半导体物理复习试题及考试模拟题

1、第一篇 半导体中的电子状态习题1-U 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性 说明之。解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量(2EQ被激发到导带成为 导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空 穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更 多的电子被激发到导带中。1-2.试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温 度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变 宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁 带变宽。因

2、此，Ge, Si的禁带宽度具有负温度系数。1-3.试指出空穴的主要特征。解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的 集体运动状态，是准粒子。主要特征如下：A、荷正电：+q；B、空穴浓度表示为p (电子浓度表示为n)；C、Ep=-EnD、m：*=-mn*o1-4.简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。解：(1) Ge、 Si：a) Eg (Si： OK) = 1.21eV； Eg (Ge： OK) = 1. 170eV；b)间接能隙结构c)禁带宽度区随温度增加而减小；(2) GaAs：a) Eg (300K) = 1.428eV, Eg (OK) = 1. 522e

3、V；b)直接能隙结构；c) Eg 负温度系数特性：dE/dT = -3. 95X10 eV/K；1-5某一维晶体的电子能带为Ek = Ejl-O.lcos(攵a)-O.3sin(k.)其中Eo=3eV,晶格常数a=5x 求：(1)能带宽度；(2)能带底和能带顶的有效质量。解：由题意得:竺 = 0.0 k in(Aa) - 3cos(k。) dkdE?=0. hr E()cos(ka) + 3sin(Z:«)Cl KdF令=0,得fg (%)= dk3/. kxa = 18.4349",h"=198.4349"当年。=18.4349", = 0.

4、k/2E0(cosl8.4349 + 3sin 18.4349) = 2.28x10° > 0, dk对应能带极小值；JF2当kw = 198.4349 = 0.la2£；(cosl98.4349+ 3sin 198.4349) = -2.28x10 < 0, d-k对应能带极大值。则能带宽度A£ = EmaxEmin = 1.138V(2)_ -2.28X1O-40_(6.625 xlO-34)22.28x10"= 1.925x10-27()= -1.925x10-27()答：能带宽度约为1. 1384Ev,能带顶部电子的有效质量约为1.9

5、25x10,能 带底部电子的有效质量约为T.925xl0“7kg。第二篇半导体中的杂质和缺陷能级习题2-1.什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电 离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时 向导带提供电子或向价带提供空穴。2-2.什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之， 并用能带图表征出n型半导体。解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提 供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心）的过程 就叫施主电离。施主电离前不带电，电离后带正电。例

6、如，在Si中掺P, P为V族元素, 本征半导体Si为N族元素，P掺入Si中后，P的最外层电子有四个与 Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而P的第五个外层电子将受 到热激发挣脱原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主 电离。n型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带上方EcEfEv2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之， 并用能带图表征出P型半导体。解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时向价带 提供空穴，这种杂质就叫受主。受主电离成为带负电的离子（中心）的 过程就叫受主电离。受主电离前带不带电，电离后带负电。例如，在Si

7、中掺B, B为III族元素，而本征半导体Si为IV族元素，P 掺入B中后，B的最外层三个电子与Si的最外层四个电子配对成为共 价电子，而B倾向于接受一个由价带热激发的电子。这个过程就是受主 电离。P型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带下方EcEfEv2-4.掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电 性能的影响。解：在纯净的半导体中掺入杂质后，可以控制半导体的导电特性。掺杂半导体又 分为n型半导体和p型半导体。例如，在常温情况下，本征Si中的电子浓度和空穴浓度均为1.5义10%川工 当在Si中掺入LOXlOZm-后,半导体中的电子浓度将变为LOXlOZm-,而 空

8、穴浓度将近似为2.25X10,cm 半导体中的多数载流子是电子，而少数载流子 是空穴。2-5.两性杂质和其它杂质有何异同？解：两性杂质是指在半导体中既可作施主又可作受主的杂质。如HI-V族GaAs 中掺IV族Si。如果Si替位川族As,则Si为施主；如果Si替位V族Ga,则Si 为受主。所掺入的杂质具体是起施主还是受主与工艺有关。2-6、深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？解：深能级杂质在半导体中起复合中心或陷阱的作用。浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用。2-7、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电 离，这就是杂质补偿

