集成电路封装知识-电子元器件网-电子元件设计选型、电子

1、.：.；集成电路封装知识 电子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片消费完成后不可短少的一道工序，是器件到系统的桥梁。封装这一消费环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法以为，在微电子器件的总体本钱中，设计占了三分之一，芯片消费占了三分之一，而封装和测试也占了三分之一，真可谓三分天下有其一。封装研讨在全球范围的开展是如此迅猛，而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的；封装所涉及的问题之多之广，也是其它许多领域中少见的，它需求从资料到工艺、从无机到聚合物、从大型消费设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力，是一门综合性非常

2、强的新型高科技学科。 什么是电子封装 (electronic packaging)? 封装最初的定义是：维护电路芯片免受周围环境的影响包括物理、化学的影响。所以，在最初的微电子封装中，是用金属罐 (metal can) 作为外壳，用与外界完全隔离的、气密的方法，来维护脆弱的电子组件。但是，随着集成电路技术的开展，尤其是芯片钝化层技术的不断改良，封装的功能也在渐渐异化。通常以为，封装主要有四大功能，即功率分配、信号分配、散热及包装维护，它的作用是从集成电路器件到系统之间的衔接，包括电学衔接和物理衔接。目前，集成电路芯片的 I/O 线越来越多，它们的电源供应和信号传送都是要经过封装来实现与系统的衔

3、接；芯片的速度越来越快，功率也越来越大，使得芯片的散热问题日趋严重；由于芯片钝化层质量的提高，封装用以维护电路功能的作用其重要性正在下降。电子封装的类型也很复杂。从运用的包装资料来分，我们可以将封装划分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装；从成型工艺来分，我们又可以将封装划分为预成型封装 (pre-mold) 和后成型封装 post-mold ；至于从封装外型来讲，那么有 SIP(single in-line package) 、 DIP(dual in-line package) 、 PLCC(plastic-leaded chip carrier) 、 PQFP(plastic quad fla

4、t pack) 、 SOP(small-outline package) 、 TSOP(thin small-outline package) 、 PPGA(plastic pin grid array) 、 PBGA(plastic ball grid array) 、 CSP (chip scale package) 等等；假设按第一级衔接到第二级衔接的方式来分，那么可以划分为 PTH (pin-through-hole) 和 SMT surface-mount-technology 二大类，即通常所称的插孔式或通孔式和外表贴装式。 金属封装是半导体器件封装的最原始的方式，它将分立器件或集

5、成电路置于一个金属容器中，用镍作封盖并镀上金。金属圆形外壳采用由可伐合金资料冲制成的金属底座，借助封接玻璃，在氮气维护气氛下将可伐合金引线按照规定的布线方式熔装在金属底座上，经过引线端头的切平和磨光后，再镀镍、金等惰性金属给与维护。在底座中心进展芯片安装和在引线端头用铝硅丝进展键合。组装完成后，用 10 号钢带所冲制成的镀镍封帽进展封装，构成气密的、巩固的封装构造。金属封装的优点是气密性好，不受外界环境要素的影响。它的缺陷是价钱昂贵，外型灵敏性小，不能满足半导体器件日益快速开展的需求。如今，金属封装所占的市场份额已越来越小，几乎已没有商品化的产品。少量产品用于特殊性能要求的军事或航空航天技术中

6、。 陶瓷封装是继金属封装后开展起来的一种封装方式，它象金属封装一样，也是气密性的，但价钱低于金属封装，而且，经过几十年的不断改良，陶瓷封装的性能越来越好，尤其是陶瓷流延技术的开展，使得陶瓷封装在外型、功能方面的灵敏性有了较大的开展。目前， IBM 的陶瓷基板技术曾经到达 100 多层布线，可以将无源器件如电阻、电容、电感等都集成在陶瓷基板上，实现高密度封装。陶瓷封装由于它的杰出性能，在航空航天、军事及许多大型计算机方面都有广泛的运用，占据了约 10 左右的封装市场从器件数量来计。陶瓷封装除了有气密性好的优点之外，还可实现多信号、地和电源层构造，并具有对复杂的器件进展一体化封装的才干。它的散热性

7、也很好。缺陷是烧结装配时尺寸精度差、介电系数高不适用于高频电路，价钱昂贵，普通主要运用于一些高端产品中。 相对而言，塑料封装自七十年代以来开展更为迅猛，已占据了 90 封装数量以上的封装市场份额，而且，由于塑料封装在资料和工艺方面的进一步改良，这个份额还在不断上升。塑料封装最大的优点是价钱廉价，其性能价钱比非常优越。随着芯片钝化层技术和塑料封装技术的不断提高，尤其是在八十年代以来，半导体技术有了革命性的改良，芯片钝化层质量有了根本的提高，使得塑料封装虽然仍是非气密性的，但其抵抗潮气侵入而引起电子器件失效的才干已大大提高了，因此，一些以前运用金属或陶瓷封装的运用，也已渐渐被塑料封装所替代。 SI

8、P 是从封装体的一边引出管脚。通常，它们是通孔式的，管脚插入印刷电路板的金属孔内。这种方式的一种变化是锯齿型单列式封装 (ZIP) ，它的管脚仍是从封装体的一边伸出 ，但陈列成锯齿型。这样，在一个给定的长度范围内，提高了管脚密度。 SIP 的吸引人之 处在于它们占据最少的电路板空间，但在许多体系中，封锁式的电路板限制了 SIP 的高度 和运用。 DIP 封装的管脚从封装体的两端直线式引出。 DIP 的外形通常是长方形的，管脚从长的一边伸出。绝大部分的 DIP 是通孔式，但亦可是外表贴装式。对 DIP 来说，其管脚数通常在 8 至 64 8 、 14 、 16 、 18 、 20 、 22 、

