第7章半导体存储器ppt课件_第1页
第7章半导体存储器ppt课件_第2页
第7章半导体存储器ppt课件_第3页
第7章半导体存储器ppt课件_第4页
第7章半导体存储器ppt课件_第5页
已阅读5页，还剩25页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、！单元数庞大！输入/输出引脚数目有限EPROMROMROM可擦除的可编程可编程掩模RAMRAM动态静态A0An-1W0W(2n-1)D0Dm写是一次性编程，不能改！编程时将不用的熔断有出厂时，每个结点上都熔丝由易熔合金制成写入时，要使用编程器PROMPROM：所有的存储单元均为：所有的存储单元均为0 0或或1 1，可根据需要改写一次可根据需要改写一次存入数据编程的方法：熔断存入数据编程的方法：熔断法，法，PNPN结击穿法结击穿法)(管浮栅隧道氧化层采用点擦除慢，操作不便的缺为克服MOSFLOTOXUVEPROM“隧道效应”电子会穿越隧道）当场强达到一定大小（厚度之间有小的隧道区，与,/ cmV

2、mSiODGf78210102（隧道区）区有极小的重叠区与）更薄（与衬底间SGnmOSGfif15102的正脉冲，加接），加正压（，充电利用雪崩注入方式向工作原理：usVGVVSDGcssf101206*上电荷经隧道区放电的正脉冲加放电，利用隧道效应fsscfGnsVVGG100120,作存储单元触发器，为基本RSTT41相通、与、导通，行中被选中，时，能在jjiBBQQTTX6511,单元与缓冲器相连列第行第导通，这时时，所在列被选中，jiTTYj871,，读操作截止，与导通，则若时，当OIQAAAWRSC32110,，写操作导通，与截止，则若QOIAAAWR3210,六管N沟道增强型MOS

3、管SCWRAAOIOI片选信号：写信号：读地址线：数据线：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI写信号：读地址线：数据线：/987070,):(110025625670A个地址个字，需要每一片提供SCYYAAAA分别接四片的译成即将两位代码区分四片用,308989102376876751251125625501110010007070707,AAAAAAAA四片的地址分配就是：89AA4321SCSCSCSC1110010029292929AAAAAAAA,四片的地址分配就是：01AA4321SCSCSCSC01AA912AAAA0An-1W0W(2n-1)ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDCBAYCBABCAYRO

人人文库> 全部分类> 应用文书 > 工作计划

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论