电子行业废水研究汇总

1、注：电子行业包含很多行业，半导体行业、电子元件行业(其中包括电容器、电阻器、电感器、电位器、电路板、电子变压器、磁性材料和电子敏感元件等)、平板显示器行业(其中包括询-LCD和PD半导体行业废水研究一、废水来源在制备晶圆时，需要使用超纯水冲洗，无机药剂需要用到盐酸、氨水、硫酸和氢氟酸，有机药剂需要用到光阻剂：乙酸丙二醇单甲基醚酯PGMEA(C6H12O3)和乳酸乙酯EL(C5H10O3)；61235103显影剂：氢氧化四甲基铵TMAH(C4H13NO)；去光阻剂：一甲基-2-比喀NMP(C5H9NO)；光阻制程用药：酚(C6H6O)；晶片干燥过程用药：异丙醇IPA(C3H8O)在使用药剂的过6

2、638程中就会产生废水。二、废水水质1、含氟废水常见水质：分析項目濃度範圍平均值pH1.03.02.5F-(mg/L)50030001750SS(mg/L)50300175SO42-(mg/L)100022001600PO43-(mg/L)532、酸碱废水酸碱废水中，常含有SS,所以在处理时需要注意是否另行添加去除颗粒度的设备，或是和研磨废水合流处理。3、有机废水4、研磨废水5、氨氮废水6、含铜废水具体水质可参看上海华立项目和大连英特尔项目三、出水水质1、国家标准污水综合排放标准2、行业标准pH6P企.护股朮迫押爪口悬浮拘70企血废水总仆星口LR=EGD5I27企业陵水总拝浪口临学雷氧SLfC

3、-ODc9C：企叩陵朮总非駁口也亂让初0.1S企册股底总井战口Q3企业废水总卄浪口12企*蹴冰也评駅口总SL15企艸浚术总开讹口0.5企2股哦总仆宦口P企业废水总托施口02企卩復冰总非腔口总锚0.1荟闫或土产装買ft放口总離0_5卓间或土产:口0.1车间或宦产後用M放口总眸0J车间前生产TErra口0_5车间戟生产眩畀41旗阮D.5車间嵌生产0.1辛间砂戈产装用疳放口3、企业标准有些企业考虑到最终排放水质要与生活污水合流排放，或是响应国家号召，会出现与国家标准和行业标准不相同的标准。四、工艺流程参考上海华立项目和大连英特尔项目。电子元件行业废水研究一、废水来源电子元件，以印制电路板行业为主要介

4、绍对象。:基板E12-1雾层印制电路板制惟流程在上述印制电路板的过程中，会产生有机废水、酸性废水、碱性废水、含氰废水、络合废水、含铜废水和研磨废水。二、废水水质废水水质：表1印制电路板废水水质水量分类表（单位：mg/L,pH除外）序号废水种类比例（%）pHCODCuNiCNNH3-N说明1磨板废水1530573032络合废水381020030010500015000210显影、剥膜、除胶废液和显影首级清洗水4一般有机废水101510200600脱膜、显影工序的二级后清洗水；贴膜、氧化后、镀锡后以及保养清洗水5电镀废水1520356010506综合废水203035803002035一般清洗水7含

5、氰废水0.11.08103050200挠性板含氰废水较多8含镍废水0.11.0258012500020000冲板机显影阳焊油墨渣2褪膜废液12500020000（38）%NaOH,溶解性干膜或湿膜3化学镀铜废液12300020000200010000CaSO,NaOH,EDTA，甲醛4挂架褪镀废液5M酸50100800004硝酸铜，浓硝酸5碱性蚀刻废液950100130000150000Cu(NH)Cl6酸性蚀刻废液2M酸50100150000322CuCl,HCl7褪锡铅废液5M酸501001001000Sn（NO）,HNOJ或者氢氟酸/氟化氢胺）8微蚀废液15010010200030001

6、00300高锰酸钾，胶渣10棕化废液046）%HSO,.有机添加剂11预浸废液酸性50100800150024SnCL,HCl,NaCl,尿素12助焊剂废液341000020000100020002re松香，焊剂载体，活性剂，稀释剂（热风整平前使用）13抗氧化剂废液（OSP）341500010002000烷基苯骈咪唑，有机酸，乙酸铅，CaCl2，苯骈三氮唑，咪唑14膨胀废液710000020000010100有机溶剂丁基卡必醇等15碱性除油废液10200080001020碱性，有机化合物，表面活性剂（乳化剂，磷酸三钠，碳酸钠）16酸性除油废液124000300500N