9、24 、 28 、 40 、 48 、 52 和 64 之间，其中， 24 至 40 管脚 数的器件最常用于逻辑器件和处置器，而 14 至 20 管脚的多用于记忆器件，主要取决于记 忆体的尺寸和外形。 当器件的管脚数超越 48 时， DIP 构造变得不适用并且浪费电路板空间。称为芯片载体 (ch ip carrier) 或 quad 的封装，四边都有管脚，对高引脚数器件来说，是较好的选择。之所 以称之为芯片载体，能够是由于早期为维护多引脚封装的四边引脚，绝大多数模块是封 装在预成型载体中。而后成型技术的提高及塑料封装可靠性的提高，已使高引脚数四边 封装成为常规封装技术。其它一些缩写字可以区分能

10、否有引脚或焊盘的互连，或是塑料 封装还是陶瓷封装体。诸如 LLC(lead chip carrier) ， LLCC(leadless chip carrier) 用 于区分管脚类型。 PLCC(plastic leaded chip carrier) 是最常见的四边封装。 PLCC 的管 脚间距是 0.050 英寸，与 DIP 相比，其优势是显而易见的。 PLCC 的引脚数通常在 20 至 84 之间 20 、 28 、 32 、 44 、 52 、 68 和 84 。 还有一种划分封装类型的参数是封装体的紧凑程度。小外形封装通常称为 SO ， SOP 或 SOI C 。它封装的器件相对于它

11、的芯片尺寸和所包含的引脚数来说，在电路板上的印迹 (foot print) 是出乎寻常的小。它们能到达如此的紧凑程度是由于其引脚间距非常小，框架特 殊设计，以及模块厚度极薄。在 SO 封装构造中，两边或四边引脚设计都有。这些封装的 特征是在芯片周围的模封料及其薄，因此， SO 封装开展和可靠性的关键是模封料在防止 开裂方面的性能。 SOP 的引脚数普通为 8 、 14 和 16 。 四方扁平封装 QFP 其实是微细间距、薄体 LCC ，在正方或长方形封装的周围都有引脚。其管脚间距比 PLCC 的 0.050 英寸还要细，引脚呈欧翅型与 PLCC 的 J 型不同。 QFP 可以是塑料封装，可以是

12、陶瓷封装，塑料 QFP 通常称为 PQFP 。 PQFP 有二种主要的工业规范，电子工业协会 (EIA) 的衔接电子器件委员会 (Joint Electronic Device Committee, JEDEC) 注册的 PQFP 是角上有凸缘的封装，以便在运输和处置过程中维护引脚。在一切的引脚数和各种封装体尺寸中，其引脚间距是一样的，都为 0.025 英寸。日本电子工业协会 (EIAJ) 注册的 PQFP 没有凸缘，其引脚间距用米制单位，并有三种不同的间距： 1.0mm ， 0.8mm 和 0.65mm ，八种不同的封装体尺寸，从 10mm*10mm 到 40mm*40mm ，不规那么地分布

13、到三种不同的引脚间距上，提供十五种不同的封装方式，其引脚数可达 232 个。随着引脚数的添加，还可以添加封装的类型 ? 同一模块尺寸可以有不同的引脚数目，是封装技术的一个重要进展，这意味着同一模具、同一切筋打弯工具可用于一系列引脚数的封装。但是， EIAJ 的 PQFP 没有凸缘，这能够会引起费事，由于在运输过程中，必需把这些已封装好的器件放在一个特别设计的运输盒中，而 JEDEC 的 PQFP 只需置于普通的管子里就可以运输，由于凸缘可以使它们防止相互碰撞。 EIAJ 的 PQFP 的长方形构造还为未来高引脚数封装的互连密度带来益处。当引脚数大于 256 时，在 0.100 英寸间距的电路板

14、上，长方形外形可到达较高的互连密度，这是由于周边的一些引脚可以经过模块下的通孔转换成平面引脚，到达 PGA 的互连密度。在正方形构造中，并非一切模块下的通孔均可以插入，必需有一些芯片的衔接要转换到模块外形的外面，提高其有效互连面积。长方形构造可以使短边引脚数少于 64 个、引脚间距不大于 0.025 英寸 (1mm) 的一切引脚都插入模块底下的通孔中。 PQFP 最常见的引脚数是 84 、 100 、 132 、 164 和 196 。 当引脚数目更高时，采用 PQFP 的封装方式就不太适宜了，这时， BGA 封装应该是比较好的 选择，其中 PBGA 也是近年来开展最快的封装方式之一。 BGA

15、 封装技术是在模块底部或上表 面焊有许多球状凸点，经过这些焊料凸点实现封装体与基板之间互连的一种先进封装技 术。广义的 BGA 封装还包括矩栅阵列 (LGA) 和柱栅阵列 (CGA) 。矩栅阵列封装是一种没有焊 球的重要封装方式，它可直接安装到印制线路板 (PCB) 上，比其它 BGA 封装在与基板或衬 底的互连方式要方便得多，被广泛运用于微处置器和其它高端芯片封装上。 BGA 技术在二 十世纪九十年代中期开场运用，如今已成为高端器件的主要封装技术，同时，它仍处于上升期，开展空间还相当大。目前用于 BGA 封装的基板有 BT 树脂、柔性带、陶瓷、 FR-5 等等。在 BGA 封装中，基板本钱要

