重庆功率器件项目可行性研究报告（范文）

1、泓域咨询/重庆功率器件项目可行性研究报告报告说明采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。根据谨慎财务估算，项目总投资34680.14万元，其中：建设投资28082.78万元，占项目总投

2、资的80.98%；建设期利息380.01万元，占项目总投资的1.10%；流动资金6217.35万元，占项目总投资的17.93%。项目正常运营每年营业收入63600.00万元，综合总成本费用49143.50万元，净利润10585.97万元，财务内部收益率24.25%，财务净现值15027.80万元，全部投资回收期5.24年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目的建设符合国家产业政策；同时项目的技术含量较高，其建设是必要的；该项目市场前景较好；该项目外部配套条件齐备，可以满足生产要求；财务分析表明，该项目具有一定盈利能力。综上，该项目建设条件具备，经济效益较好，

3、其建设是可行的。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 背景、必要性分析8一、 中国半导体行业发展概况8二、 功率器件应用发展机遇8三、 功率MOSFET的行业发展趋势13四、 壮大现代产业体系，着力推动经济体系优化升级15第二章 项目概况19一、 项目名称及建设性质19二、 项目承办单位19三、 项目定位及建设理由20四、 报告编制说明21五、 项目建设选址22六、 项目生产规模22七、 建筑物建设规模23八、 环境影响23九、 项目总投资及资金构成23十、 资金筹措方案24十一、 项目预期经济效益

4、规划目标24十二、 项目建设进度规划24主要经济指标一览表25第三章 市场预测27一、 MOSFET器件概述27二、 功率半导体市场规模与竞争格局31三、 功率半导体行业概述32第四章 选址方案分析34一、 项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 在深度融入新发展格局中展现新作为39四、 深入推动成渝地区双城经济圈建设41五、 项目选址综合评价44第五章 建筑技术方案说明46一、 项目工程设计总体要求46二、 建设方案46三、 建筑工程建设指标49建筑工程投资一览表50第六章 运营模式分析52一、 公司经营宗旨52二、 公司的目标、主要职责52三、 各部门职责及权限53四、 财务会计制度

5、56第七章 法人治理结构60一、 股东权利及义务60二、 董事62三、 高级管理人员66四、 监事69第八章 劳动安全评价72一、 编制依据72二、 防范措施75三、 预期效果评价79第九章 人力资源分析80一、 人力资源配置80劳动定员一览表80二、 员工技能培训80第十章 原辅材料供应、成品管理82一、 项目建设期原辅材料供应情况82二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理82第十一章 项目节能分析84一、 项目节能概述84二、 能源消费种类和数量分析85能耗分析一览表85三、 项目节能措施86四、 节能综合评价87第十二章 工艺技术及设备选型88一、 企业技术研发分析88二、 项目技术工艺

6、分析90三、 质量管理91四、 设备选型方案92主要设备购置一览表93第十三章 项目投资计划95一、 投资估算的依据和说明95二、 建设投资估算96建设投资估算表100三、 建设期利息100建设期利息估算表100固定资产投资估算表102四、 流动资金102流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表105第十四章 项目经济效益评价107一、 基本假设及基础参数选取107二、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表109利润及利润分配表111三、 项目盈利能力分析112项目

7、投资现金流量表113四、 财务生存能力分析115五、 偿债能力分析115借款还本付息计划表116六、 经济评价结论117第十五章 招标、投标118一、 项目招标依据118二、 项目招标范围118三、 招标要求119四、 招标组织方式121五、 招标信息发布123第十六章 项目综合评价124第十七章 附表附录125主要经济指标一览表125建设投资估算表126建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表129总投资及构成一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131营业收入、税金及附加和增值税估算表132综合总成本费用估算表132利润及利润分配表133项目投资现金流量表134借款还

8、本付息计划表136第一章 背景、必要性分析一、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物

9、联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。二、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2

10、020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51

11、.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交

12、流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFacto

13、rCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结

14、MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基

15、站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增

16、加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率

17、半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。三、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性

18、能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材

19、料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化

20、外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。四、 壮大现代产业体系，着力推动经济体系优化升级坚持把发展经济着力点放在实体经济上，一手

21、抓传统产业转型升级，一手抓战略性新兴产业发展壮大，更加注重补短板和锻长板，加快推进产业基础高级化、产业链现代化，提高经济质量效益和核心竞争力。（一）推动制造业高质量发展把制造业高质量发展放到更加突出位置，培育具有国际竞争力的先进制造业集群，巩固壮大实体经济根基。加快壮大战略性新兴产业，支持新一代信息技术、高端装备、新材料、生物医药、新能源汽车及智能网联汽车、节能环保等产业集群集聚发展，构建一批各具特色、优势互补、结构合理的战略性新兴产业增长引擎。推动传统产业高端化、智能化、绿色化，升级发展电子、汽车摩托车、装备制造、消费品、材料等支柱产业，发展服务型制造。提升产业链供应链现代化水平，深入开展质