9、。利用杂质补偿效应，可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造 各种器件。第三篇半导体中载流子的统计分布3-1.对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。 gp >£,.证明：设4In型半导体的电子浓度，立为本征半导体的电子浓度。显然即W本征n得证。3-2、试分别定性定量说明：(1)在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度 越高；(2)对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载流子浓度越高。3-2、解：(1)在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃迁所需的能 量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增

10、加。由公式：也可知道，温度不变而减少本征材料的禁带宽度，上式中的指数项将因此而增加, 从而使得载流子浓度因此而增加。（2）对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，受激发的截流子将因此而/?0 = Nc exp 一和p（）= Nv exp 一增加。由公式 可知，这时两式中的指数项将因此而增加，从而导致载流子浓度增加。3-3、若两块Si样品中的电子浓度分别为2.25X10%m7和6.8X10,6cm'试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置，并判断样品的导电类型。假如 再在其中都掺入浓度为2.25X10%/的受主杂质，这两块样品的导电类型又将 怎样？3-3、解：由"oPo

11、 =得:(1.5x10咛2.25 xlO10= 1.0xl0,o(c/n-3)x 3.3x103(cm-3)_ n,2 _(1,5x IO10)2P°2 一最"6.8 x IO16可见,01 X Poi 一本征半导体02 > P()2 - 型半导体n - N e kJ又因为Pl,则EFl =Ex +k0T-hEf2 = Ey+k/lnPoiN.=Ev +0.026-InP02= Ev+0.026-inJ.OxlO1%(l.lxlO19"U.3xlO3,Er+0.234eV=Et + 0.33 k V假如再在其中都掺入浓度为2.25X10%nf3的受主杂质，那

12、么将出现杂质补 偿，第一种半导体补偿后将变为P型半导体，第二种半导体补偿后将近似为 本征半导体。答：第一种半导体中的空穴的浓度为LlxlOZnf3,费米能级在价带上方0.234eV 处；第一种半导体中的空穴的浓度为3.3x103iA费米能级在价带上方 0. 33leV处。掺入浓度为2.25X10%/的受主杂质后，第一种半导体补偿后将变为P型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。3-4、含受主浓度为8. OX 10%m和施主浓度为7, 25X10%/的Si材料，试求温 度分别为300K和400K时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。3-4,解：由于杂质基本全电离，杂质补偿之后，有效施

13、主浓度nJ = Nd- Na X 7.25 X10晨7-3则300K时,电子浓度空穴浓度费米能级为:%(300K卜 Nd = 7.25 x IO"。/p°(300K)=么=蟆嚅、3.11 x 102M7)“07.25x 10(N EF=Ev+kJn JI Po)= EV+0.026 In"(1.0xl0l9)3.11X1O2=Ev + 0.38966 V在400K时,根据电中性条件和 得到:= Po + NdoPp =。=-No*+/(N。1+4；- 7.25 x 1017 + 7(7-25 x 1017 j2 + 4(1.0 x 10B13795x108(cw-

14、3)'%=/偿累= 7.249x1。"-'')费米能级为:M(300K)xEf = Ev + k? - In=Ev + 0.026 - In400K V 、300K )Pp(l.lxlOI9)xM00V<300；7.25 x IO17+0.081答：300K时此材料的电子浓度和空穴浓度分别为7. 25 xlOncm-3 3. HxlOW3,费米能级在价带上方0. 3896eV处；400 K时此材料的电子浓度和空穴浓度分 别近似为为7.248X10&T和1. 3795x10W费米能级在价带上方0. 08196eV 处。3-5、试分别计算本征Si在7

15、7K、300K和500K下的载流子浓度。3-5.解：假设载流子的有效质量近似不变，则由 N,（T）=M（300K卜300K则 N,.(77K)=N,.(3OOK).3 77K J 300K,=(2.8xlO,y)-77 K300K32 =3.758x10%7n7)M(500K)=M(300K)=6.025 xlOI9(c/3)由 M（T）=M（3OOK）TCOOK33则 M(77K)=M(300K) I2 =(l.lxl019)- 2LL |： = 1.4304xIO18(cm-3'''v ，(300AJ'7 300/C)'33Nr(5OOK)=N(3O