16、占总本钱的 80 左右。 BT 树脂是 BGA 封装中运用最广的基板，同时，随着 BGA 封装在整个 IC 封装市场位置的不断提高，也导致对基板资料数量和种类的需求不断增长。 综上所述，电子封装技术所涉及的范围相当广泛，本培训课程不能够一一详述。在本节 中，将引见最普遍的塑料封装技术及相关的一些资料。 普通所说的塑料封装，如无特别的阐明，都是指转移成型封装 (transfer molding) ，封 装工序普通可分成二部分：在用塑封料包封起来以前的工艺步骤称为装配 (assembly) 或 前道操作 (front end operation) ，在成型之后的工艺步骤称为后道操作 (back e

17、nd operation) 。在前道工序中，净化室级别为 100 到 1,000 级。有些成型工序也在净化室中进展 ，但是，机械水压机和预成型品中的粉尘，很难使净化室到达 10,000 级以上。普通来讲 ，随着硅芯片越来越复杂和日益趋向微型化，将使更多的装配和成型工序在粉尘得到控 制的环境下进展。转移成型工艺普通包括晶圆减薄 (wafer ground) 、晶圆切割 (wafer d icing or wafer saw) 、芯片贴装 (die attach or chip bonding) 、引线键合 (wire bon ding) 、转移成型 (transfer molding) 、后固化

18、 (post cure) 、去飞边毛刺 (deflash) 、上焊锡 (solder plating) 、切筋打弯 (trim and form) 、打码 (marking) 等多道工序。下面 ，将对各个工序作简单的引见。 晶圆减薄是在专门的设备上，从晶圆反面进展研磨，将晶圆减薄到适宜封装的程度。由 于晶圆的尺寸越来越大从 4 英寸、 5 英寸、 6 英寸，开展到 8 英寸、甚至 12 英寸，为了添加晶圆的机械强度，防止晶圆在加工过程中发生变形、开裂，晶圆的厚度也不断在增 加。但是，随着系统朝轻薄短小的方向开展，芯片封装后模块的厚度变得越来越薄，因此，在封装之前，一定要将晶圆的厚度减薄到可以接

19、受的程度，以满足芯片装配的要求 。如 6 英寸晶圆，厚度是 675 微米左右，减薄后普通为 150 微米。在晶圆减薄的工序中，受力的均匀性将是关键，否那么，晶圆很容易变形、开裂。 晶圆减薄后，可以进展划片 (saw ing or dicing) 。较老式的划片机是手动操作的，如今，普通的划片机都已实现全自动化。划片机同时配备脉冲激光束、钻石尖的划片工具或是包金刚石的锯刀。无论是部分划线还是完全分割硅片，锯刀都是最好的，由于它划出的边缘整齐，很少有碎屑和裂口产生。硅芯片经常称为 die ，也是由于这个装配工序 die 的原意是骰子，即小块的方形物，划开后的芯片普通是很小的方形体，很象散落一地的骰

20、子。已切割下来的芯片要贴装到框架的中间焊盘 (die-paddle) 上。焊盘的尺寸要和芯片大小相匹配，假设焊盘尺寸太大，那么会导致引线跨度太大，在转移成型过程中会由于流动产生的应力而呵斥引线弯曲及芯片位移景象。贴装的方式可以是用软焊料指 Pb-Sn 合金，尤其是含 Sn 的合金、 Au-Si 低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中最常用的方法是运用聚合物粘结剂 (polymer die adhesive) 粘贴到金属框架上。常用的聚合物是环氧 (epoxy) 或聚酰亚胺 polyimide ，以 Ag 颗粒或薄片或 Al2O3 作为填充料 filler ，填充量普通在 75 到 80 之间，

21、其目的是改善粘结剂的导热性，由于在塑料封装中，电路运转过程中产生的绝大部分热量将经过芯片粘结剂 框架分发出去。用芯片粘结剂贴装的工艺过程如下：用针筒或注射器将粘结剂涂布到芯片焊盘上要有适宜的厚度和轮廓，对较小芯片来讲，内圆角形可提供足够的强度，但不能太接近芯片外表，否那么会引起银迁移景象，然后用自动拾片机机械手将芯片准确地放置到芯片焊盘的粘结剂上面。对于大芯片，误差 25 微米 1 mil ，角误差 0.3 。对 15 到 30 微米厚的粘结剂，压力在 5N/cm2 。芯片放置不当，会产生一系列问题：如空洞呵斥高应力；环氧粘结剂在引脚上呵斥搭桥景象，引起内衔接问题；在引线键合时呵斥框架翘曲，使

22、得一边引线应力大，一边引线应力小，而且为了找准芯片位置，还会使引线键合的消费力降低，废品率下降。聚合物粘结剂通常需求进展固化处置，环氧基质粘结剂的固化条件普通是 150C ， 1 小时也有用 186C ， 0.5 小时固化条件的。聚酰亚胺的固化温度要更高一些，时间也更长。详细的工艺参数可经过差分量热仪 Differential Scanning Calorimetry, DSC 实验来确定。 在塑料封装中，引线键合是主要的互连技术，虽然如今已开展了 TAB(tape automated bonding) 、 FC(flip chip) 等其它互连技术，但占主导位置的技术依然是引线键合技术。在塑

23、料封装中运用的引线主要是金线，其直径普通在 0.025mm 到 0.032mm(1.00mil 到 1.25 mil) 。引线的长度常在 1.5mm 到 3mm (60mil 到 120mil) 之间，而弧圈的高度可比芯片所在平面到 0.75mm(30mil) 。键合技术有热压焊 (thermocompression) ，热超声焊 (thermosonic) 等。这些技术的优点是容易构成球形所谓的球焊技术， ball bonding ，并且可以防止金线氧化。为了降低本钱，也在研讨用其它金属丝，如铝、铜、银、钯等来替代金丝键合。热压焊的条件是二种金属外表紧紧接触，控制时间、温度、压力，使得二种金

