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文档简介
1、至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.2至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.主要内容引见主要内容引见一、功率器件后封装工艺流程一、功率器件后封装工艺流程二、产品参数一致性和可靠性的保证二、产品参数一致性和可靠性的保证三、产品性价比三、产品性价比四、今后的开展四、今后的开展至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.划片粘片压焊塑封老化打印管脚上锡测试切筋检验包装入库Die bondingDie sawwire bondingmoldingmarkingHeat agingplatingsegregatingTesting Inspection Packin
2、g Ware house 至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI. 划片圆硅片划片及绷片后的圆片划片:将圆片切割成单个分别的芯片划片特点:日本DISCO划片机,具有高稳定性,划片刀的厚度25um,芯片损耗小。至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI. 日本DISKO划片机至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.将单颗芯片粘结到引线框架上实物图划片粘片压焊塑封打印至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.1、自动粘片机,芯片和引线框架的粘结结实,一致性好。2、优质的框架及焊接资料运用,获得良好的热学和电学特性。3、芯片与框架的热匹配性良好,芯片和框架之
3、间的应力到达最小,热阻小,散热性好。4、氮氢气体维护,防止高温下资料氧化。至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.粘片员工在仔细操作至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.全新的TO-220粘片机至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.压焊:用金丝或铝丝将芯片上的电极跟外引线框架管脚衔接起来。金丝金丝球焊铝丝超声波焊压焊表示图划片粘片压焊塑封打印至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.1、自动压焊机,一致性好,焊点、弧度、高度最正确,可靠性高。2、根据管芯的实践任务电流选择引线直径规格,保证了良好的电流特性 。压焊实物图至诚至爱,共创未来 SI
4、SEMI.SI SEMI.全新的KS TO-92压焊机压焊车间至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.塑封体框架管脚塑封:压机注 塑,将已装片的管子进展包封塑封表示图划片粘片压焊塑封打印至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.采用环氧树脂塑封资料封装,阻燃,应力小,强度高,导热性好,密封性好,保证晶体管大功率运用情况下具有良好散热才干,管体温度低。塑封机至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.塑封消费车间的景象至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.激光打标激光打印机在管体打上标志塑封切筋打印电镀测试老化至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI
5、SEMI.电镀:纯锡电镀,符合无铅化要求切筋:器件分散连筋切筋表示图塑封切筋打印电镀测试老化至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.切筋员工在操作至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.1、严厉的挑选条件,温度140150。2、运用有N2维护的烘箱,防止管子在高温下氧化。塑封切筋打印电镀测试老化至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.切筋电镀测试老化检验包装测试流程至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.KT9614与DTS-1000分选机至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.整洁的包装车间新型的包装方式编带我公司今年新引进的编带机
6、至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.1、产品的一致性 a.芯片消费工艺控制 b.经过细分类进展控制2、产品可靠性 a.优化芯片消费工艺提高可靠性 b.封装工艺的严厉要求 至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.高精度的测试系统 1、最高测试电压为1000V,最大电流20A,漏电流最高精度到达pA级,电压测试精度到达2mV 2、可测试的半导体器件有双极晶体管,MOS管,二极管等多种器件。 3、对于双极晶体管,可测试hFE、Vcesat、Vbesat、Rhfe、Iceo、Iebo、Bveb、Icbo、Bvceo、Vfbe、Vfbc、Vfec、Bton、Bvces、Bvc
7、er、Icer、Icex、Icbr、Icbs、BVcbo、Iceo等参数至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.一、降低热阻二、控制“虚焊三、加强塑封气密性至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.降低器件发热量的三个途径一、经过优化电路,防止开关器件进入放大区,减小器件上的功率耗费 。二、降低器件的热阻,即提高器件的散热才干。 三、提高器件的电流性能,降低饱和压降 。 在电路和芯片都已固定的情况下,防止器件发热失效重要的途径就是降低器件的热阻 。至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.一、热阻的定义 热阻(Rth)是表征晶体管任务时所产生的热量向外界分发的才
