数字电子技术原版视频教程讲义高洁老师dch

1、第八章 半导体存贮器和可编程逻辑器件概述半导体存贮器属大规模集成电路，主要用于存放二进制数据，是计算机系统中必不可少的数字部件。可编程逻辑器件是70年代后期发展起来的大规模集成电路，近年来用途越来越广泛。它是一种可以由用户定义和设置逻辑功能的器件，具有结构灵活、集成度高、处理速度快、可靠性高等优点，在数字系统时具有独到的优点。大型复杂半导体存贮器的容量和分类1. 容量：能够存放的二进制数码的个数，一般用字数×位数表示如： 256 ×4 ， 256=281024×1 ， 1024=2101024×16 ， 1024=2102. 分类：有8条地址线；4条数据

2、线有10条地址线；1条数据线有10条地址线；16条数据线只读存贮器ROM-使用时只读不写，内容固定或半固定按功能-任何时刻对任意单元可读可写,内容不固定双极型-TTL、ECL、I2 L单极型-PMOS、NMOS、CMOS随机存取存贮器RAM按工艺8.2 只读器（ROM）只读器，工作时其的内容固定不变。且只能读出，不能随时写入。工作时，将一个给定的地址码加到ROM的地址输入端，便可在它的输出端得到一个事先存入的确定数据。ROM的分类二极管ROM三极管ROM MOS管ROM按存贮矩阵中器件类型固定ROM- 厂家装入数据，永不改变用户装入，只可装一次，永不改变PROM-按写入方式EPROM-用户装入

3、，紫外线擦除E2PROM-用户装入，电可擦除Flash Memary- 高集成度，大容量，低成本,使用方便一、固定ROM固定ROM主要由地址译码器、输出缓冲器三部分组成。单元矩阵和容量=字线×位线位线数据输出地址译码器地址输入三态缓冲器矩阵字线1、 二极管ROM以4×4为例任何时刻只有一根字线为高电译码与字线单元矩阵00Y01011A1A101Y1A0A01110或10Y2矩阵地址译码器001111Y31100位线输出缓冲器D1D0D2D32、 三极管ROM和NMOS管ROM+VDD00Y0+5VA1A101Y1A0A010Y2地址译码器11Y3END1D0D2D3二、可编

4、程ROM-PROM有一种可编程序的 ROM，在出厂时全部“1”，用户可根据需要将某些单元改写为“0” , 但PROM。是，只能改写一次，称为字线若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然， 一旦烧断后不能再恢 复。位线溶丝若浮栅上带有负电荷，衬底表面可感应正电荷，这使得MOS管的开启电压变高，如果给栅加上同样的电压，MOS管则不能导通。SIMOS管利用浮栅上是否累积有负电荷来二值数据。写入数据前，浮栅不带电荷，要想使其带负电荷，需在漏、栅级上加足够高的电压25V即可。若想擦除，可用紫外线或X射线，距管子2厘米处照射15-20分钟。四、隧道MOS管 -E2PROM与EPROM的区别是：浮栅延长区与漏

5、区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A (埃)的薄绝缘层。可用电擦除信息，以字为，速度高，可重复擦写1万次。器 Flash Memory五、快闪与EPROM的区别是:1.闪速器单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区，而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的；2. 浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。六、 ROM的简单应用（1） 用于固定的数据、表格（2） 码制变换（3） 用户程序的存贮（4）组合逻辑电路例 1用ROM实现十进制译码显示电路。D C BAA3D1A2D2A1D3A0ROMD4D5CSD6OED7aafbgecdbcdefg0000 地址单元的内容对应七段数码 0ABC D1001 地址单内容对应七码 9这些单元不用Am00m1A1m2A2A3ROMm9CS OE1111110D1 D2 D3D4 D5 D6 D7ROMa0110000b1101101c1111001d元的段数0110011e1011011f1011111g111000011111111110011000000000000000000000000000000000000000000D0 = A1 A0 + A1A0 + A1 A0例 2用ROM实现逻辑函：= A1 A0= A1 A0D3 = A1 A0+ A1 A0D1D2m0 m1 m2 m32/4线译码器A1A0D0