SamsungNANDFLASH命名规则

1、三星的 purenandflash（就是不带其他模块只是 nandflash 存储芯片）的命名规则如下:K9XXXXXXXX-XXXXXXXI，上M:二L1:1Fb-L 一一；二.-u，二二一一度 E.5-二1234561891011121314151617181. Memory(K)2. NANDFlash:93. SmallClassification(SLC:SingleLevelCell,MLC:MultiLevelCell,SM:SmartMedia,S/B:SmallBlock)1 :SLC1ChipXDCard2 :SLC2ChipXDCard4 :SLC4ChipXDCardA

2、:SLC+MuxedI/FChipB:MuxedI/FChipD:SLCDualSME:SLCDUAL(S/B)F:SLCNormalG:MLCNormalH:MLCQDPJ:Non-MuxedOneNandK:SLCDieStackL:MLCDDPM:MLCDSPN:SLCDSPQ:4CHIPSMR:SLC4DIESTACK(S/B)S:SLCSingleSMT:SLCSINGLE(S/B)U:2STACKMSPV:4STACKMSPW:SLC4DieStack45.Density(注：实际单位应该是 bit,而不是 Byte)12:512M16:16M28:128M32:32M40:4M5

3、6:256M64:64M80:8M1G:1G2G:2G4G:4G8G:8GAG:16GBG:32GCG:64GDG:128G67.Organization00:NONE08:x816:x168. VccA:1.65V3.6VB:2.7V(2.5V2.9V)C:5.0V(4.5V5.5V)D:2.65V(2.4V2.9V)E:2.3V3.6VR:1.8V(1.65V1.95V)Q:1.8V(1.7V1.95V)T:2.4V-3.0VU:2.7V-3.6VV:3.3V(3.0V-3.6V)W:2.7V-5.5V,3.0V-5.5V0:NONE9. Mode10.:Normal1:DualnCE&a

4、mp;DualR/nB4 :QuadnCE&SingleR/nB5 :QuadnCE&QuadR/nB9 :1stblockOTPA:MaskOption1L:Lowgrade10 .GenerationM:1stGenerationA:2ndGenerationB:3rdGenerationC:4thGenerationD:5thGeneration11 .-1112 .PackageA:COBB:TBGAC:CHIPBIZD:63-TBGAE:TSOP1(Lead-Free,1217)F:WSOP(Lead-Free)G:FBGAH:TBGA(Lead-Free)I:ULG

5、A(Lead-Free)J:FBGA(Lead-Free)K:TSOP1(1217)L:LGAM:TLGAN:TLGA2P:TSOP1(Lead-Free)Q:TSOP2(Lead-Free)R:TSOP2-RS:SMARTMEDIAT:TSOP2U:COB(MMC)V:WSOPW:WAFERY:TSOP113. TempC:CommercialI:IndustrialS:SmartMediaB:SmartMediaBLUE0:NONE(ContainingWafer,CHIP,BIZ,Exceptionhandlingcode)3:WaferLevel314. BadBlockA:Apple

6、BadBlockB:IncludeBadBlockD:DaisychainSampleK:SandiskBinL:15BadBlockN:ini.0blk,add.10blkS:AllGoodBlock0:NONE(ContainingWafer,CHIP,BIZ,Exceptionhandlingcode)15. NAND-Reserved0:Reserved16. PackingType-Commontoallproducts,exceptofMaskROM-DividedintoTAPE&REEL(InMaskROM,dividedintoTRAY,AMMOPackingSepa

7、rately)【举例说明】K9GAG08U0M-PCB0123456789101112131415161718K9GAG08U0M 详细信息如下：1. Memory(K)2. NANDFlash:93. SmallClassification(SLC:SingleLevelCell,MLC:MultiLevelCell,SM:SmartMedia,S/B:SmallBlock)G:MLCNormal45.DensityAG:16G(Note:这里单位是 bit 而不是 byte,因此实际大小是 16Gb=2GB)6. Technology0:Normal(x8)7. Organization0

8、:NONE8:x88. VccU:2.7V3.6V9. Mode0:Normal10. GenerationM:1stGeneration11. -1112. PackageP:TSOP1(Lead-Free)13. TempC:Commercial14. CustomerBadBlockB:IncludeBadBlock15. Pre-ProgramVersion0:None整体描述就是：K9GAG08U0M 是，三星的 MLCNandFlash,工作电压为 2.7V3.6V,x8(即 I/O 是 8 位)，大小是 2GB(16Gb),TSOP1 封装三星内存颗粒编码规则：K4XXXXXXX

9、X-XXXXX主要含义：第 1 位一一芯片功能 K,代表是内存芯片。第 2 位一一芯片类型 4,代表 DRAMo第 3 位一一芯片的更进一步的类型说明，S 代表 SDRAM、H 代表 DDR、G 代表 SGRAM。第 4、5 位一一容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A 代表64Mbit 的容量；28、27、2A 代表 128Mbit 的容量；56、55、57、5A 代表 256Mbit 的容量；51 代表 512Mbit 的容量。第 6、7 位一一数据线引脚个数，08 代表 8 位数据；16 代表 16 位数据；32 代