7、aCO（褪膜液为NaOH）18废酸3%酸5010030100231HSO,，HCl，柠檬酸19废钯液（活化液）150100408024PdCL，HCl，SnCL，Na.SnO3三、出水水质1、国家标准污水综合排放标准2、行业标准4、企业标准有些企业考虑到最终排放水质要与生活污水合流排放，或是响应国家号召，会出现与国家标准和行业标准不相同的标准。四、工艺流程1、废水处理1）、分流原则：（1）含一类污染物、氰化物等废水应单独分流；（2）离子态铜与络合态铜应分流后分别处理；（3）显影脱膜（退膜、去膜）废液含高浓度有机物，应单独分流；一般有机物废水根据实际需要核算排放浓度后确定分流去向；（4）含氰化物

8、废水须避免铁、镍离子混入；（5）废液应单独分流收集；（6）具体分流应根据处理需要和当地环保部门要求，确定工程的实际分流种类。2）、分步流程（1）铜的去除印制电路板行业废水中铜有多种存在形式：离子态铜、络合态铜或螯合态铜，应按不同方法分别进行去除。离子态铜经混凝沉淀去除。络合态或螯合态铜经过破络以后混凝沉淀去除。1.1离子态铜去除基本流程：含铜废水出水含铜污泥图1离子态铜的化学法处理流程中和混凝时设定控制pH值应根据现场调试确定，设计可按pH89进行药剂消耗计算。1.2络合态或螯合态铜的去除常用破络方法有：Fe3+可掩蔽EDTA，从而释放Cu2+；其处理成本廉价，应优先采用。硫化物法可有效去除E

9、DTA-Cu,过量的S可采用Fe盐去除；Fenton氧化可破坏络合剂的部分结构而改变络合性能；重金属捕集剂是螯合剂，能形成更稳定的铜螯合物并且是难溶物；离子交换法可交换离子态的螯合铜，并将其去除。生化处理可改变络合剂或螯合剂性能，释放CU2+，具有广泛的适用性。具体设计应根据试验结果确定破络工艺。1.3破络反应基本流程络合铜废水铁盐辅助混凝破络破络沉淀生化处理或排放含铜污泥图2络合铜的基本处理流程三价盐可掩蔽主要的络合物EDTA；辅助破络反应可采用硫化钠，按沉淀出水Cuv2.0mg/L投加量控制；生化处理应便于排泥，以排出生化处理破络后形成的铜沉淀物。如络合铜废水在常规破络后可达到排放要求，则

10、不需进入生化系统处理。如果没有破坏或者掩蔽络合剂，络合铜废水处理后宜单独排至出水计量槽，以免形成新的络合铜。(2) 氰化物的去除2.1氰化物废水的处理宜采用二级氯碱法工艺。破氰后的废水应再进行重金属的去除。2.2破氰基本流程含氰废水后续处理图3含氰废水基本处理流程2.3处理含氰废水的氧化剂可采用次氯酸钠、漂白粉、漂粉精、二氧化氯、双氧水或液氯。理论有效氯投加量：CN:NaC10=l:7.16。实际由于废水中还有其它还原物或有机物会消耗有效氯，投药量宜通过试验确定。2.4反应pH值条件：一级破氰控制pH值1011，反应时间宜为(1015)分钟；二级破氰控制pH值6.57，反应时间宜为(1015)

11、分钟。2.5自动控制ORP参考值：一级破氰约(+200+300)mV，二级破氰约(+400+600)mV。由于废水中所有还原性物质都可能与氧化剂发生反应，因此对于实际ORP控制值，应根据CN的剩余浓度现场试验确定。设定ORP值的原则是既保证残余CN浓度小于排放要求，又不浪费氧化剂。(3) 有机物的去除有机物的主要来源是膜材料(干膜或湿膜)、显影废液、油墨中的有机物和还原性无机物。高浓度有机物废水主要来自褪膜废液、显影废液和首次冲洗水。因其COD浓度高也称为有机废液、油墨废水。3.1脱膜、显影废液应首先采用酸析处理。酸析反应控制pH值35,具体数值可现场调整确定。设定的原则是去除率提高平缓时，不