8、干,单位为/W,即是当管子耗费掉1W时器件温度升高的度数。RTH总 RT1+ RT2+ RT3至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.二、晶体管热阻的组成1、RT1内热阻由芯片的大小及资料决议。2、 RT2接触热阻与封装工艺有关。3、 RT3与封装方式及能否加散热片有关。至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI. 我们工艺控制过程中,最重要的是处理接触热阻。主要的控制手段: 1、粘片工艺对接触热阻的控制。 2、高效的测试手段进展挑选 。至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.原因技术要求工艺保证芯片背面金属层质量金属层平整清洁无氧化,且有一定厚度。每片先试粘一
9、条,试推力,符合工艺规范才下投。焊料表面清洁光亮,无氧化及斑点、粘污等不良现象。与芯片、框架两者之间的浸润性良好,溶化后无颗粒状。引线框架表面平整、清洁、光亮无氧化,无斑点。焊料点上熔化后,焊料与之的浸润好。粘接强度1、推力:mm21kg2、焊料覆盖芯片面积95%(空洞面积5%)3、芯片、焊料、框架三者之间无缝隙。1、专职检验员每隔1小时巡查一次。2、N2、H2气体保护。3、X-R管理图热阻偏大的缘由分析与工艺保证至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI. 晶体管的热阻测试原理: 在一定范围内pn结的正向压降Vbe 的变化与结温度的变化T有近似线性的关系: VbekT 对于硅pn结,
10、k约等于2,热阻的计算公式为: RthT/P 只需加一个稳定的功率,丈量晶体管的Vbe即可计算出晶体管的热阻 RT。至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI. 进展热阻测试挑选,我们用的是日本TESEC的Vbe测试仪 。至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.Vbe测试仪的性能参数及优点:测试精度:0.1mV脉冲时间准确度:1us最高电压:200V最大电流:20A优点: 1.精度高,且精度高可到达0.1mV,反复性好。 2.挑选率高 至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.优点2:挑选率高如粘片有空洞,脉冲测试在很短功率脉冲内,由于热量来不及传导,有空洞的地方
11、就会构成一个热点即温度比粘结面其他地域高出很多的小区域如右图示 。 热点处温度高,Vbe将比其他地方的Vbe变化大。整个pn结的Vbe将主要受热点处的Vbe的影响,因此,有空洞的管子的Vbe比正常管子的Vbe要大很多。至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.经过丈量Vbe,再经过公式 Rth Vbe /KP我公司典型产品值:品种 封装形式 热阻值MJE13001 TO-92 6.5/WMJE13003BR TO-126 3.5/WMJE13005 TO-220 1.3/W至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.“因素技术要求对策措施引线材料抗拉强度、延伸性良好,硬度适中
12、。1、严格执行公司的原材料进料检验制度。2、不定期上供应商生产线考察质量体系进行情况。劈刀1、劈刀端面平整,与引线形变后尺寸一致。2、确保劈刀端面有合适的振幅。1、定期清洗劈刀,保证端面清洁完整。2、劈刀安装位置准确,高度合适。芯片铝层质量铝层不氧化,无划伤,具有一定厚度加强表面镜检,剔除不合格品。引线强度不够不同的线径,规定不同的工艺条件,压力 、功率、时间。1、在N2保护中压焊。2、专职检验员,每隔1h巡检一次。3、引线强度的 -R管理图。框架管脚质量1、管脚牢固、平整。2、管脚锡层光亮平整、不氧化。3、高温老化后锡层不变色。1、调整塑封工艺,以达到充分填充。2、加强浸锡前,管脚处理。3、
13、老化烘箱采用N2保护。_X至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.压焊工序对引线拉力进展了严厉的控制至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.相关因素工艺措施检测措施引线框架和塑料粘接表面机械强度1、引线框架的管脚增加两条密封槽,增加此处引线框架表面的粗糙度,使其与塑封料粘结更紧密2、在塑料型号上挑选收缩率低、流动性好的材料,使其之间的机械粘结更加紧密。1、定期检查设备运行状况,确保工艺参数稳定。2、严格原料检验。3、采用热强酸腐蚀比较法,定期检查密封性。4、借助广州五所的先进分析手段,不定期的对产品密封性能进行抽查。5、产品测试前增加老化工序,使存在隐患的产品提前失效,
14、加严测试漏电的参数项,剔除可能存在缺陷的产品。引线框架和塑料热膨胀系数匹配对每种封装形式均需作材料热匹配的对比试验,通过样品测量和批量试用,选择最佳的材料组合。 注塑工艺方面的调整1、增大注塑压力和时间,使塑料达到充分填充。2、增加保压时间,使塑料充分固化后出模,防止出模时摩擦大,塑料发生形变而减弱与引线框架之间的粘结强度。至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.产品性价比产品性价比1、资料的选用2、先进的工艺制程3、严厉的消费过程控制至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.资料的选用资料的选用1.供应商均经过评价认证2.质量好价钱高的资料至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.先进的工艺制程先进的工艺制程 一、净化厂房,干净度10000级,防止了粉尘灰粒的粘污二、全自动的粘片、压焊机,并有氮氢气维护三、一切产品经过高温老化,性能更稳定更可靠四、精度高、稳定性好的测试挑选设备, DTS-1000 , Vbe至诚至爱,共创未来 SI SEMI.SI SEMI.产品的特点产品的特点1、电流特性好,饱和压降小,在输出一样的功率下,晶体管耗费的功率小,发热量低2、产品种类型号丰富,专门针对节能灯、电子镇流器进展设计封装方式:TO-92、TO-126、TO-220、 TO-2
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