扩散常见问题解决方法_第1页
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文档简介

1、问题原因解决方法扩散不到炉门没关紧，有源被抽风抽走。携带气体大氮量太少，不能将源带到管 刖。管口抽风太大。由设备人员将炉门重新定位，确保石英 门和石英管口很好贴合。增大携带气体大氮的流量。将石英门旁边管口抽风减小。方阻偏高/偏低偏高：1.扩散温度偏低。源量不够，不能足够掺杂。源温较彳氐于设置20度。石英管饱和不够。升高扩散温度，加大源量.延长扩散时间。增加淀积温度。偏低：1.扩散温度偏高。2.源温较高于20度。减小扩散温度。减少扩散时间。减少淀积温度。片间方阻不均匀扩散温度不均匀重新拉扩散炉管恒温片内方阻不均匀扩散气流不均匀，单片上源沉积不均匀调整扩散气流量，加匀流板。调整扩散片与片之间距离。

2、扩后硅片上有色斑甩干机扩散前硅片没甩干调整甩干机设备及工艺条件扩散过程中偏磷酸滴落长时间扩散后对扩散管定期进行HF浸 泡清洗环境湿度过大增大除湿机功率效率忽高忽低扩散间或石英管被污染，特别是在生产 线被改造时最明显。清洗石英管及石英制品，加强扩散间工 艺卫生，强化TCA。方阻正常，但FF偏低品质因子有问题，n趋向于2, J02偏大， 表明结区复合严重。方法同上问题原因解决方法方阻在源一侧低，炉口处高炉门与炉管的密封性不好尾部排气严重假片数量太少调整炉门密封性减少尾部排气气流使用更多的假片单片（交叉）方块电阻均匀 性差POC13 不够排气压力过高沉积温度过高增加小N2流量降低排气压力降低沉积温度

3、顶部的方阻低，底部的高舟被污染校准硅片不是最好的（可能被磨光）硅片在炉管中的位置太高桨比硅片和炉管温度低使用新的干净的舟使用好的校准硅片，而不是磨光。使用低脚的舟。在升温步后插入回温步骤。边缘处方阻低，中心高假片被污染校准硅片不是最好的（可能被磨光）硅片在炉管中的位置太高桨比硅片和炉管温度低使用新的假片使用好的校准硅片，而不是磨光使用低脚的舟在升温步后插入稳定温度步骤方阻均匀性不连续炉管和舟没有饱和假片被污染校准硅片不是最好的（可能被磨光）石英件或硅片脏沿着扩散炉通风气流不足预先处理炉管和舟使用新的假片使用好的校准硅片，而不是磨光清洗炉管、舟、隔热包块和匀流挡板使用干净的硅片通过关闭可能的通风孔减小通风或者 减小洁净室的过压。增加N2和干O2流量整管方块电阻太高沉积时间过短沉积温度过低推进时间太短推进温度太低增加沉积时间增加沉积温度增加推进时间增加推进温度整管方块电阻太低沉积时间过长沉积温度过高推进时间太长推进温度太高减少沉积时间减少沉积温度减少推进温度减少推进温度返工处理方块电阻不在规定范围内：1.轻微超出范围要求重新扩散，严重超出要求重新制绒。2.低于范围要求从新制绒。氧

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