10、表 32 位数据；64 代表 64 位数据。第 11 位一一连线-“。第 14、15 位芯片的速率，如 60 为 6ns;70 为 7ns;7B 为 7.5ns（CL=3）;7C 为 7.5ns（CL=2）;80 为 8ns;10 为 10ns（66MHz）。知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星 DDR 内存，使用 18 片SAMSUNGK4H280838B-TCB0 颗粒封装。颗粒编号第 4、5 位“28 弋表该颗粒是 128Mbits，第 6、7 位“08 弋表该颗粒是 8 位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是 128Mbits

11、（兆数位）X16 片/8bits=256MB（兆字节）。注：“bi 两数位，“BB 字节byte,”一个字节为 8 位则计算时除以 8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非 ECC 内存，每 8片 8 位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种 ECC 内存，在每 64 位数据之后，还增加了 8 位的 ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有 ECC 功能的 18 片颗粒的内存条实际容量按 16 乘。在购买时也可以据此判定 18 片或者 9 片内存颗粒贴片的内存条是 ECC 内存。/Micron

12、 内存颗粒Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以 MT48LC16M8A2TG-75 这个编号来说明美光内存的编码规则。含义：MTMicron 的厂商名称。48内存的类型。48 代表 SDRAM;46 代表 DDR。LC供电电压。LC 代表 3V;C 代表 5V;V 代表 2.5V。16M8内存颗粒容量为 128Mbits,计算方法是：16M（地址）刈位数据宽度。A2 内存内核版本号。TG 一一封装方式，TG 即 TSOP 封装-75内存工作速率，-75 即 133MHz;-65 即 150MHz实例：一条 MicronDDR 内存条，采用 18 片编号为 MT

13、46V32M4-75 的颗粒制造。该内存支持 ECC 功能。所以每个 Bank 是奇数片内存颗粒。其容量计算为：容量 32MX4bit16 片/8=256MB（兆字节）。/西门子内存颗粒目前国内市场上西门子的子公司 Infineon 生产的内存颗粒只有两种容量：容量为 128Mbits 的颗粒和容量为 256Mbits 的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon 的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由 4 个 Bank 组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。HYB39S128400 即 128MB/4bits,“12 嘛识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数

14、据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即 128MB/8bits;HYB39S128160 即 128MB/16bits;HYB39S256800 即 256MB/8bits。Infineon 内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。- 7.5表示该内存的工作频率是 133MHz;- 8表示该内存的工作频率是 100MHz。例如：1 条 Kingston 的内存条，采用 16 片 Infineon 的 HYB39S128400-7.5 的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）X16 片/8=256MB（兆字节）。1 条 Ramaxel 的

15、内存条，采用 8 片 Infineon 的 HYB39S128800-7.5 的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）X8 片/8=128MB（兆字节） 。/Kingmax 内存颗粒Kingmax 内存都是采用 TinyBGA 封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用 Kingmax 颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax 内存颗粒有两种容量：64Mbits 和 128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。容量备注：KSVA44T4A0A64Mbits,16M 地址空间4 位数据宽度；KSV884T4A

16、0A64Mbits,8M 地址空间 X8 位数据宽度；KSV244T4XXX128Mbits,32M 地址空间 X4 位数据宽度；KSV684T4XXX128Mbits,16M 地址空间 X8 位数据宽度;KSV864T4XXX128Mbits,8M 地址空间 X16 位数据宽度Kingmax 内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：- 7APC133/CL=2;- 7PC133/CL=3;- 8APC100/CL=2;- 8PC100/CL=3。例如一条 Kingmax 内存条，采用 16 片 KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mb

17、its（兆数位）X16 片/8=128MB（兆字节）。内存颗粒编号与内存品牌知识介绍通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量/HY 颗粒编号HYXXXXXXXXXXXXXXXX1234567891011121、HY 代表是现代的产品2、内存芯片类型：（57=SDRAM,5D=DDRSDRAM）;3、工作电压：空白=5V,V=3.3V,U=2,5V4、芯片容量和刷新速率：64:64M4K 刷新；66:64M2K 刷新；28:128M4K 刷新；56:256M8K 刷新；57:256M4K 刷新；12:512M8K 刷新；1G:1G8K 刷新5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、

18、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和 32 位6、BANK 数量：1、2、3 分别代表 2 个、4 个和 8 个 Bank,是 2 的嘉次关系7、I/O 界面：1:SSTL_3、2:SSTL_28、芯片内核版本：可以为空白或 A、B、C、D 等字母，越往后代表内核越新9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ,TC=400milTSOP-U,TD=13mmTSOP-U,TG=16mmTSOP-U11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、LDR200、HDR266B、KDR266A/TOSHIBADDR 内存:TCXXXXXXXXXXXXX1234567891、TC 代表是东芝的产品2、59 代表 SDRAM 代表是 SDRAM3、代表内存种类：S=普通 SDRAM,R=RambusSDRAM,W=DDRSDRAM4、代表容量：64=64Mb,M7=128Mb5、表示数据位宽：04、08、16、32 分别彳表 4 位、8 位、16 位和 32 位6、表示内核的版本：可以为空白或 A、B、C 等字母，越往后代表内核越新7、代表封装：FT 为 TSOII 封装8、代表内存功耗