24、属发生衔接。外表粗糙不平整、有氧化层构成或是有化学沾污、吸潮等都会影响到键合效果，降低键合强度。热压焊的温度在 300C 到 400C ，时间普通为 40 毫秒通常，加上寻觅键合位置等程序，键合速度是每秒二线。超声焊的优点是可防止高温，由于它用 20 到 60 KHz 的超声振动提供焊接所需的能量，所以，焊接温度可以降低一些。超声焊是所谓的楔焊 wedge bonding 而不是球焊 ball bonding ，在引线与焊盘衔接后，再用夹具或利刃切断引线 clamp tear or table tear 。楔焊的缺陷是必需旋转芯片和基座，以使它们一直处于楔焊方向上，所以，楔焊的速度就必需放慢。

25、它的优点是焊接面积与引线面积相差不大，可以用于微细间距 (fine pitch) 的键合。将热和超声能量同时用于键合，就是所谓的热超声焊。与热压焊相比，热超声焊最大的优点是将键合温度从 350 降到 250 左右也有人以为可以用 100 到 150 的条件，这可以大大降低在铝焊盘上构成 Au-Al 金属间化合物的能够性，延伸器件寿命，同时降低了电路参数的漂移。在引线键合方面的改良主要是由于需求越来越薄的封装，有些超薄封装的厚度仅有 0.4 毫米左右。所以，引线环 loop 从普通的 8 至 12 密尔 200 到 300 微米减小到 4 至 5 密尔 100 到 125 微米，这样，引线的张力

26、就很大，引线绷得很紧。楔焊的优点是可以用于微细间距焊盘上，适宜于高密度封装，它甚至可用于焊盘间距小于 75 微米的键合，而假设采用球焊，那么 1 密尔 25 微米的金丝，其球焊的直径在 2.5 到 4 密尔 63 至 102 微米之间，要比楔焊大得多。 塑料封装的成型技术也有许多种，包括转移成型技术、放射成型技术 inject molding 、预成型技术 premolding 等，但最主要的成型技术是转移成型技术 (transfer molding) 。转移成型运用的资料普通为热固性聚合物 (thermosetting polymer) 。所谓的热固性聚合物是指在低温时，聚合物是塑性的或流动

27、的，但当将其加热到一定温度时，即发生所谓的交联反响 (cross-linking) ，构成刚性固体。再将其加热时，只能变软而不能够熔化、流动。在塑料封装中运用的典型成型技术的工艺过程如下：将已贴装好芯片并完成引线键合的框架带置于模具中，将塑封料的预成型块在预热炉中加热预热温度在 90 到 95 之间，然后放进转移成型机的转移罐中。在转移成型活塞的压力之下，塑封料被挤压到浇道中，并经过浇口注入模腔在整个过程中，模具温度坚持在 170 到 175 左右。塑封料在模具中快速固化，经过一段时间的保压，使得模块到达一定的硬度，然后用顶杆顶出模块，成型过程就完成了。用转移成型法密封微电子器件，有许多优点。

28、它的技术和设备都比较成熟，工艺周期短，本钱低，几乎没有后整理 finish 方面的问题，适宜于大批量消费。当然，它也有一些明显的缺陷：塑封料的利用率不高在转移罐、壁和浇道中的资料均无法反复运用，约有 20 到 40 的塑封料被浪费；运用规范的框架资料，对于扩展转移成型技术至较先进的封装技术如 TAB 等不利；对于高密度封装有限制。 对于大多数塑封料来说，在模具中保压几分钟后，模块的硬度足可以到达允许顶出，但是，聚合物的固化聚合并未全部完成。由于资料的聚合度固化程度剧烈影响资料的玻璃化转变温度及热应力，所以，促使资料全部固化以到达一个稳定的形状，对于提高器件可靠性是非常重要的，后固化就是为了提高

29、塑封料的聚合度而必需的工艺步骤，普通后固化条件为 170 到 175 ， 2 至 4 小时。目前，也开展了一些快速固化 fast cure molding compound 的塑封料，在运用这些资料时，就可以省去后固化工序，提高消费效率。 在封装成型过程中，塑封料能够会从二块模具的合缝处渗出来，流到模块外的框架资料上。假设是塑封料只在模块外的框架上构成薄薄的一层，面积也很小，通常称为树脂溢出 resin bleed 。假设渗出部分较多、较厚，那么称为毛刺 flash 或是飞边毛刺 flash and strain 。呵斥溢料或毛刺的缘由很复杂，普通以为是与模具设计、注模条件及塑封料本身有关。毛

30、刺的厚度普通要薄于 10 微米，它对于后续工序如切筋打弯等工艺带来费事，甚至会损坏机器。因此，在切筋打弯工序之前，要进展去飞边毛刺工序 deflash 。随着模具设计的改良，以及严厉控制注模条件，毛刺问题越来越不严重了，在一些比较先进的封装工艺中，已不再进展去飞边毛刺的工序了。去飞边毛刺工序工艺主要有：介质去飞边毛刺 (media deflash) 、溶剂去飞边毛刺 (solvent deflash) 、水去飞边毛刺 (water deflash) 。另外，当溢料发生在框架堤坝 (dam bar) 背后时，可用所谓的 dejunk 工艺。其中，介质和水去飞边毛刺的方法用得最多。用介质去飞边毛刺

31、时，是将研磨料，如粒状的塑料球和高压空气一同冲洗模块。在去飞边毛刺过程中，介质会将框架引脚的外表细微擦毛，这将有助于焊料和金属框架的粘连。在以前曾有用天然的介质，如粉碎的胡桃壳和杏仁核，但由于它们会在框架外表残留油性物质而被放弃。用水去飞边毛刺工艺是利用高压的水流来冲击模块，有时也会将研磨料和高压水流一同运用。用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于很薄的毛刺。溶剂包括 N 甲基吡咯烷酮 NMP 或双甲基呋喃 DMF 。对封装后框架外引脚的后处置可以是电镀 (solder plating) 或是浸锡 (solder dipping) 工艺，该工序是在框架引脚上作维护性镀层，以添加其抗蚀性，并添加其可焊性

