DDR3布局布线规则与实例

1、DDR3布局布线译自飞思卡尔官方文档HardwareDevelopmentGuidefori.MX6Quad,6Dual,6DualLite,6SoloFamiliesofApplicationsProcessorsIMX6SerialLayoutRecommendations目录1. DDR原理性连接框图32. DDR布局布线规则43. DDR布线细节6呦据线的交换63.2DDR3(64bitsT型拓扑介绍63.3DDR3(64bitsFly-by型拓扑介绍63.42GBDDR布局布线建议63.54GBDDR布局布线建议74. DDR布局布线实例84.V4DDRT型拓扑实例94.28片DDR

2、Fly-by型拓扑实例135. 高速信号布线建议206. 地平面设计建议207. DDRPOWER布线建议228. 参考249. 声明错误!未定义书签。1. DDR原理性连接框图图1、图2为I.MX6DQ/SDL与DDR连接框图，连接示意一目了然。图1DDR3与i.MX6DQ/SDL连接示意图LMX6DQ/SDLDRAMA(15;QDRAM_Di63：0|I'/X-,-<.IUhM<-,；：JDRAMDRAMSDLK1:O1.DRAMCKE1,SDCLKlhSDCLK1BDRAMhWf-DDR3A|15:0jDQ!J1：O5CK/CKWE图2LPDDR2与i.MX6DQ/S

3、DL连接示意图2. DDR布局布线规则DDR3在布线中十分重要，它必须考虑阻抗匹配问题，通常单端为50Q差分100Qo图3给出了DDR及其去耦电容的最终布局，其中左图是顶层布局，右图为底层布局，共计4片DDR3芯片,顶层、底层各两片。DDR应该尽量靠近CPU，这样可以减小寄生参数和传播延时。图3DDR和去耦电容的布局DDR3的有两种布线形式：一种是所有信号线等长，另一种是以字节为单位分组等长。所有信号线等长布线，该种布线方式在信号完整性上是最理想的，在设置约束规则上是简单的，但由于布线空间，使得这种方法耗时费力，甚至设计无法实现，在此只是提及一下，并不推荐使用该种方法。各信号线布线长度要求如表

4、1所示。表1所有信号线等长的布线方式以字节为单位分组等长布线，该种布线方式以小组”为单位作等长处理，实际工程当中等长处理容易实现，但是这种方式约束规则较为复杂，毕竟每小组”都需要一个约束规则。表2给出了以字节为单位分组等长布线要求。表2以字节为单位分组等长DRAM_D7:0DRAM_DQMODRAM_SDQSODRAM_SDQSO_BByteGroup1Clock(min)Matchthesignalsomils.Matchthedifferentismils.DRAM_D15:8DRAM_DQM1DRAM_SDQS1DRAM_SDQS1_BByteGroup2Clock(min)DRAM_D

5、23:16DRAM_DQM2DRAM飞DQS2DRAM_SDQS2_BByteGroup3Clock(min)DRAM_D7:0DRAM_DQMODRAM_SDQSODRAM_SDQSO_BByteGroup1Clock(min)Matchthesignalsomils.Matchthedifferentismils.DRAM_D15:8DRAM_DQM1DRAM_SDQS1DRAM_SDQS1_BByteGroup2Clock(min)DRAM_D23:16DRAM_DQM2DRAM飞DQS2DRAM_SDQS2_BByteGroup3Clock(min)DRAM_D7：0DRAM_DQM0

6、DRAM_SDQSDDRAM_SDQSO_BByteGroup1Clock(mln)DRAM_D(15:8DRAM_DQM1DRAM豆QS1DRAM_SDQS1_BByteGroup2iClock(min)DRAM_D23:16DRAM_DQM2DRAM_SDQS2DRAM_DI7：0DRAM_DQM0DRAM_SDQSODRAM_SDQSO_BByteGroup3ByteGroup11Clock(min)Clock(min)DRAM_D(15:8DRAM_DQM1dram3dqsiDRAM_SDQS1_BByteGroup2Clock(min)DRAM_D23:16DRAM_DQM2DRAM

7、SDQS2mnAII1QCCGfCByteGroup3Clock(min)Matchthesignalsomils,Matchthedifferent!;mils.Matchthesignalsomils.Matchthedifferent!mils.1.Clock(min:Clock的最短长度，因为它有一个Smil的容差最后，还有一个需要注意的是阻抗匹配问题，推荐单端50Q差分100Q3. DDR布线细节i.MX6DDR的布线，可以将所有信号分成3组:数据线组、地址线组和控制线组，每组各自设置自己的布线规则，但同时也要考虑组与组之间的规则。3.1数据线的交换在DDR3的布线中，可以根据实际情

8、况交换数据线的线序，但必须保证是以字节为单位(数据07问是允许交换线序，跨字节是不允许的，这样可以简化设计。布线尽量简短，减少过孔数量布线时避免改变走线参考层面。数据线线序，推荐D0、D8、D16、D24、D32、D40、D48、D56不要改变,其它的数据线可以在字节内自由调换(seethe"WriteLeveling”sectioninJESD79-3E。DQSffiDQM不能调换，必须在相应通道。3.2 DDR3(64bitsT型拓扑介绍当设计采用T型拓扑结构，请确认以下信息。 布线规则见上文表2。 终端电阻可以省略。 布线长度的控制。 DDRR量限制在4片以下。3.3 DDR3