16、OK) =(1.1 x 10,9)-| p = 2.367x 1019(c/r3而EL网-占且a = 4.73x10-4, /7 = 636aT2所以 E#7K)=E，-口 = 121-(4.73xW4)x77277 + 636= 1.2061(V)aT2（300K）=心（。）-寸= L21 (4.73xl()T)x3002300 + 636= A65(eV)W）= *°）-需=°"3"驾察普= 1.1059(V)所以，由产"二有:Ex 1.2061x(1.6O2x O"19)%(77K) = ylNcNve 年=J(3.758x 1

17、0-)x (1.4304x 10弓.“ 2力38“""卜”Li59x 10-2(,(c/n-3)Egl615x(1.6O2xl()f)丹(300K) = "X)而=7(2.8xlO19)x(l.lxlO19) /io-;>3oo w 3.5xio9-3)E&l.1O59x(1.6O2xO-39)q(500K) = JN,N"而=7(6.025x 1019)x(2.367x 1019)- e 2x(L38x|0"l50(, x 1.669x 10,4(c/r3)答：77K下载流子浓度约为1. 159X10 300 K下载流子浓度约为

18、3.5X109cm-3, 500K 下载流子浓度约为 1.669X10llcm'3o 3-6. Si样品中的施主浓度为4.5X10%1n试计算300K时的电子浓度和空穴浓 度各为多少？解：在300K时，因为冲10比，因此杂质全电离n0=ND4.5X10l6cm'3<_（1.5xlO1（>）2°%4,5 xlO16答：300K时样品中的的电子浓度和空穴浓度分别是4.5X10%nT和5.0X10 cm I 3-7.某掺施主杂质的非简并Si样品，试求“=此（：+£。/2时施主的浓度。 解：由于半导体是非简并半导体，所以有电中性条件no=NDfcEd-E

19、fl + 2e 3施主电离很弱时，等式行边分母中的T可以略去,而6=;（金+ 3）则 N。= 2M 答：Nd为二倍Nc。第四篇半导体的导电性习题4-1、对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋 势不同？试加以定性分析。4-1.解：对于重掺杂半导体，在低温时，杂质散射起主体作用，而晶格振动散 射与一般掺杂半导体的相比较，影响并不大，所以这时侯随着温度的升高，重掺 杂半导体的迁移率反而增加；温度继续增加后，晶格振动散射起主导作用，导致 迂移率下降。对一般掺杂半导体，由于杂质浓度较低，电离杂质散射基本可以忽 略，起主要作用的是晶格振动散射，所以温度越高，迁移率越低。4-2、何

20、谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？4-2.解：迁移率是单位电场强度下载流子所获得的漂移速率。影响迁移率的主 要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。4-3.试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。4-3.解：Si的电阻率与温度的变化关系可以分为三个阶段：（1）温度很低时，电阻率随温度升高而降低。因为这时本征激发极弱，可以忽 略；载流子主要来源于杂质电离，随着温度升高，载流子浓度逐步增加， 相应地电离杂质散射也随之增加，从而使得迁移率随温度升高而增大，导 致电阻率随温度升高而降低。（2）温度进一步增加（含室温），电阻率随温度升高而升高。在这一温度围， 杂质已经全部电离，同时本

21、征激发尚不明显，故载流子浓度基本没有变化。 对散射起主要作用的是晶格散射，迁移率随温度升高而降低，导致电阻率 随温度升高而升高。（3） 温度再进一步增加，电阻率随温度升高而降低。这时本征激发越来越多, 虽然迁移率随温度升高而降低，但是本征载流子增加很快，其影响大大超 过了迁移率降低对电阻率的影响，导致电阻率随温度升高而降低。当然， 温度超过器件的最高工作温度时，器件已经不能正常工作了。4-4、证明当且电子浓度”,空穴浓度。时半导体的电导率有最小值，并推导的表达式。 4-4、证明：警=0时b有极值而誓=子，P 。，故b有极小值即警=/4/夕=0 所以 二 "，"”有 b =