32、。电镀目前都是在流水线式的电镀槽中进展，包括首先进展清洗，然后在不同浓度的电镀槽中进展电镀，最后冲淋、吹干，然后放入烘箱中烘干。浸锡也包括清洗工序，然后放到助焊剂 flux 中进展浸泡，再放入熔融的焊锡中浸泡，最后用热水冲淋。焊锡的成分普通是 63Sn/37Pb 。这是一种低共交融金，其熔点在 183 184 之间。也有用成分为 85Sn/15Pb 、 90Sn/10Pb 、 95Sn/5Pb 的，有的日本公司甚至用 98Sn/2Pb 的焊料。减少铅的用量，主要是出于环境的思索，由于铅对环境的影响正日益引起人们的高度注重。而镀钯工艺，那么可以防止铅的环境污染问题。但是，由于通常钯的粘结性并不太

33、好，需求先镀一层较厚的、致密的、富镍的阻挠层。钯层的厚度仅为 76 微米 3 密尔。由于钯层可以接受成型温度，所以，可以在成型之前完成框架的上焊锡工艺。并且，钯层对于芯片粘结和引线键合都适用，可以防止在芯片粘结和引线键合之前必需对芯片焊盘和框架内引脚进展选择性镀银以添加其粘结性，由于镀银时所用的电镀液中含有氰化物，给平安消费和废弃物处置带来费事。 切筋打弯其实是二道工序，但通常同时完成。所谓的切筋工艺，是指切除框架外引脚之间的堤坝 dam bar 以及在框架带上连在一同的地方；所谓的打弯工艺那么是将引脚弯成一定的外形，以适宜装配 assembly 的需求。对于打弯工艺，最主要的问题是引脚的变形

34、。对于 PTH 装配要求来讲，由于引脚数较少，引脚又比较粗，根本上没有问题。而对 SMT 装配来讲，尤其是高引脚数目框架和微细间距框架器件，一个突出的问题是引脚的非共面性 lead non coplanarity 。呵斥非共面性的缘由主要有二个：一是在工艺过程中的不恰当处置，但随着消费自动化程度的提高，人为要素大大减少，使得这方面的问题几乎不复存在；另一个缘由是由于成型过程中产生的热收缩应力。在成型后的降温过程中，一方面由于塑封料在继续固化收缩，另一方面由于塑封料和框架资料之间热膨胀系数失配引起的塑封料收缩程度要大于框架资料的收缩，有能够呵斥框架带的翘曲，引起非共面问题。所以，针对封装模块越来

35、越薄、框架引脚越来越细的趋势，需求对框架带重新设计，包括资料的选择、框架带长度及框架外形等，以抑制这一困难。 打码就是在封装模块的顶外表印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码等，主要是为了识别并可跟踪。打码的方法有多种，其中最常用的是印码 print 方法。它又包括油墨印码 (ink marking) 和激光印码 (laser marking) 二种。运用油墨来打码，工艺过程有点象敲橡皮图章，由于普通确实是用橡胶来刻制打码所用的标识。油墨通常是高分子化合物，经常是基于环氧或酚醛的聚合物，需求进展热固化，或运用紫外光固化。运用油墨打码，主要是对模块外表要求比较高，假

36、设模块外表有沾污景象，油墨就不易印上去。另外，油墨比较容易被擦去。有时，为了节省消费时间和操作步骤，在模块成型之后首先进展打码，然后将模块进展后固化，这样，塑封料和油墨可以同时固化。此时，特别要留意在后续工序中不要接触模块外表，以免损坏模块外表的印码。粗糙外表有助于加强油墨的粘结性。激光印码是利用激光技术在模块外表刻写标识。激光源经常是 CO2 或 Nd:YAG 。与油墨印码相比，激光印码最大的优点是不易被擦去，而且，它也不涉及油墨的质量问题，对模块外表的要求相对较低，不需求后固化工序。激光印码的缺陷是它的字迹较淡，即，与没有打码的背底之间衬度差别不如油墨打码那样明显。当然，可以经过对塑封料着

37、色剂的改良来处理这个问题。总的来讲，在目前的封装工艺中，越来越多的制造商选择运用激光打码技术，尤其是在高性能产品中。 器件装配的方式有二种，一种是所谓的波峰焊 wave soldering ，另一种是所谓的回流焊 reflow soldering 。波峰焊主要用在插孔式 PTH 封装类型器件的装配，而外表贴装式 SMT 及混合型器件装配那么大多运用回流焊。波峰焊是早期开展起来的一种 PCB 板上元器件装配工艺，如今曾经较少运用。波峰焊的工艺过程包括上助焊剂、预热及将 PCB 板在一个焊料峰 solder wave 上经过，依托外表张力和毛细管景象的共同作用将焊料带到 PCB 板和器件引脚上，构

38、成焊接点。在波峰焊工艺中，熔融的焊料被一股股放射出来，构成焊料峰，故有此名。目前，元器件装配最普遍的方法是回流焊工艺 reflow soldering ，由于它适宜外表贴装的元器件，同时，也可以用于插孔式器件与外表贴装器件混合电路的装配。由于如今的元器件装配大部分是混合式装配，所以，回流焊工艺的运用更为广泛。回流工艺看似简单，其实包含了多个工艺阶段：将焊膏 solder paste 中的溶剂蒸发掉；激活助焊剂 flux ，并使助焊作用得以发扬；小心地将要装配的元器件和 PCB 板进展预热；让焊料熔化并润湿一切的焊接点；以可控的降温速率将整个装配系统冷却到一定的温度。回流工艺中，器件和 PCB