12、再下调pH值。酸性条件使得膜的水溶液形成胶体状不溶物，通过固液分离去除。3.2酸析后的高浓度有机废水可采用生化处理，也可根据情况采用化学氧化处理。3.3高浓度有机废水生化工艺基本流程好氧处理须注意控制进水浓度Cu5.0mg/L，可以将破络后的络合废水进入好氧池一同处理，通过排泥量控制混合液中的Cuv20mg/L。油墨废液排放或再处理酸析污泥物化污泥剩余污泥图4高浓度有机废水基本处理流程3.4高浓度有机废水厌氧处理水力停留时间(HRT)宜24h以上，投配负荷：(2.03.0)kgCOD/(m3d)以下。3.5高浓度有机废水好氧处理HRT宜16h以上，投配负荷：(0.30.6)kgCOD/(m3d

13、)。3.6除高浓度有机废水以外的其它含有机物废水，可直接采用好氧生物处理,HRT宜12h以上。(4) 镍的去除4.1宜采用碱沉淀法去除。4.2当要求含镍废水单独处理并且单独达标时，中和pH值应控制在9.5以上。(5) NH3-N的去除5.1好氧生化处理能将NH3转化为亚硝酸盐氮或硝酸盐氮，去除氨氮；缺氧反硝化处理可以脱氮。在硝化反应中碳源不足时可人工添加碳源。(6) 废液的处理与处置废液含高浓度铜、络合剂、COD和可能的氨、CN、Ni等。Au等贵重金属厂家应自行回收。6.1废酸、废碱应优先作为资源再利用。6.2蚀刻液应优先回收再生并重复使用。6.3高浓度重金属废液应优先进行资源回收再生。6.4

14、废液宜按不同种类分别收集储存，有利于回收和处理。6.5无回收价值的废液宜采用单独预处理后小流量进入废水处理系统。（7）污泥处理与处置7.1普通清洗废水处理后的污泥可采用厢式压滤或带式压滤等方式脱水，滤出液返回普通清洗废水池。7.2络合铜废水采用简单硫化物沉淀处理的污泥，宜单独脱水，滤出液返回络合废水池。7.3酸析后的污泥宜采用重力砂滤脱水或带式压滤机脱水。7.4污泥的处置，须按危险废物并根据危险废物的相关规定进行处置。生化处理的剩余污泥中含有重金属，禁止农用。污泥转移应遵循国家危险废物管理有关规定。3）总流程图埔印制电路板嵯水里剜塑工艺茨程图2、回用水处理1）回用原则：（1）磨板废水成份较简单

15、，可采用铜粉过滤后回用至磨板工序。（2）应采用优质清洁废水作为回用水水源，宜按顺序优先采用电镀清洗水、低浓度清洗水、一般清洗水。含高有机物、络合物清洗水不宜作为回用水源。（3）应根据回用水水质要求制订回用处理工艺。一般宜采用预处理+反渗透工艺；（4）应当核算废水回用后反渗透的浓水对排放水质的影响，并依此调整废水分流方式和整体处理工艺。（5）印制电路板企业应优先考虑采用在线回用处理工艺，在线回用处理工艺包括膜法、离子交换法等。（6）一般可将处理达标后的综合废水作为回用水处理系统的水源。（7）回用水处理系统的主要工艺过程包括多介质过滤、超滤、反渗透等，应综合考虑进水水质、回用水水质要求、回用率以及

16、经济技术指标等因素确定合理的工艺组合。（8）回用水处理系统的产水需回用于生产线，水质要求视企业情况而定，通常达到自来水水质要求时即可回用至一般清洗工序；浓水可经独立处理系统处理后达标排放，也可将浓水排入生化处理系统作进一步处理。2）回用流程磨板废水回用：用毡轄的水一临禀池谊慈机直按返叵同粪匿板践*谨;城应应世沉淀甘离血I司翼卷板匱水图j中谢槪噬水回用眇屢腆塑工莒谎程也电镀废水回用：勰赵刑述水屮封合【夏-ry-?系燒IEIIm敗健竣丿ke亜用处惟典戦工节址种觀综合废水回用：浹水进一步处邑图口戯阻的制用水理坦丁注程平板显示器行业废水研究一、废水来源TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器件）行业完整的

17、TFT-LCD的生产工艺路程主要包括：阵列工程（Array）、彩膜工程（CF）、成盒工程（Cell）和模块工程（Module）三大部分。PDP（等离子显示器件）行业PDP的生产工艺路线主要包括：前板制程、后板制程以及组装二、废水水质TFT-LCD行业1、Array工程所产废水：护号僅用的化学杨慣理雄朗污彌物污来用子ssr性盛污来悯子冋收1LJMSOf二甲耶Efti.CH,-工醇蜃iJEAJ(H齐CTfeCEfcOH)CODBOD机股气VOCs杞曳善so%轉收335悅四甲蔓氢氣it转TMAH；ii：CH5)J(CH.JO三tH板斗惑阳L主便：酚醒M時.我二酣呢阳M；苗畔匕lOK刃:苗亦PGiT年