9、(64bitsFly-by型拓扑介绍当采用Fly-by的拓扑结构时，在设计中请注意以下事项。DDRS制器集成了地址镜像功能。终端电阻不可以省略。3.42GBDDR布局布线建议4片DDR共计2GB内存。 保证T型拓扑的对称性。 减少过孔，避免多次换层。 禁止分割走线下的参考层图4是T型拓扑的结构框图，在i.MX6设计中，ADDR/CMD/CTRL信号会用到这种拓扑结构。图4ADDR/CMD/CTRL信号拓扑结构图5给出了DDR各数据线（64bits的布线结构图，它是点对点的布线方式，以字节为单位，具体布线约束见上文表2。图5点对点的数据线布线结构示图在i.MX6设计中，当选用4GBDDR(8片D

10、DR设计时，建议使用CS1:0两个片选信号，每个片选信号各控制2GBDDR(各控制4片DDR。当采用这种结构时，终端匹配电阻是不可或缺的。各信号组的拓扑结构如图6/7/8Z9所示。Address/图6ADDR/CMD信号拓扑Address/Command图7CTRL控制信号拓扑Address/EtndndAddress/Command图9时钟线拓扑4. DDR布局布线实例本节列出了2种布局布线方式，截图均出自官方EVM板。4.14片DDRT型拓扑实例该例用了4片DDR3,共计2GB内存，采用T型拓扑结构。具体说明见下文表3和图10/11/12。表3颜色对照表ColorMeaningSoftGr

11、eenADD&CMDSignalsYellowClocksSoftPinkDataByteGroup0PurpleDataByleGroup1BlueDataByteGroup2BrownDataByteGroup3OrangeataByteGroup4GreenDataByteGroup5OliveGreenDataByteGroup6SoftBrownDataByteGroup7GrayDDR_1V5&DDR_VREFSoftRedControlSignals图11DDR3内层布线图12DDR3底层布线表4写出了byte0和bytel的走线长度。当然，在该例中，clock信

12、号长2000mil。表4部分信号线布线长度SignalsLength(Mils)DRAM_DO1025.349DRAM_D1I1028.996DRAM_D21028.752DRAM_D31021J58DRAM_D41021930DRAM_D51025398DRAM_D61025.564DRAM_D71029.326Signal*LengthfMils)ORAM_DO1025.349DRAM_D11028.996DRAM_D21028752DRAMD31021.15BDRAM_D41021930QRAM_Q5102539BDRAM_D61025.564DRAM_D71029326DRAM.DQM

13、O1028.555DRAMSDQSO1023.419DRAM_SDQSO_B1023.373DRAM_Dfl&48B62DRAM_D9654371DRAM_D1Q65(2653DRAM,D11653,712DRAM_D1265091DRAMD13648,4334.28片DDRFly-by型拓扑实例本实例采用了fly-by的拓扑结构,8片DDR3,共计4GB内存。详情见上交颜色对照表4和下文图13/14/15/16/17/1a图13顶层DDR3走线24*II4:7F渣>r:图14内层L3DDR3走线图15内层L4DDR3走线图16内层L11DDR3走线图17内层L12DDR3走线图

14、18底层DDR3走线表5罗列了在本设计中部分走线长度，具体如下。表5DDR3部分信号线长度SignalsLength(Mils)DRAMDO1244.97DRAM-DI1252.82DRAM_D2123748DRAM_D31242.95DRAM_D41240.12DRAM_D51254.37DRAM_D6125458DRAM.D71238.18DRAMDQMOMB1297.45DRAM_SDQSO129534DRAM.SDQSO.B1295.68DRAM_D81103.69DRAM.D91116.14DRAM_D1O1105.01DRAM.D111105.17DRAM_D121120.4DRA

15、M_D131123.06SignalsLength(Mils)DRAM_D01244.97DRAM_D11252.82DRAM_D2123748DRAM_D31242.95DRAM_D41240.12DRAM_D5125437DRAM_D61254.58DRAMD71238J85 .高速信号布线建议在高速信号的布线中要特别注意信号总线的相对延迟和阻抗控制等问题，这些都能保证信号的时序和减小信号的畸变。几点建议如下所示。 高速信号线应避免跨越平面层的分割沟壕，保证走线下的平面层是完整的。 避免过孔等隔断平面层。 晶振、重要元器件、关键走线最好参考到地平面。 Cloc林口Strobe布线时不要随意

16、换层，且与其他信号线的间距应大于该信号线相对于参考层的2.5倍,以减少用扰。 注意数据线、地址线、时钟线等信号线的相对延迟，一般时钟线会略长于其他走线，以保证在时钟信号到来时数据信号或地址信号必须准备妥当。6 .地平面设计建议一个好的地平面设计是保证地平面的完整性，这个平面的完整性是保证信号回流的连续性和信号回流的简短性。具体设计请参看图19/20（不合理设计，图21/22（合理设计。图19平面层不合理设计1图20平面层不合理设计2图21平面层合理设计121/24图22平面层不合理设计27.DDRPOWER布线建议VREF布线建议罗列如下：去耦电容到目标引脚的走线保证30mil（含30mil）以上。VREF网络与其他网络的的距离应保证25mil以上。如果有条件进行包地处理。尽量多的应用去耦电容，例如0.22uF,并且尽量靠近CPU或DDR的VREF引脚。VREF源端放置一个1.0uF电容，CPU和DDR间折中放置一个1.0uF电容。VTT（DDR_VTT）布线建议罗列如下，图23/24/25是VTT原理图：在总线末端放置终端电阻，在电阻末端布VTT电源线。VTT走线（最好用局部电源铜皮）要做够宽，保证载流能力。VTT电源