22、量提升行动，实施产业基础再造工程，分行业做好供应链战略设计和精准施策，形成具有更强创新力、更高附加值、更安全可靠的产业链供应链。（二）做大做强现代服务业推动生产性服务业向专业化和价值链高端延伸，推动各类市场主体参与服务供给，加快发展研发设计、现代物流、现代会展、法律服务等服务业，建设国家检验检测高技术服务业集聚区。推动现代服务业同先进制造业、现代农业深度融合，加快推进服务业数字化。推动生活性服务业向高品质和多样化升级，加快发展健康、养老、育幼、文化、旅游、体育、家政、物业等服务业，加强公益性、基础性服务业供给。加快西部金融中心建设步伐，提升金融机构、市场、产品、创新、开放、生态等金融要素集聚和

23、辐射能级，探索区域性股权市场制度和业务创新，提升金融服务实体经济能力。推进服务业标准化、品牌化建设。（三）提高农业质量效益和竞争力以保障国家粮食安全为底线，健全农业支持保护制度。坚持最严格的耕地保护制度，优化农业生产布局，实施“千年良田”工程，成片规模化推进宜机化改造和高标准农田建设，加强粮食生产功能区、重要农产品生产保护区和特色农产品优势区建设，落实“米袋子”和“菜篮子”负责制，保障重要农产品有效供给。持续深化农业供给侧结构性改革，大力发展现代山地特色高效农业，强化农业科技和装备支撑，推动智慧农业建设，健全社会化服务体系，建设农业现代化示范区。大力拓展农产品市场，推进农业品种、品质、品牌建设

24、，推广巴味渝珍特色品牌。发展县域经济，推动农村一二三产业融合发展，培育发展农业龙头企业，加快发展休闲农业、乡村旅游、农村电商，拓展农民增收空间。（四）统筹推进基础设施建设构建系统完备、高效实用、智能绿色、安全可靠的现代化基础设施体系。加快推进西部国际综合交通枢纽建设，深入开展交通强国建设试点，高标准建设铁路运输干线网络，基本形成“米”字型高铁网，强化长江上游航运中心干支融合、多式联运功能，提升国际航空枢纽功能，完善高速公路网络，加快城市轨道交通规划建设，推动中心城区间畅联畅通，构建主城都市区“1小时通勤圈”，提高“一区两群”内畅外联水平，构建现代化综合交通体系和智能交通体系。强化水利基础设施建

25、设，加强饮用水水源地和备用水源建设，提升水资源优化配置和水旱灾害防御能力。完善能源保障体系，建设智慧能源系统。建设适应经济社会发展的信息网络基础设施，系统布局建设新型基础设施，大力发展5G、工业互联网、物联网、大数据中心等，有序推进数字设施化、设施数字化。（五）推动数字经济和实体经济深度融合推进数字产业化和产业数字化，优化完善“芯屏器核网”全产业链、“云联数算用”全要素群、“住业游乐购”全场景集，高水平打造“智造重镇”、建设“智慧名城”。深入实施智能制造，培育打造一批具有国际先进水平的智能工厂、数字化车间和工业互联网平台。大力发展人工智能、云计算、区块链、数字内容、超算等大数据产业，积极发展软

26、件和信息服务业，加快发展线上业态、线上服务、线上管理，积极培育智能化新产品、新模式、新职业。加强数字社会、数字政府建设，开发培育智能化应用场景，挖掘数据资源的商用、民用、政用价值，拓展智慧政务、智慧交通、智慧医疗、智慧教育、智慧旅游和智慧社区等智能化应用。深化数字领域开放合作。健全数字技术、信息安全等基础制度和标准规范，全面提升数字安全水平，加强个人信息保护。提升全民数字技能。第二章 项目概况一、 项目名称及建设性质（一）项目名称重庆功率器件项目（二）项目建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xx（集团）有限公司（二）项目联系人毛xx（三）项目建设单位概况面对宏观经

27、济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障，坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念，确立了合规管理的战略定位，进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查，加强合规风险防控，确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求，重点领域合规管理不断强化，各部门分工负责、齐抓共管、

28、协同联动的大合规管理格局逐步建立，广大员工合规意识普遍增强，合规文化氛围更加浓厚。公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育

29、产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。三、 项目定位及建设理由公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。今后五年，要以建成高质量发展高品质生活新范例为统领，在全面建成小康社会基础上实现新的更大发展，

30、努力在推进新时代西部大开发中发挥支撑作用，在共建“一带一路”中发挥带动作用，在推进长江经济带绿色发展中发挥示范作用。成渝地区双城经济圈经济实力、发展活力、国际影响力大幅提升，支撑全国高质量发展的作用显著增强。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。（二）报告编制原则按照“保证生产，简化辅助”的原则进行设计，尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下，综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善

