22 电池制造工艺 硅片的化学腐蚀

1、硅片的化学腐蚀.为什么要进展化学腐蚀？硅片在切片和研磨等机械加工之后，其外表因加工应力构成一层损伤层及污染对硅片进展化学腐蚀有哪些手段？酸性腐蚀碱性腐蚀.酸性腐蚀的原理是什么？常用的酸性腐蚀液，通常由不同比率的硝酸HNO3,氢氟酸HF及缓冲液等组成，其腐蚀的机理为：1.利用硝酸HNO3氧化硅片外表 Si+2HNO3SiO2+2HNO2 2HNO2NO+NO2+H2O2.利用氢氟酸HF与氧化硅生成可溶于水的络合物 SiO2+6HFH2SiF6+2H2O.HF/HNO3体系化学品浓度与其腐蚀速率关系？假设HF含量多，那么腐蚀速率受氧化反响控制.氧化对硅片晶向，搀和浓度和晶体缺陷较敏感假设HNO3含

2、量多，那么腐蚀速率受反响生成物溶解速率的限制溶解过程是一种分散过程，会遭到液体对流速度的影响.HF/HNO3体系腐蚀设计的原那么？腐蚀速率的可控性某种外表构造特殊工艺需求，如多晶绒面制造寻求添加剂，使腐蚀速率更可控，可满足高产能的需求.HF/HNO3体系中的添加剂有什么作用？缓冲腐蚀速率改善外表湿化Wetting程度加速腐蚀速率目的可采用化学药品原因缓冲腐蚀速率水（H2O）,醋酸（CH3COOH）,磷酸（H3PO4）浓度稀释加速腐蚀速率亚硝酸钠（Na2NO2）,氟硅酸（H2SiF6）反应中间产物.HF/HNO3体系的缓冲添加剂选择条件？在HF/HNO3中化学性质稳定在腐蚀过程中，不会与反响产物

3、发生进一步反响可溶解在HF/HNO3之中可以湿化晶片外表不会产生化学泡沫.碱性腐蚀的原理是什么？常用的碱性腐蚀化学药品为KOH或NaOH，其腐蚀的机理为： Si+2KOH+H2O K2SiO3+2H2.碱腐蚀速率影响要素？外表悬挂键密度，与晶向有关化学浓度温度外表机械损伤.硅片在化学腐蚀后的外表特性？TTVTotal Thickness VariationTIRTotal Indicator Reading粗糙度Roughness反射度Reflectivity波度Waviness金属含量.太阳能电池中的硅片化学腐蚀硅外表制绒和边缘刻蚀.为什么要制造绒面？光在非垂直入射至硅外表，会发生反射景象，

4、为了降低光反射，加强光吸收，需求在硅外表构成绒面为什么降低反射会添加光的吸收由于需求满足能量守恒定律光反射光吸收光透射光总能量.碱腐蚀在绒面制造上的运用？利用KOH或NaOH在腐蚀单晶硅片时在不同晶向腐蚀速率的差别性不同晶向的刻蚀速率为 不同晶向腐蚀速率的差别各向异性腐蚀与什么有关？溶液浓度，有关系，但关系不大，由于腐蚀过程受外表过程控制温度,温度越低，腐蚀速率差别越大添加剂，如异丙醇IPA，通常用来减缓刻蚀速率.酸腐蚀在绒面制造上的运用？利用HF/HNO3在较高化学浓度比时的缺陷腐蚀特性，使损伤层区域优先腐蚀，构成不同于单晶金字塔构造的坑洞构造.化学腐蚀在外表抛光处置上的运用什么是抛光？抛光指构成完全反射的外表，即镜面化学抛光的原理？对硅片外表的均匀刻蚀抛光化学药液的配置通常可以运用HF/HNO3或KOH溶液.化学腐蚀在边缘刻蚀上的运用？通常运用HF/HNO3体系，利用其各向同性腐蚀特性，可以在特定设备条件下完成对硅片边缘的