高频电路基础知识点总结

1、 第二章一.串联谐振回路1.串联谐振电路的阻抗为 Z =r +j(GL_A),与 时1KL 回路呈现容性而 CC00通时机 工回路呈现感性，8=曲时*=0、忆|=且4 = 0,电压电流同相位 C即回路呈现纯阻性，此时的回路发生了 “ 谐振”；2.谐振频率为切0 = ； LC3.品质因数定义为谐振时回路储能和耗能之比即Q=处r ，oCr4.幅频特性在“小量失谐的情况下”可表示为5.相频特性ej ：=1 jQQ值越大曲线越陡峭，线性范围越小6.将两个半功率点之间的带宽定义为串联回路的通频带跖埸.并联谐振回路(r j L)1.并联谐振回路的阻抗为Z =与一ftC,0 包 时矶J回路 TOC o 1-

2、5 h z r j L -j( L -)Cj CC呈现感性而3命时eLa 1回路呈现容性，6=小时与C-1 =0、|Z|=L且4=0, C.L 1rC电压电流同相位即回路呈现纯阻性，回路发生“谐振”；.谐振频率为00 = 1;LC.品质因数 Q0=，=2=，；r Q G，oLG.幅频特性和相频特性与串联回路相同；.通频带b07 =也0 Q三.抽头并联回路2.R =p2RT.抽头电路具有阻抗变换和电源变换的作用即4 2.V = pVT3.I =4TP.耦合振荡回路.临界耦合时双调谐回路的带宽为B07 =近上；Qo.单调谐回路的矩形系数为9.95而双调谐回路的矩形系数为3.15。.石英晶体滤波器.

3、石英晶片的电路模型:TnuLLqcq。C。2.石英晶体的串联谐振频率为0q = J,并联谐振频率为Oq1 + P为8q ；L Lq Cq2In=4TBG(b)3.电阻热噪声经线性网络后其输出功率谱密度为Suo = H(j)|2SUi ；4.晶体管散粒噪声的电流功率谱密度为 (f) =2ql0 ;5.噪声系数定义为NfS NiSo6.噪声系数的计算方法有:开路电压法NSi NU2No No 瓦 U；So No -KpNioU2U2ioioRl、短路电流Si Ni ; M 二%So No -KpNi 一菰I2RLIIioRl Iio和额定功率法N二Si NiSo No N|NokTBSo N1Kp

4、 kTB Kp w1=K；3.84Clq或8 A0p时晶体为容性而0q “p时晶体为感性。六.电子噪声.电阻热噪声的电压均方值为U；=4kTBR,电流均方值为I；=4kTBG;.电阻可看做电压源/电流源和理想电阻的组合：IRR (理想)RI 02=曲(a)7.级联网络的噪声系数为Nf=n让片喂士 K plKp1Kp2AfV*弟二早.高频小信号放大器1.高频小信号放大器处理的是“窄带信号”，输出端用滤波网络做负载;Y参数等效模型:YfeUbUC（Yoe Y；）YfeK =二 一 ，UbUbYoe YL.分析高频小信号放大器时使用.单调谐高频小信号放大器电路：其中Yl 二12j C j-L g0

5、P2gL2Pl?电压放大倍数FT g0 P2gLPl P2Yfe2 P12(Xe2PlPl P2Yfe2-P1Yoej C2goP2gLPl P2Yfe,222(P1 goe goP2gL) j (P1 Coe C) 一P1 P2Yfe2P1 goe2g0P2gL?谐振频率LCL(CP12Coe)-4+h B市范：B0.7f0Ql?矩形系数:Kr0.1= 9.95.双调谐高频小信号放大器?带宽：B0.7 =近三 q?矩形系数：Kr =3.15.多级放大器?单调谐电压放大倍数：Kv：=Kv1带宽：B0.72m -1CO 0QlK矩形系数：rB0.1B0.7100m -11m -1?双调谐电压放大

6、倍数：Kv三=Kv1 Kv2Kvm带宽：B0.7 = B0.7Kr 二院Br7icEbEc矩形系数:二.高频功率放大器1.工作原理Eb - Ebic =gm(UbCOS-t -Eb - Eb) =gmUb(cos- t ) =gmUb(cos-t -cosf U bI co =i cmax a0 ( 6ic =Ico +IciCoswt + .Icn cosn += 1Ic1 -icmaxa1(9)I cn 二icmaxan (f经输出端并联谐振回路后Uo =IciR cos6t=Uc cosgt ,集电极电压可表示为:uce =Ec -Uo =Ec -IciRL cos t输出功率：Po =

7、半=印。=1I2RL =察 22222Rl总功率：P=Ic0Ec耗散功率：Pc =P=-Po效率 n =% =- .L U =1 .边 幺=觉 P= 2 Ic0 Ec 2 二。(? Ec 2.丙类功放的动态特性曲线ic =gm(Ubcos-，t Eb -Eb) =gmUb(cos-，t cosu)Uce =Ec -Uccos -t功放有3种工作状态即欠压状态、临界状态和过压状态.外部特性*负载特性* 振幅特性*集电极调制特性0 过压区1 欠压区第四章.反馈型振荡器由放大器和反馈网络 2部分组成:.振荡器的平衡条件: kL J、一 丁（心）=KF W振幅平衡条件）=”），二n二相位平衡条件.振荡