39、板要经受高达 210 到 230 的高温，同时，助焊剂等化学物质对器件都有腐蚀性，所以，装配工艺条件处置不当，也会呵斥一系列的可靠性问题。 封装质量必需是封装设计和制造中压倒一切的思索要素。质量低劣的封装可危害集成电路器件性能的其它优点，如速度、价钱低廉、尺寸小等等。封装的质量低劣是由于从价钱上思索比从到达高封装质量更多而呵斥的。现实上，塑料封装的质量与器件的性能和可靠性有很大的关系，但封装性能更多取决于封装设计和资料选择而不是封装消费，可靠性问题却与封装消费亲密相关。 在完成封装模块的打码 marking 工序后，一切的器件都要 100 进展测试，在完成模块在 PCB 板上的装配之后，还要进

40、展整块板的功能测试。这些测试包括普通的目检、老化实验 burn-in 和最终的产品测试 final testing 。老化实验是对封装好的电路进展可靠性测试 reliability test ，它的主要目的是为了检出早期失效的器件，称为 infant mortality 。在该时期失效的器件普通是在硅制造工艺中引起的缺陷即，它属于坏芯片，但在片上测试时并未发现。在老化实验中，电路插在电路板上，加上偏压，并放置在高温炉中。老化实验的温度、电压负载和时间都因器件的不同而不同，同一种器件，不同的供应商也能够运用不同的条件。但比较通用的条件是在 125 到 150 温度下，通电电压在 6.2 到 7.

41、0 伏普通高出器件任务电压 20 到 40 通电测试 24 到 48 小时。 为了了解集成电路器件的运用寿命和可靠性，除了上述的老化实验外，常用加速实验使器件在较短的时间里失效，并进展失效机理分析，以便尽快找到失效缘由，改良设计或工艺条件，提高器件的寿命和可靠性。加速实验 accelerated test 是可靠性测试中的一种，普通选择一个或几个能够引起器件失效的加速因子，如潮气、温度、溶剂、光滑剂、沾污、普通的环境应力和剩余应力等，模拟器件在实践运用过程中能够遇到的运用环境。对绝大多数集成电路产品来讲，最短的任务时间也有好几年，但是，制造的时间却很短，因此，在常规操作条件下做资质实验 qua

42、lification test 是不太实践的，也是不经济的。对于运用寿命很长、可靠性很高的产品来讲，在 60 的置信度 confidence level 条件下，以每千小时 0.1 的失效速率即 103FIT ， failure unit 测试产品，那么无失效时间长达 915,000 小时，即假设器件样本数为 915 ，那么要测试 1,000 小时才会有一个器件失效；假设器件的样本数为 92 ，那么要测试 10,000 小时才会有一个器件失效，这样的测试即不经济又费时，因此，必需在加速运用条件下进展测试。由于失效是随时间分布的，所以，在分析失效速度时要用到许多统计的方法，包括根据辅助可靠性要求

43、设计的置信度和样本数。加速实验包括以下步骤：选择加速力；确定加速力的强度；设计测试程序，确定单重加速还是多重加速；将测试数据外推到实践操作条件。在选择加速力时尤其要特别小心，由于加速实验的目的是在于让确实存在的缺陷提早暴显露来，而不是为了诱导产生新的缺陷或让存在的缺陷逃脱。加速力选择要与器件可靠性要求严密关联，否那么能够对改良设计、资料选择、工艺参数确定等方面产生误导作用。不同的器件，其运用条件和可靠性要求不同，需求设计不同的加速实验，以便实验数据能真正反映器件的正常寿命，为改良设计或工艺提供可靠的实验根据。 在加速实验进展过程中，通常会在不同的时间里对实验样品进展电学性能测试，测试经过的样品

44、继续进展实验，测试没有经过的样品，那么要进展失效分析。器件电学性能测试异常，通常有三种情况：开路、短路、电参数漂移。 器件失效经常有二种情况，一种是所谓的过载 overstress ，另一种是破损 wearout 。前一种的失效是瞬时的、灾难性的，后一种是累积的，漫长的，首先表如今器件性能的衰退，然后才是器件失效。引起器件失效的机理有多种，但常与金属部件的锈蚀联络在一同，呵斥锈蚀的缘由包括机械、热、电学、辐射、化学 mechanical 、 thermal 、 electrical 、 radiation 、 chemical 等诱导要素。在机械方面，包括普通的冲击、振动如汽车发动机罩下面的电

45、子安装、填充料颗粒在硅芯片上产生的应力、惯性力如加农炮外壳在发射时引信遭到的力等，这些负荷对资料和构造的呼应有弹性形变、塑性形变、弯曲 buckle 、脆性或柔性断裂 fracture 、界面分层、疲劳裂痕产生及增殖、蠕变 creep 及蠕变开裂等；在热学方面，包括芯片粘结剂固化时的放热、引线键合前的预加热、成型工艺、后固化、临近元器件的重新加工 rework 、浸锡、波峰焊、回流焊等，热负荷呵斥的影响在于资料的热膨胀，由于资料之间的 CTE 失配，引起部分应力，导致失效；在电学方面，忽然的电冲击如汽车发动时的点火、由于电压不稳和电传输过程中忽然的振荡如接地不良而引起的电流动摇、静电电荷、电过

