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文档简介

射極電流擁擠效應1授課老師:鄒文正 老師學生:董冠璋學號:M99L0225Outline 构成缘由 呵斥之影響 改善方法 參考文獻2构成缘由3由於HBT垂直式結構，使基極電流橫向流入射極，基極電流橫向流入射極之過程產生電阻與電位差，使得基-射極接面的電場分布不均，而使電流由射極周圍向中心遞減，因此引起射極電流聚集在邊緣，此現象稱為射極群聚現象(Emitter crowding)。參考文獻 1半導體元件物理與製程技術施敏著 2 VBIC 模型應用於不同尺寸異質接面雙載子電晶體之研讨 徐慧芬4END5

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