8、器的起振条件:T(s) =K(s) F(s) 1.T.振荡器的稳定条件:Ui=UiA ： 0KU =U , 0 或Ui0或叁“iAUi.三点式振荡器的组成原则是“射同余异”.三点式振荡器由2种基本电路即电容反馈振荡器和电感反馈振荡器:(a)TLC2(b).准确度指振荡器实际工作时的频率和标称频率之间的偏差，稳定度指在一定的时间间隔内振荡器实际频率的相对变化;8.9、十的和q是影响振荡器频率不稳定的3个主要因素;9.石英晶体振荡器可分为并联晶体振荡器（石英晶体工作在串联和并联谐振频 率之间，相当于一个电感并和其它电抗元件一同构成并联谐振回路）和串联晶体 振荡器（工作在串联谐振频率附近，谐振时相当

9、于一个低阻值的短路线）o第五章.频谱搬移电路的输出信号和输入信号频率不同（即产生了新的频率分量），因此 必须采用非线性电路实现；.寻求非线性曲线近似函数的方法很多（化无限项为有限项），如幕级数展开法 （泰勒级数）、折线分析法、线性时变电路分析法：i(t) ： f(UQU2) f (UqU2) ui=l0(t) g(t) u(t)iD(t) = gDK( 2t)U1(t)U2(t)2222-cos-，2t cos3，2t- cos5-，2t- ，J1)cos(2n -1)-.2t 二3 二5 二(2n_1)二iL = 2gDK( 2t)UiAUo(t)= K( 2t)Ui(t)DIiL =2gD

10、K(-2t)Ui(t)444n 14K ( 2t)cos ,2t一cos3；.-：2t,cos5,，2t- (-1)cos(2n1)，2t,二3 二5 二(2n1)二io(t) = Io(1 ,uB ) tanha)Uee2%CRtanh，；)第六章1.标准调幅?时域表达式Uc(t)=Uc cos，ct： Uc kaU =Uc kaU gosm： Uam =Uc kaU COSECOS .ctnUam (t) =UJ1+kUCcosGtcoscOct =UJ1+mcosCtcos8ct Uc?时域波形?调制模型?频谱巾见Bam =2fmax?功率U2*载波功率：Pc=J2R2*边带功率：Ps=

11、m-Pc22*调制信号一个周期内的平均功率：.Pc*载波一个周期内的平均功率:P = Pc 1 mcos1 42 2Pmax = Pc(1 m)2.*Pc(1-m)2?效率一艮_mm12Pav(2m2)32.抑制载波的双边带调幅?时域表达式uAM (t) =Uc1 mcos1 cos ct =Uccos ct Ucmcos 什 cos ct= uDSB(t) =Ucmcos， cos ct = kcosJt cos ct = ku (t) uc(t)时域波形?调制模型?频谱DSD网t)f Hz八300 3400 同r r?市范：BDSB = BAM功率：PDsb=R效率：=100%3.抑制载波

12、的单边带调幅?时域表达式Ussb=Ucos %t u -sin ct u 】(t)入Ussb下(t) =Ucos -ct u sin ct u(t)?时域波形?调制模型?频谱?市见：I下这串频谱】BSSB = fmax!(4?功率：Rsb = PSSB S效率：=100%4.AM调制电路?高电平调制（功放电路）集电极调制时功放应工作在 过压状态，基极调制时功放应工作在 欠压状态1?低电平调制（第五章频谱搬移电路122 ciD(t) =gD k( ct)Uc(t) u(t)=gD(2 二 cos ct - 37 cos3 ct =g2D Uc 辿 cos ct Uc(t) -图 cos3 %t

13、Uc(t)Ucu(t)六兀2gDJIcos ct u,。二号山十?。0”5. DSB调制电路（第五章频谱搬移电路）12.2k(t) =2gD k( J) u (t) =2gD( cos ct - cos3 ,J )u (t) 2 ：,3：.= gDU&t) +-D cos0ct ut)蛾D cos3o ct Uft) +4gD=io(t)cos ct U (t).二极管峰值包络检波器?传输系数（检波效率）kd nUo = cos1?输入阻抗*底部切割失真m=RR=.混频器的干扰?信号与本振的组合所产生的干扰（即干扰哨声）fc 二 P -1fi p -q提高前端电路的选择性无法抑制这种干扰。?外

14、来干扰与本振组合产生的干扰*中频干扰，一阶干扰*镜像干扰，二阶干扰提高前端选择性可加以抑制。?交叉调制干扰有用信号如果消失则干扰也会消失且任何频率的强干扰均有可能形成这种干扰， 提高前端电路的选择性有助于抑制这种干扰。?互调干扰两个或多个干扰信号同时作用于混频器的输入端，经混频器的非线性作用产生近 似中频的组合分量，从而对真正的中频信号形成干扰。第七章1.频率调制（单音调制）?时域表达式-c= -(t) = c kf u (t) = ckf Uj os.n=c ：cost ktt二 q(t)=. dt= c kf00kf UU, cos1,1 dt = ct -TYsimjt = ct mf sin-, tt=Ufm (t) =Ucos ct mf sin 4t=Ufm (t) =Uccos ct kf f(t)dt0其中的kf称为调频灵敏度，tom =kf Uc称为最大角频偏