31、的现代企业管理制度，采取有效的环境保护措施，使生产中的排放物符合国家排放标准和规定，重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。（二） 报告主要内容按照项目建设公司的发展规划，依据有关规定，就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究，并提出研究结论。五、 项目建设选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约83.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，

32、形成年产xx件功率器件的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积103870.12，其中：生产工程63113.64，仓储工程22746.01，行政办公及生活服务设施9860.25，公共工程8150.22。八、 环境影响本项目生产过程中产生的“三废”和产生的噪声均可得到有效治理和控制，各种污染物排放均满足国家有关环保标准。因此在设计和建设中认真按“三同时”落实、执行，严格遵守国家关于基本建设项目中有关环境保护的法规、法令，投产后，在生产中加强管理，不会给周围生态环境带来显著影响。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务

33、估算，项目总投资34680.14万元，其中：建设投资28082.78万元，占项目总投资的80.98%；建设期利息380.01万元，占项目总投资的1.10%；流动资金6217.35万元，占项目总投资的17.93%。（二）建设投资构成本期项目建设投资28082.78万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用24159.63万元，工程建设其他费用3223.27万元，预备费699.88万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资34680.14万元，其中申请银行长期贷款15510.73万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入

34、（SP）：63600.00万元。2、综合总成本费用（TC）：49143.50万元。3、净利润（NP）：10585.97万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.24年。2、财务内部收益率：24.25%。3、财务净现值：15027.80万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划12个月。十四、项目综合评价本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通运输及水电供应均有充分保证，有优越的建设

35、条件。，企业经济和社会效益较好，能实现技术进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积55333.00约83.00亩1.1总建筑面积103870.121.2基底面积34859.791.3投资强度万元/亩318.792总投资万元34680.142.1建设投资万元28082.782.1.1工程费用万元24159.632.1.2其他费用万元3223.272.1.3预备费万元699.882.2建设期利息万元380.012.3流动资金万元6217.353资金筹措万元34680.143.1自筹资

36、金万元19169.413.2银行贷款万元15510.734营业收入万元63600.00正常运营年份5总成本费用万元49143.50""6利润总额万元14114.63""7净利润万元10585.97""8所得税万元3528.66""9增值税万元2848.90""10税金及附加万元341.87""11纳税总额万元6719.43""12工业增加值万元22244.33""13盈亏平衡点万元22658.61产值14回收期年5.2415内部收益率2

37、4.25%所得税后16财务净现值万元15027.80所得税后第三章 市场预测一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET

38、器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在

39、汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出

40、现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增

41、加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随

42、着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度

43、和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.

44、26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能

45、源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以

46、销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领

47、域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产

48、品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制

49、程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。第四章 选址方案分析一、 项目选址原则节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地；应充分利用天然地形，选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。二、 建设区基本情况重

50、庆位于中国内陆西南部、长江上游地区。面积8.24万平方公里,辖38个区县(26区、8县、4自治县)。常住人口3205.4万人、城镇化率69.46%。人口以汉族为主,少数民族主要有土家族、苗族。重庆是一座独具特色的“山城、江城”,地貌以丘陵、山地为主,其中山地占76%;长江横贯全境,流程691公里,与嘉陵江、乌江等河流交汇。旅游资源丰富,有长江三峡、世界文化遗产大足石刻、世界自然遗产武隆喀斯特和南川金佛山等壮丽景观。重庆是中国著名历史文化名城。有文字记载的历史达3000多年,是巴渝文化的发祥地。因嘉陵江古称“渝水”,故重庆又简称“渝”。重庆是中国中西部地区唯一的直辖市。直辖以来重庆发展取得显著成

51、就。重庆紧紧围绕国家重要中心城市、长江上游地区经济中心、国家重要先进制造业中心、西部金融中心、西部国际综合交通枢纽和国际门户枢纽等国家赋予的定位,充分发挥区位优势、生态优势、产业优势、体制优势,谋划和推动经济社会发展,努力建设国际化、绿色化、智能化、人文化现代城市。经济结构加快转型升级,老工业基地焕发生机活力,形成全球重要电子信息产业集群和国内重要汽车产业集群,战略性新兴产业蓬勃发展,大数据智能化创新驱动深入推进,两江新区、西部(重庆)科学城建设高标准实施,经济高质量发展的引擎动力更加强劲。三峡百万移民搬迁安置任务圆满完成,各项社会事业全面进步,脱贫攻坚目标任务顺利完成,如期全面建成小康社会,