18、甲昱昱丙二翡CHiO匚J沖PGMEA丙二阿甲氓事用中CHOOCH（CHzCHcOCH.HMDSCODBOZ：扫筑虫PVOCs单乙星盘片二晖、两二醇世豆氓朝辭扫筑虫PVOCs曲叱汕收6AJ闕蚀掖IHlfi(HNOjpH.會掘=：、疋輕目黑、COD.BODi.5.7*4敲性51PB?叙(HiPOj&IM(CH.COOH).(HNOJ(0.3W)：._.：_宀冋收.7ITO朗蝕潢时汽草醸心HA2H=0也:性、pH战性盘汽(CzEtO.期CO.JWJ8HMDS亢日展二齐烷画UHj風预CHhCODBOEvacsS：ftHNF,nf3督FJft朮pH、F1叛优甸F104SF4矶UKSeHsia,5S12.

19、NHiXHpNHrNNH：15HH.EiPH.-H：PQM囲阿16KChCl:社血HQ17gAL、ALNdtXdiar；)rro眞化垢関蚯0訂2、CF工程所产废水号够底同污昨金水性亜Esrtfess回的2PGMEACffiHSI)PGMEAZBWinWOCH!COOCH(CH.jCHzaClE,一右机股气VOCs-孑nO-EawiHi:酸It曳*时*,丹喷盐凱Hxax*fi)一4RGBRew泌；申赳CEjtJCH.CHfOCHifnKOH店帛厳刨皿tt奥水:.H-CODBODsigrVOCe、KOH；lh:55%KOH（呈氧比需显你EOHiSvi.il科尸界pH、CODsilt喪rKOH(瓷N

20、il.ft)-6亍PR-BMRGB414UIK3、Cell工程所产废水柑料名茁蛊删:质污逝子歷r炷质1清注割H折F殳恿T垂BuryiacensiiECOD、BOD2猜妊帘2（掩腫個IM%COD、BOD3HMPN-Fl華4网氧七合巫苻札Eft*COD、BOD右机發rVOCsPDP行业JT号X45FU悅用的化学物Jffi坯宙国污彌ja朮性je污弹丙子直*1皂国污卑固子1进阴电複成星甲X、岛、甲卑辄仍右机曉4VOCsrAg,曰罩IPA匸机决*VOCs3Ag,曰罩EA右机决*VOCs斗Ag.已罩、IPA.miVOCs5玻塢粽甲卑一艇尘色气斷工、甲黑、El6戋?tli诲布旺悴、甲里【光警陵朮S5rS5a

21、HMDS右甲晶二甘競!CH：5iSECH；）iCOD.BOD匚虱说汽VOCs&:底化CNFNF.吿F庚水pH.F1宅谟气JfiB耳亠图，區回型叵Rfcft亠相？馳I謀康水SEIti:2PHiHH湘2也一换爪斥忒相-K?板陳担】2耳戢弋2、企业B其他流程，可参考BOE项目和南京熊猫项目。电真空行业废水研究一、废水来源在CRT行业中常用到的酸碱化学试剂有:名称化学式用途形成的污染因子氢氟酸HF玻璃清洗pH、F盐酸HC1通用PH硫酸H2SO4通用PH硝酸hno3玻璃清洗pH、硝酸盐氮磷酸H3PO4通用pH、磷酸盐草酸H2C2O4.2H7O涂屏、蒸铝:PH氨基磺酸SO2(OH)NH2涂屏工艺NH3-N重辂酸胺(NH4)2CrO7涂屏工艺NH3-N、总洛、C产重铭酸钾K2C1O7涂屏工艺总珞、cf次氯酸钠NaClO涂屏工艺氧化物双氧水H2O2涂屏工艺氧化物氢氧化钠NaOH去油清洗pH、COD石油类碳酸钠Na?CO3去油清洗pH、COD、石油类磷酸钠NasPO4去油清洗磷酸盐氟化氨NH4HF2清洗、涂屏NH3K、f石墨涂屏工艺、锥加工ss荧光粉（红粉）涂屏工艺ss荧光粉（蓝粉）涂屏工艺ss荧光粉（绿粉）涂屏工艺ss在CRT行业中常用到的有机