BTS7960中文资料

1、BTS7960智能功率芯片中文资料TheBTS7960ispartoftheNovalithICfamilycontainingthreeseparatechipsinonepackage:Onep-channelhighsideMOSFETandonen-channellowsideMOSFETtogetherwithadriverIC,formingafullyintegratedhighcurrenthalf-bridge.Allthreechipsaremountedononecommonleadframe,usingthechiponchipandchipbychiptechnolo

2、gy.ThepowerswitchesutilizeverticalMOStechnologiestoensureoptimumonstateresistance.Duetothep-channelhighsideswitchtheneedforachargepumpiseliminatedthusminimizingEMI.InterfacingtoamicrocontrollerismadeeasybytheintegrateddriverICwhichfeatureslogiclevelinputs,diagnosiswithcurrentsense,slewrateadjustment

3、,deadtimegenerationandprotectionagainstovertemperature,overvoltage,undervoltage,overcurrentandshortcircuit.TheBTS7960canbecombinedwithotherBTS7960toformH-bridgeand3-phasedriveconfigurations.BTS796Q1NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分：一是p型通道的高电位场效应晶体管，二是一个n型通道的低电位场效应晶体管，结合一个驱动晶片，形成一个完全整合的高电流半桥。所有三个芯片是安装在一个共同的引线框

4、，利用芯片对芯片和芯片芯片技术。电源开关应用垂直场效应管技术来确保最佳的阻态。由于p型通道的高电位开关，需要一个电荷泵消除电磁干扰。通过驱动集成技术，逻辑电平输入、电流取样诊断、转换速率调整器，失效发生时间、防止欠电压、过电流、短路结构轻易地连接到一个微处理器上。BTS7960可结合其他的BTS7960B成全桥和三相驱动结构。图框如下:INHISOUTGND下图显示使用的数据表IVS'D(HS)dvs-JIN%NJINH口INHMnh/srISRJisBTS7960outd.SRGNDISGND/D(LS)2引脚结构VqutBTS7960PP-TO-220-782.1引脚分配BTS79

5、60bP-TO-263-78BBFVVWWVVMWJ12&45§7上视图是BTS7960BandBTS7960P的引脚结构引脚的定义和功能PinSymbolI/OFunction1GND=Ground2IN1InputDefineswhetherhigh-orlowsideswitchisactivated3INH1InhibitWhensettolowdevicegoesinsleepmode4,8OUToPoweroutputotthebridge5SR1SlewRateTheslewrateofthepowerswitchescanbeadjustedbyconnect

6、ingaresistorbetweenSRandGND6ISoCurrentSenseandDiagnosis7VS-Supply引脚的定义和功能PINSYMBOLI/O功能1GND-接地2INI输入，高电位开关、低电位开关是否开启决定3INHI抑制，当设定为低电平进入睡眠状态4,f3OUTO功率输出5SRI转换速率功率开关的转换速率通过SR和GND连接的电阻调整6ISO电流取样诊断7VS-电源应用事例下图是智能功率芯片BTS796Q应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片MicrocontrolleVoltageRegulatorReversePolarityProtectionpcL-D-ZF

7、-CZHDTLE4278GGNDI/OI/OI/OI/OTTTTHighCurrentH-BridgeFaultcondition:errorflagmodeNormaloperation:currentsensemodeSenseoutputlogicvs0qESD-ZDZEIS.RsoVSkE皿口SenseoutputlogicISMm上图是正常模式和故障模式下电流检测智能功率芯片BTS796W应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET一个N沟道的低边MOSFEV口一个驱动Ic,如图1所示。集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。BTS7960®态电阻典型值为16mQ驱动电流可达43A。智能功率芯片BTS796妙应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET一个N沟道的低边MOSFE下口一个驱动Ic,如图1所示。集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。BTS7960®态电阻典型值为16mQ驱动电流可达43A。BTS7960勺弓唧Is具有电流检测功能，正常模式下，从Is引脚流出的电流与流经高边MOS管的电流