46、载或输入电压过高、电流过大，电负荷呵斥介电击穿、电压外表击穿、电能的热损耗、电迁移，还会引起电锈蚀、由于枝蔓晶生长而引起的漏电流、电热降解等；在辐射方面，封装资料中微量的放射性元素如铀、钍等放射性元素引起的 a 粒子辐射，尤其对存储器有影响，会引起器件性能下降及包封料的降聚作用，在器件外表覆盖聚酰亚胺涂层或用人工合成的填充料都是处理的途径；在化学方面，环境呵斥的锈蚀、氧化、离子外表枝蔓生长等都会引起失效，而潮湿环境下的潮气进入那么是最主要的问题，进入塑封料中的潮气，会将资料中的催化剂等其它添加剂中的离子萃取出来，生成副产品，进入芯片上的金属焊盘、半导体构造、资料的界面等，激活失效机理。另外，特

47、殊的机械失效也会影响器件性能，如双极型器件中的小信号电流增益和 MOS 器件中的互导主要受较大机械应力的影响。减小应力诱导参数变化和失效的方法之一是积极从封装设计、资料选择和工艺参数中来分配热收缩应力。 失效机理分析对于了解和改良塑料封装工艺方面的价值是无法估量的，对失效的器件进展彻底的、正规的分析，并采取适当的改良措施，可以大大提高消费力、废品率和封装质量。同时，为了保证器件的电学和力学方面的可靠性，在封装设计中失效分析也是关键的要素，而为了使失效分析到达最正确效果，一定要按部就班地进展分析，以保证不脱漏相关的信息。发现器件失效后，要找到真正引起失效的缘由或机理，并不太容易。除了封装模块的开

48、裂之外，其它失效都发生在模块之内。所以，要了解器件失效的真正缘由，必需有相应的分析手段。失效分析方法普通可分为无损检测和开封检测二种。无损检测就是借助于光、电、声等方法，在不破坏器件构造的条件下，寻觅器件失效的缘由。开封检测那么是首先翻开器件的封装部分，再借助仪器设备对失效缘由进展检测。能否要翻开包封体是在进展失效分析时要作的第一个重要的决议，一些非破坏性的分析技术，如光学显微镜、 X 射线显微术和扫描声显微镜在失效分析中已被广泛运用，由于它们可以察看器件的外部形貌或可以 穿透 包封体而 看到 封装内部的一些失效情况。但是，当封装内部缺陷尺度小于 1 微米时，就到达了这些技术的分辨率极限。在许

49、多情况下，需求翻开包封体以检测封装内部的缺陷。开封方法包括化学、机械和等离子体刻蚀等。 器件失效的分析方法有许多，包括各种价钱昂贵的专门设备，下面，将引见一些常用的分析设备。 X 射线成象术： X 射线可以穿过塑封料并对包封内部的金属部件成像，因此，它特别适用 于评价由流动诱导应力引起的引线变形和 / 或芯片焊盘的位移。在电路测试中，引线断裂的结果是开路，而引线交叉或引线压在芯片焊盘的边缘上或芯片的金属布线上，那么表现为短路。 X 射线分析还可用于评价气泡的产生和位置，塑封料中那些直径大于 1 毫米的大空洞，很容易探测到，而微束 fine focus X 射线分析仪可探测到尺寸更小的气泡。 X

50、 射线分析仪都有一个可以三维挪动的平台，并且还可以在一定范围内旋转。在 Z 轴方向上，要有足够的位移，以方便在不同位置上聚焦。在 XY 方向，平台要足够大，以方便对整条框架带进展检测而不用将模块切割下来，由于引线扭曲是朝着与转移罐同方向或远离转移罐方向开展，经常暗示着在封装资料选择、封装设计、模具设计和工艺参数确定中的缺乏，所以，需求在一次检测中同时完成一条框架带上的模块，而不是将模块从框架代上切割下来检测。用 X 射线检测芯片焊盘的位移较为困难，由于焊盘位移相对于原来的位置来说更多的是倾斜而不是平移，所以，在用 X 射线分析时必需从侧面穿过较厚的塑封料来检测。检测芯片焊盘位移更好的方法是用剖

51、面法，这已是破坏性分析了。 C SAM ： C 方式扫描超声显微镜的任务原理与普通医学上所用的 B 超很类似，只是它运用的是 C 方式。声波显微镜很快被集成电路封装研讨和失效分析实验室接受是由于它可提供封装电路内部损坏的非破坏性图像，例如封装开裂、空洞、分层等。用于检测集成电路封装的声波成像技术有好几种，但最广泛运用的方式是反射式。在该种方式中，聚集声波脉冲穿过封装模块，前往的声波回声用于内部构造的成像，这种技术就是通常所说的 C SAM ，由于它将七十年代在斯坦福大学开展起来的扫描声显微术与五十年代起就用于非破坏性测试的 C 扫描检测深度分布结合起来，充分发扬了准确分析和显示才干。由于声波是

52、物质波 matter wave ， C SAM 技术可以反映 X 射线成像术无法探测到的封装裂痕。 C SAM 的初级声波脉冲频率在 15 到 100 兆赫兹，如今，一些用于探测倒扣芯片封装缺陷的 C SAM 的频率更高达 250 兆赫兹以上。 C SAM 的空间分辨率在 50 到 400 微米之间，取决于许多要素，包括声波显微镜的频率、封装模块的厚度及塑封料对声波的吸收等。 显微镜：显微镜在封装失效分析中非常有用，许多电路中的特征和缺陷度是经过显微镜确定的。显微镜包括普通的光学显微镜和电子显微镜。光学显微镜的放大倍数从低倍、中倍到高倍都很有用，可以用于观测开封后的封装模块芯片外表缺陷，如球焊

