塞曼效应含思考题答案_第1页
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文档简介

1、课程:专业班号: 姓名: 学号: 同组者:塞曼效应一、实验目的1、学习观察塞曼效应的方法观察汞灯发出谱线的塞曼分裂;2、观察分裂谱线的偏振情况以及裂距与磁场强度的关系;3、利用塞曼分裂的裂距,计算电子的荷质比e/me数值。二、实验原理1、谱线在磁场中的能级分裂设原子在无外磁场时的某个能级的能量为Eo ,相应的总角动量量子数、轨道量子数、自旋量子数分别为 J、L、S。当原子处于磁感应强度为 B的外磁场中时,这一原子能级将 分裂为2J 1层。各层能量为(1)J共2J 1个;g为朗德因子; B为E Eo Mg bB其中M为磁量子数,它的取值为J , J 1,.,玻尔磁矩(hcb ); B为磁感应强度

2、。4 mS耦合J (J 1) L (L 1) S (S 1)12J (J 1)假设在无外磁场时,光源某条光谱线的波数为0;(Ehc02 Eo1)(3)式中h为普朗克常数;c为光速。而当光源处于外磁场中时,这条光谱线就会分裂成为若干条分线,每条分线波数为别 为(M 2g21hcE2E1)o(M2g2M)B hcM) L所以,分裂后谱线与原谱线的频率差(波数形式)为(M2g2 Mm)(m2g2 M)Be4 mcL为洛伦兹单位式中脚标 1、2分别表示原子跃迁后和跃迁前所处在的能级,(L 46.7B ),外磁场的单位为T (特斯拉),波数L的单位为J 0时,M2 0,至UMi 0的跃迁被禁止;M1时,

3、为 成分,垂直于磁场观察时为振动垂直于磁场的线偏振光,沿磁场正方向观察时,M1为右旋偏振光,M 1为左旋M2、Mi的选择定则是:M 0时为 成分,是振动方向平行于磁场的线偏振光,只能 在垂直于磁场的方向上才能观察到,在平行于磁场方向上观察不到,但当偏振光。若跃迁前后能级的自旋量子数S都等于零,塞曼分裂发上在单重态间,此时,无磁场时的一条谱线在磁场作用下分裂成三条谱线,其中对应的是 态,分裂后的谱线与原谱线的波数差1对应的仍然是 态,M 0eB。这种效应叫做正常塞曼4 mc效应。2.法布里珀罗标准具塞曼分裂的波长差很小,波长和波数的关系为2,若波长 5 10 7m的谱线在B 1T的磁场中,分裂谱

4、线的波长差约只有10 11mo因此必须使用高分辨率的仪器来观察。本实验采用法布里珀罗( F P)标准具。F P标准具是由平行放置的两块平面玻璃或石英玻璃板组成,在两板相对的平面上镀有高反射率的薄银膜, 为了消除两平板背面反射光的干涉,每块板都作成楔形。 由于两镀膜面平行,若使用扩展光源,则产生等倾干涉条纹。 具有相同入射角的光线在垂直于观察方 向的平面上的轨迹是一组同心圆。若在光路上放置透镜,则在透镜焦平面上得到一组同心圆环图样。如图2所示,在透射光束中,相邻光束的 光程差为 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark0 o Current Document 2nd

5、cos(5)取n 12nd cos(6)产生亮条纹的条件为 HYPERLINK l bookmark20 o Current Document 2d cos K式中K为干涉级次;为入射光波长。我们需要了解标准具的两个特征参量是 1、自由光谱范围(标准具参数)FSR或FSR,同一光源发出的具有微小波长差的单色光1和 2 ( 12),入射后将形成各自的圆环系列。对同一干涉级,波长大的干涉环直径小,所示。如果1和2的波长差逐渐加大,使得1的第m级亮环与 2的第(m 1)级亮环重合,则有2d cos(m 1)2FP标准具等倾干涉图得出由于大多数情况下,cos1,(8)式变为2d 皿并带入(9)式,得到

6、11 22d2d它表明在FP中,当给定两平面间隔 d后,入射光波长在间所产生的干涉圆环不发生重叠。2、分辨本领定义 为光谱仪的分辨本领,对于F P标准)它的分辨本领为KN纹数。N依赖于平板内表面反射膜的反射率RoK为干涉级次,N为精细度,它的物理意义是在相邻两个干涉级之间能分辨的最大条利用F P标准D ,,对于近中 2f心的圆环 很小,可以认为sintancos 12sin2D28f 2(13)反射率越高,精细度就越高,仪器能分辨开的条纹数就越多。通过测量干涉环的直径就可以测量各分裂谱线的波长或波长差。参见图2,出射角为的圆环直径D与透镜焦距f间的关系为tan代入到(7)式中,得2d cos2

7、d(1D28f 2由上式可推出同一波长相邻两级K和(K 1)级圆环直径的平方差为D2dKi DK fd可以看出,D2是与干涉级次无关的常数。设波长a和b的第K级干涉圆环直径分别为 Da和Db ,由(14)式和(15)式得d (D: D) (-D-2b a2得出d2、2)一dK k波长差2dd24D、瞑)DK波数差D;2d DK iD、 I,Dk3、用塞曼效应计算电子荷质比m对于正常塞曼效应,分裂的波数差为L -eB-4 mc代入测量波数差公式(17),得22m dB DK 1 DK(18)若已知d和B ,从塞曼分裂中测量出各环直径,就可以计算出电子荷质比。反之,可以利用电子荷质比 S计算,所加

8、磁场强度m22m2 c Db Da 、B(22 )e d h; Dk2(19)三、实验数据及数据分析根据所测的塞曼分裂图,可以用直尺测得距离OA= OC= OB= OD=D(k-1)A2-D(k)A2=(OCA-OAA2)/ 4=A2.D(b)A2-D(a)A2=(ODA-OBA2)/ 4=A2.e 1.6 1019C_ _ 30m 0.91 10 30kgc 3 108m/s4f KDk1已知标准具厚度d= 所以由公式(19)知 TOC o 1-5 h z 22m2 C/ DbDa 、B(22)e d Dk 12Dk2从而 B=2936Gs=而我们用特斯拉计测得磁场B0=误差 d=|B-B0|=相对误差A =d/B0=%四、思考题1、标准具的间隔厚度为,该标准具的自由光谱范围是多少,观察的谱线分裂情况时,磁场 强度的合理取值是多少,若磁场强度为多少时,分裂谱线中哪几条

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