22、bmin = 24q得证。4-5、0. 12kg的Si单晶掺有B.OXlO'kg的Sb,设杂质全部电离，试求出此材料 的电导率。（Si单晶的密度为2.33g/cm3, Sb的原子量为121.8） 4-5、解:Si 的体积 V = 51.502(c/n3)2.33(3.0x1 O4 x 1000)x(6.025xlO23)121.822.5562.881xlOl7(c/r3)故材料的电导率为：cr = nWz =(6.579 xl0,7)x(1.602 xl0-19)x520 = 24.04(Q-W,)答：此材料的电导率约为24.04。%小工第五篇非平衡载流子习题5-1、何谓非平衡载流子

23、？非平衡状态与平衡状态的差异何在？5-1、解：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流 子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。通常所指的非平衡载流子 是指非平衡少子。热平衡状态下半导体的载流子浓度是一定的，产生与复合处于动态平衡状态 ,跃迁引起的产生、复合不会产生宏观效应。在非平衡状态下，额外的产生、复 合效应会在宏观现象中体现出来。5-2,漂移运动和扩散运动有什么不同？5-2、解：漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动，而扩散运动是 由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度底的方向的定向运动。前 者的推动力是外电场，后者的推动力则是载流子的分布引

24、起的。5-3、漂移运动与扩散运动之间有什么联系？非简并半导体的迁移率与扩散系数 之间有什么联系？5-3、解：漂移运动与扩散运动之间通过迁移率与扩散系数相联系。而非简并半 导体的迁移率与扩散系数则通过爱因斯坦关系相联系，二者的比值与温度成反比 关系。即n _ q。k"5-4,平均自由程与扩散长度有何不同？平均自由时间与非平衡载流子的寿命又 有何不同？5-4、答：平均自由程是在连续两次散射之间载流子自由运动的平均路程。而扩 散长度则是非平衡载流子深入样品的平均距离。它们的不同之处在于平均自由程 由散射决定，而扩散长度由扩散系数和材料的寿命来决定。平均自由时间是载流子连续两次散射平均所需的

25、自由时间，非平衡载流子的 寿命是指非平衡载流子的平均生存时间。前者与散射有关，散射越弱，平均自由 时间越长；后者由复合几率决定，它与复合几率成反比关系。5-5,证明非平衡载流子的寿命满足如(/)=勿/"并说明式中各项的物理意义。 证明：单位时间内非平衡载流干的减少数=-也回 dt而在单位时间内复合的IE平衡载流子数=包 金如果葩=01时刻撤除光照则在单位时间减少的非平衡载流子数;在单位时间复合的非平衡载流子数，即 心*) _ i) 力 金在小注入条件下，T为常数，解方程(1),得到_ t少(1)= 3(0必 Tp>(2)式中，Ap (0)为t=0时刻的非平衡载流子浓度。此式表达

26、了非平衡载流子随时 间呈指数衰减的规律。得证。5-6、导出非简并载流子满足的爱因斯坦关系。 “5-6.证明：假设这是n型半导体，杂质浓度和建电场分布入图所示 E稳态时，半导体部是电中性的，Jn=0即-半一”,£ =。 dx对于非简并半导体与(x)=Z(O)+(_Er(x)-£f-X)所以 n(x)= Nc e U = n(o)-e M t(3)由G）=噌懵瞥由（g噌*尹图嘤W）啜噜小式=式n _ qa w7这就是非简并半导体满足的爱因斯坦关系。得证。5-7、间接复合效应与陷阱效应有何异同？答：间接复合效应是指非平衡载流子通过位于禁带中特别是位于禁带中央的杂质 或缺陷能级反而

27、逐渐消失的效应，匕的存在可能大大促进载流子的复合；陷阱效 应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级E：中，使在E,上的电子 或空穴的填充情况比热平衡时有较大的变化，从引起AnWAp,这种效应对瞬态 过程的影响很重要。此外，最有效的复合中心在禁带中央，而最有效的陷阱能级 在费米能级附近。一般来说，所有的杂质或缺陷能级都有某种程度的陷阱效应， 而且陷阱效应是否成立还与一定的外界条件有关。5-8、光均匀照射在的n型Si样品上，电子-空穴对的产生率为4X lO'cmV1,样品寿命为8ns。试计算光照前后样品的电导率。解：光照前A)=9 1.167(C7.c 尸)光照后”二Gt二(4X1

