.3V 0.05V *直流分析，对节点n的电位进行扫描，最小为0V 步进0.05V 最大3.3V .Tran

3、 10us 5ms *执行5ms的瞬态分析，计算时间间隔10us，也即每10us给出一个仿真数值。 *整个瞬态曲线由 500个点组成。.DC V(n) 0 3.3V 0.05V sweep V(m) 0 3V 0.5V *直流分析，对节点n的电位进行扫描，最小为0V 步进0.05V 最大3.3V *同时对M点电位扫描，得出7条曲线。 .MODEL NMOS NMOS() *建立model，第一个NMOS为model name ； 第二个NMOS为model 类型 ；()内注明各参数的值 4示例 MOS管IV 特性分析*model NMOS*.MODEL NMOS NMOS (+LEVEL=1

4、VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 +NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1+TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11+MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS=1.0e-8)*model PMOS*.MODEL PMOS PMOS (+LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 +NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2+TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11+MJ=0

5、.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-8)*netlist* M1 DN GN SN BN NMOS W=1u L=0.5u M2 DP GP SP BP PMOS W=1u L=0.5u5示例 MOS管IV 特性分析*source*VDSN DN SN 0VGSN GN SN 0VSN SN 0 0VBN BN 0 0VSDP SP DP 0VSGP SP GP 0VSP SP 0 3.3VBP BP 0 3.3*analysis*.DC VDSN 0 3.3 0.05 sweep VGSN 0 3 0.5.DC VSDP 3.3 0 0.05 sweep VSGP 3 0 0.5*output*.options post acct be i(M1) i(M2) LX7(M1) LX7(M2) *LX7() 求器件跨导.end61、执行示例中的仿真程序，给出仿真结果。并在NMOS的栅源电压为1.2V时，PMOS源栅电压等于1.2V时，分别仿真得出二者漏电流特性曲线。这种情况下，手工计算出对于NMOS，当VDS=1V时漏电流、跨导的值；对于PMOS V