53、的浮起，钝化层开裂等。光学显微镜最好可以同时从目镜和显示屏中察看，假设带有成像技术拍照、录象就更加理想。扫描电子显微镜 SEM 也是非常有用的失效分析工具，它可以用于察看光学显微镜无法清楚反映的问题，并可以把缺陷放大。大部分 SEM 都附带 EDX energy dispersion X-ray ，可用于探测所选区域的资料成分元素，对于外表沾污、界面分层等的分析很有协助 。透射电子显微镜 TEM 在封装失效分析中也有运用，但并不普遍。 其它分析方法：由于封装工艺中大量运用高分子资料，所以，一些高分子表征手段运用也非常广泛，如 DSC differential scanning calorime

54、try ，差分扫描量热仪、 TMA thermomechanical analysis ，热机械分析、 TGA thermogravimetric analysis ，热重分析、 DMA dynamic mechanical analysis ，动态机械分析及流变分析等，这些设备可以协助 了解和掌握高分子资料的热性能、机械力学性能和流变性能，对于工艺条件的改良是很有协助 的。另外，一些外表分析仪器如 SIMS 、 TOF SIMS 、 AES 、 XPS 、 FTIR 等在封装失效分析中也经常用到，由于在前面各章中已作了专门引见，在这里就不再反复了。 在器件失效分析中，另一种非常有用的分析方法

55、是剖面分析 cross-section 方法，即将封装模块进展切割，察看其截面情况。为了使剖面分析能真正反映失效的部位及失效方式，切割的位置和剖面制备的方法都很重要。剖面制备的方法可以经过带锯、轮锯等金刚石工具进展切割，然后用研磨、抛光等方法，对截面进展进一步的加工，以使外表更易察看。制备完成的样品可以在光学显微镜、电子显微镜等下面进展进一步的察看和分析，以获取更多的信息。但是，剖面制备过程中，也能够破坏原有的器件构造，使某些失效信息丧失，因此，在进展剖面分析之前，要进展全面的思索，拟定完好的分析方案。 随着集成电路工艺进入深亚微米时代，以金属铜替代金属铝作为晶圆上互连资料的迫切性越来越大。目

56、前，在 0.18 微米工艺中，已有一些制造商采用了铜布线，而在 0.13 微米工艺中，以铜替代铝已是不争的现实。由于封装工艺的金属互连直接与晶圆上的金属互连相接触，并经过它们构成了器件与系统的电通路，因此，晶圆布线资料的变化，将对封装工艺产生深化的影响。同时，由于芯片的特征尺寸越来越小，对引线键合工艺呵斥的压力也越来越大，由于要在如此细微的间距中进展引线键合，对于金属引线的尺寸要求和键合方法都是一种考验。因此，采用新的互连方法是独一的选择。倒装 flip chip 焊或倒扣技术就是一个非常吸引人的选择。所谓的倒扣芯片封装技术，就是将集成电路芯片的有源区面向基板的互连方式。所以，无论是引线键合还

57、是凸缘键合，只需其芯片有源区面向基板，都称为倒扣芯片技术。从目前国际上对于倒扣芯片封装工艺的研讨和运用情况来看，高互连密度、高性能器件的倒扣芯片封装技术，普遍采用以 IBM C4 技术为根本工艺，并加以一定的改良。这种技术的特点是可以到达相当高的互连密度，假设同时采用陶瓷封装工艺的话，其器件的可靠性也很高，但它的价钱亦非常昂贵，所以，它主要运用于航天航空工业及军事方面，以及一些对可靠性有特殊要求的场所。另一方面，在一些可靠性要求并不那么高，芯片的输入 / 输出端数目也并不太多，但特别强调器件尺寸大小的情况下，在印刷电路板上的直接芯片倒扣封装技术，就显得非常关键，例如在手提电脑、挪动通讯等方面。

58、而且，印刷电路板上的芯片直接倒扣封装技术，在运用了底部填充料技术后，其可靠性也有了很大的提高，它在价钱方面的优势，使它的运用范围越来越广。所以，倒扣芯片技术也因此可以划分为 FCIP flip chip in packaging 及 FCOB flip chip on board 技术。无论哪一种技术，其关键是芯片上凸缘 bump 的制备。 IBM 的 C4 controlled-collapse chip connection 技术是在 1965 年开展起来的，并成为 IBM System/360 系列计算机的逻辑根底。 C4 技术的凸缘制备主要是经过电子束蒸发、溅射等工艺，将 UBM un

59、der bump metallurgy 或 BLM ball limiting metallurgy 堆积在芯片的铝焊盘上。 UBM 普通有三层，分别为铬 / 铬铜 50-50 / 铜，这个构造可以保证凸缘与铝焊盘的粘结性并防止金属间的互分散。在 UBM 的上面，还有一层很薄的金层，主要是防止金属铜的氧化。凸缘的成分是铅锡合金，根据不同的运用要求可以选用低共熔化合物或其它的组分。 IBM 常用的组分是 5wt%Sn/95wt%Pb ，它的熔点分别为 308 solid 和 312 liquid 或 3wt%Sn/97wt%Pb 它的熔点分别为 314 solid 和 320 liquid 。

60、IBM 的基板是陶瓷基板，所以可以忍受超越 300 的回流温度。由于 IBM 的 C4 技术工艺复杂、设备昂贵，所以长期以来，其运用都局限在一些高性能、高要求、高本钱的场所。 经过改良的 C4 工艺，采用了电镀铜层和焊料层的方法，大大降低了本钱，使得倒装焊技术的运用，有了较大的开展。 从上面的描画中可以看出，以前在做 bumping 工艺时，都是在曾经做完周边布线的晶圆上在设计阶段，就可以思索后道封装的要求，将周边布线改为面栅阵列 area grid array ，同时可以取消 UBM 工艺及金属铜层的制备，大大减少了工艺步骤，使倒装焊技术得以加快推行的步伐。因此，铜工艺不但将带来芯片制造工艺