28、021) (8X1O6) =3.2X10" cm3则b = % + Ab = 5)= 1.167 +(3.2 x 1016 )(1.6 x 10-19)490 = 3.51(Q-1 - cml)答：光照前后样品的电导率分别为L 167Q-%m和3.51。%/。=J迎5-9、证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为，一”“右。 5-9,证明：对于非简并的非均匀半导体j = 0%+03 =，峋4e+qD”?由于同 0)-"3 卜 EJkJdV dE; d _ _ qd+ dx -n dxkT同时利用非简并半导体的爱因斯坦关系，所以,l 八 dnj = nqpnE + qDn-

29、 dxdV+ dE-dxdEj=禺r得证。5-10.假设Si中空穴浓度是线性分布，在4Hm的浓度差为2X10%!,试计算 空穴的扩散电流密度。解：(1.6xl0",9j 0.055x0.026 x (1.602 x 1 ox) 2 x 1 ()i6 x 1()81.6X10-19) 4xl0-6= -7.15xlO_5（A/w2）答：空穴的扩散电流密度为7. 15义10%小工 5-11、试证明在小信号条件下，本征半导体的非平衡载流子的寿命最长。 证明：在小信号条件下，本征半导体的非平衡载流子的寿命1 1r x -=4% + Po） 2s而o + Po之2瓜向=M所以2叫本征半导体的非

30、平衡载流子的寿命最长。得证。第六篇-半导体表面与MIS结构题解1 .在由n型半导体组成的MIS结构上加电压V.,分析其表面空间电荷层状态随VG变化的情况，并解释其CV曲线。2 .试述影响平带电压L的因素。3 .解释什么是表面积累、表面耗尽和表面反型？7-1,解:金属朋电极半导体绝缘层而.dQm _1_1一" JV7"/V + JV - dVs dVo -11十十 dQm Co Cs又因为 =匕+匕所以 _L = _L+_L-C Co cs7-3.解：（1）,面积累：当金属表面所加的电压使得半导体表面出现多子积累时，这就是表面积累，其能带图和电荷分布如图所示:（2）表面耗尽：

31、当金属表面所加的电压使得半导体表面载流子浓度几乎为零 时，这就是表面耗尽，其能带图和电荷分布如图所示：（3）当金属表面所加的电压使得半导体表面的少子浓度比多子浓度多时，这就是表面反型，其能带图和电荷分布如图所示:7-3.解：理想MIS结构的高频、低频电容-电压特性曲线如图所示； 其中AB段对应表面积累，C到D段为表面耗尽，GH和EF对应表面反型。7-4、解：使半导体表面达到强反型时加在金属电极上的栅电压就是开启电压。这时半导体的表面势2k°T g Na7-5、答：当MIS结构的半导体能带平直时，在金属表面上所加的电压就叫平带 电压。平带电压是度量实际MIS结构与理想MIS结构之间的偏

32、离程度的物理量， 据此可以获得材料功函数、界面电荷及分布等材料特性参数。7-6、解：影响MIS结构平带电压的因素分为两种：（1）金属与半导体功函数差。例如，当机此时，将导致C-V特性向负栅压方向 移动。如图P型半导体MIS结构：维媛层电商对c-的性的影响恢复平带在金属上所加的电压就是（2）界面电荷。假设在SiO?中距离金属- SiO2界面x处有一层正电荷，将导致C-V特性向负栅压方向移动。如图：恢复平带在金属上所加的电压就是：在实际半导体中，这两种因素都同时存在时，所以实际MIS结构的平带电压为平带电压，血 dx q ） I c。d。一、选择填空（含多项选择）1 .与半导体相比较，绝缘体的价带