52、人民群众获得感幸福感安全感持续提升。基础设施建设提速推进,高速公路通车里程3400公里,建成“一枢纽十干线”铁路网,“米”字型高铁网加快建设、在建和通车里程1319公里,国际航线达101条。内陆开放高地加快崛起,以长江黄金水道、中欧班列等为支撑的开放通道全面形成,中新第三个政府间合作项目以重庆为中心运营,对接“一带一路”的西部陆海新通道建设上升为国家战略,中国(重庆)自由贸易试验区建设务实推进,内陆国际物流枢纽和口岸高地正在形成。乡村振兴和城市提升统筹推进,“两江四岸”国际山水都市风貌日益彰显。长江上游重要生态屏障加快建设,长江、嘉陵江、乌江干流水质总体为优,空气质量优良天数达333天,全市森

53、林覆盖率达52.5%。当前,重庆政治生态持续向好、干部群众精神面貌持续向上、高质量发展动能持续增强、社会和谐稳定局面持续巩固。2020年,实现地区生产总值2.5万亿元、增长3.9%,人均GDP超过1万美元,规上工业增加值增长5.8%,固定资产投资增长3.9%,社会消费品零售总额增长1.3%,进出口总值增长12.5%,全体居民人均可支配收入增长6.6%。今年上半年,实现地区生产总值12903.4亿元、同比增长12.8%,规上工业增加值同比增长19%,固定资产投资同比增长9.3%,社会消费品零售总额同比增长29.9%,进出口总值同比增长37.6%。我市经济社会发展面临的挑战。“十四五”时期，我市发

54、展环境和条件都有新的深刻复杂变化，面临一系列老难题和新挑战。从国际看，当今世界正经历百年未有之大变局，新冠肺炎疫情影响广泛深远，经济全球化遭遇逆流，世界进入动荡变革期，单边主义、保护主义、霸权主义对世界和平与发展构成威胁，不稳定性不确定性明显增加，我市改革发展将面对更加复杂的国际环境。从国内看，我国已转向高质量发展阶段，同时发展不平衡不充分问题仍然突出。从我市自身看，综合实力和竞争力仍与东部发达地区存在较大差距，基础设施瓶颈依然明显，城镇规模结构不尽合理，产业能级还不够高，科技创新支撑能力偏弱，适应高质量发展要求的体制机制还不健全，城乡区域发展差距仍然较大，生态环境保护任务艰巨，民生保障还存在

55、不少短板，社会治理有待加强，必须高度重视、切实解决。我市经济社会发展面临的机遇。当前和今后一个时期，我国发展仍然处于重要战略机遇期，继续发展具有多方面优势和条件。高度重视重庆发展，给予有力指导和重大支持。构建以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局的重大决策，共建“一带一路”、长江经济带发展、西部大开发等重大战略深入实施，供给侧结构性改革稳步推进，扩大内需战略深入实施，为重庆高质量发展赋予了全新优势、创造了更为有利的条件。成渝地区双城经济圈建设加快推进，使重庆战略地位凸显、战略空间拓展、战略潜能释放，带来诸多政策利好、投资利好、项目利好，极大提振市场预期、社会预期。国家为应对疫情

56、冲击、恢复经济发展出台一系列支持政策，有助于更好地保护和激发各类市场主体活力，巩固经济回升向好势头。新一轮科技革命和产业变革深入发展，有助于推动数字经济和实体经济深度融合，更好地为经济赋能、为生活添彩。新一轮深层次改革和高水平开放纵深推进，有助于我市进一步打造国际合作和竞争新优势。“一区两群”协调发展机制不断健全，有助于各片区发挥优势、彰显特色、协同发展，充分释放全市高质量发展巨大潜能。展望二三五年，将建成实力雄厚、特色鲜明的成渝地区双城经济圈，成为具有国际影响力的活跃增长极和强劲动力源。重庆“三个作用”发挥更加突出，进入现代化国际都市行列，综合经济实力、科技实力大幅提升，经济总量和城乡居民人

57、均收入将再迈上新的大台阶，创新体系更加健全，新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化基本实现，建成现代化经济体系，“智造重镇”“智慧名城”全面建成；基本实现治理体系和治理能力现代化，各方面体制机制更加完善，法治政府、法治社会和平安建设达到更高水平；全面建成内陆开放高地，基础设施互联互通基本实现，融入全球的开放型经济体系基本建成，开放程度和国际化水平在中西部领先；实现社会主义精神文明和物质文明全面协调发展，科技强市、文化强市、教育强市、人才强市、体育强市和健康重庆基本建成，公民素质和社会文明程度达到新高度；实现人与自然和谐共生，长江上游重要生态屏障全面筑牢，山清水秀美丽之地基本建成；人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展，中等收入群体显著扩大，基本公共服务实现均等化，城乡区域发展差距和居民生活水平差距显著缩小，高品质生活充分彰显。到那时，一个经济强、百姓富、生态美、文化兴的现代化重