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文档简介

CMOS模拟集成电路设计带隙基准提纲 1、概述 2、与电源无关的偏置 3、与温度无关的基准 4、PTAT电流的产生 5、恒定Gm偏置1、概述 基准 目的：建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流。 与温度关系： 与绝对温度成正比PTAT 常数Gm特性 与温度无关2、与电源无关的偏置 电流镜VGS1VGS2 “简并偏置点3、与温度无关的基准 3.1 负温度系数电压例，例，VBE750mV，T=300K时，时，VBE/ T -1.5mV/Km-3/2， VT=kT/q，硅带隙能量硅带隙能量Eg 1.12eV 3.2 正温度系数电压 3.3 带隙基准 3.3 带隙基准续IC2IC2 3.3 带隙基准续 3.3 带隙基准续 3.3 带隙基准续 3.3 带隙基准续=04、PTAT电流的产生 PTAP电流5、恒定Gm偏置与电源无关的偏置电路是确定跨导的简单电路=(CSfCK)-1小结 与电源无关的偏置 自举相互复制 与温度无关的基准 负温度系数电路与正温度系数电路相加补偿 工艺兼容性；运放失调；反响；稳定性；启动 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置

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