33、电子激发到导带所需的能量（）A.比半导体的大B.比半导体的小 C.与半导体的相等2 .室温下，半导体Si掺硼的浓度为IO%!）；同时掺有浓度为LlXloZnT的 磷，则电子浓度约为（），空穴浓度为（），费米能级（）；将该半导体升温至 570K,则多子浓度约为（），少子浓度为（），费米能级（）。（已知：室温下, nil. 5X10'W3, 570K 时，ni2X 10,7cm-3）A. lO'cm' 1B. lO'cm-C. 1. 1 X 10l5cni ：D. 2.25X10l5cm-3 E. 1.2X lO'W3 F. 2X10l7cm-3G.高于Ei

34、H.低于EiI.等于Ei3 .施主杂质电离后向半导体提供（），受主杂质电离后向半导体提供（），本征 激发后向半导体提供（）。A. 空穴 B.电子4 .对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（），本征流子浓度（）, 功函数（）。A.增加 B.不变 C.减少5 .对于一定的n型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致（）靠近 EioA. Ec B. Ev C. Eg D. Ef6 .热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与（）有关，而 与（）无关。A.杂质浓度B.杂质类型 C.禁带宽度 D,温度7 .表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）。A.施主态B.受主态

35、 C.电中性8 .当施主能级Ed与费米能级Ef相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。A. 1 B. 1/2 C. 1/3 D. 1/49 .最有效的复合中心能级位置在（）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（） 附近，常见的是（）的陷阱A. Ea B. Ed C. E D. EiE.少子F.多子10 .载流子的扩散运动产生（）电流，漂移运动长生（）电流。A.漂移 B.隧道 C.扩散11 . MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加 掺杂浓度，其开启电压将（）。A相同B.不同C.增加 D.减少 二、思考题1 .简述有效质量与能带结构的关系。2 .为什么半导体满带中的少

36、量空状态可以用带有正电荷和具有一定质量的空穴 来描述？3 .分析化合物半导体PbS中S的间隙原子是形成施主还是受主？ S的缺陷呢？4 .说明半导体中浅能级杂质、深能级杂质的作用有何不同？5 .为什么Si半导体器件的工作温度比Ge半导体器件的工作温度高？你认为在 高温条件下工作的半导体应满足什么条件？6 .工厂生产超纯Si的室温电阻率总是夏天低，冬天高。试解释其原因。7 .试解释强电场作用下GaAs的负阻现象。8 .稳定光照下，半导体中的电子和空穴浓度维持不变，半导体处于平衡状态下 吗？为什么？9 .爱因斯坦关系是什么样的关系？有何物理意义？10 .怎样才能使得n型硅与金属铝接触才能分别实现欧姆

37、接触和整流接触？答答答答答答答答 LZ 工人 一3.87.&9案：(A)案：(B), (D), (G), (F), (F), (I)案:(B), (A), (A, B)案：(B, A), (B, C), (C)案：(D)案：(C,D), (A,B)案：(A)案：(C)K: (C), (E)11 .答案：(C), (A)12 .答案：(B), (C)半导体物理重点难点第一章半导体中的电子状态1、Si和GaAs的晶体结构2、Ge、Si和GaAs的能带结构3、本征半导体及其导电机构、空穴第二章半导体中的杂质和缺陷1、本征激发与本征半导体的特征2、杂质半导体与杂质电离第三章半导体中载流子的统计

38、分布1、热平衡态时非简并半导体中载流子的浓度分布2、费米能级琮的相对位置。第四章半导体中的导电性1、迁移率2、散射一一影响迂移率的本质因素3、电导率4：弱电场下电导率的统计理论第五章非平衡载流子1、非平衡载流子的产生2、非平衡载流子的复合3、非平衡载流子的运动规律4、扩散方程5、爱因斯坦关系6、连续性方程第六章金属和半导体接触1、阻挡层与反阻挡层的形成2、肖特基势垒的定量特性3、欧姆接触的特性4、少子的注入第七章半导体表面与MIS结构1、表面电场效应2、理想与非理想MIS结构的C-V特性3、Si-Si（）2系统的性质4、表面电导选择填空（含多选题）（25分）1 .如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主;,如果半导体中电子浓