电大光伏检测与分析形考作业任务0104网考试题及

1、最新电大光伏检测与分析形考作业任务01-04网考试题及答案100%!过考试说明：光伏检测与分析形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷，直到出现 01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。做 考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可迅速查找到该题答案。本 文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。01任务01 任务_0001一、单项选择题（共 10道试题，共20分。）.缓冲剂一般是（）。A.强酸强碱B.弱酸弱碱C.弱酸D.弱碱. 一般认为利用金属与半

2、导体的点接触整流原理来测 量导电类型的方法适用于室温电阻率在（）的硅单晶。A.小于 1000 ? cmB. 1 1000 ? cmC.大于 1000 ? cmD.以上皆不是.目前国内外广泛采用（）测量半导体硅单晶电阻率。A.两探针法B.四探针法C.扩展电阻法D.范德堡法.用冷热探笔法测量（）半导体时，冷端带正电，热端带负电。P型N型PN 型D.以上皆不是.半导体器件厂就是用一定型号的（）来生产出所需要的半导体元件。A.单晶B.多晶C.非晶D.以上皆不是.漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷（）。A.大B.小C. 一样大小D.未知.（）是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。A.空位B.位错C.层错D.杂质沉

3、淀.（）是最简单的点缺陷。A.空位B.填隙原子C.络合体D.外来原子.三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。A.温差电效应B.整流效应C.以上二种皆可D.以上二种皆不可.（）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的A.点缺陷（）有直接影响。B.线缺陷A.太阳能电池的光电转换效率C.面缺陷B.晶体管的放大倍数D.微缺陷C.开关管的开关时间D.太阳能电池的填充因子二、多项选择题（共 10道试题，共30分。）6.1.半导体硅的常用腐蚀剂主要后（）。国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）。A.

4、Sirtl 腐蚀液A.冷热探笔法B. Dash腐蚀液B.三探针法C. Wright 腐蚀液C.单探针点接触整流法D. Shimmel腐蚀液D.冷探笔法7.2.直流光电导技退法的缺点主要后（）。半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要后（）。A.对样品有几何形状和几何尺寸的要求A.星形结构B.要求制备符令一定要求的欧姆接触B.杂质析出C.测量下限较局C.系属结构D.仪器线路比较复杂D.8.点缺陷局频光电导技退法的缺点主要后（）。3.A.仪器线路比较复杂高频光电导衰退法的优点主要有（）。B.干扰比较大A.样品无需切割成一定的几何形状C.测试方法比较简单B.测量时不必制作欧姆电极D.依靠电容耦合C.样品较少受

5、到污染9.D.应用广泛半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要启（）。4.A.点缺陷陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）。B.位错A.使整个样品加底光照C.层错B.加底光照后用氤灯闪光进行照射D.杂质沉淀C.将硅单晶加热到 5070c10.D.将硅单晶加热到 6080 c稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要米用的方法有5.( )。A.光电导衰退法B.扩散长度法C.光磁法D.光脉冲法三、判断题(共10道试题，共20分。)漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而数量上少两个数量级。A.错误B.正确半导体的陷阱中心数量是变化的。A.错误B.正确硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比 N型硅的高。A.错误

6、B.正确用冷热探笔法测量 N型半导体时，冷端带负电，热端带正电。A.错误B.正确腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。A.错误B.正确测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。A.错误B.正确用冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时，热探笔的温度要适当，以4050c为宜。A.错误B.正确被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。A.错误B.正确半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。A.错误B.正确当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心，另一方面依靠表面能级作为复合 中心。A.错误B.正确四、连线题(共10道试

7、题，共30分。)将下列不同电阻率的测量电流范围对应。(1)样品电阻率1000A.样品电流V 1(2)样品电阻率301000 B.样品电流v 0.1(3)样品电阻率130C.V 0.01CBA将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。HCLA.冰醋酸(2) HAcB.36%(1) Shimmle 腐蚀液A.1015min(3)H2O2C.30%(2) Wright腐蚀液B.20 min以上ACAC(3 ) Sirtl 腐蚀液C.5minCBJ遇下列利置目阳军方法肥减一对应商探针法A.”口IL四择髓民P=cJ*直施喉针法选翱和C.”号3ABC将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。(1)宏观缺陷

8、A.杂质沉淀(2)微观缺陷B.星形结构(3)表面机械损伤C.加工损伤(1) B(2) A(3) C5.将下列微观缺陷种类与说法一一对应。(1)空位 A.晶格点阵上的原子由于热运动或辐照离开其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的表面(2)填隙原子 B.占据晶格空隙处的多余原子(3)络合体C.空位与杂质原子相结合而形成的复合体ABC将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间对应。(3 ) A将卜列不同电阻率的测量电流范围对应。(1)样品电阻率V 0.01A.样品电流V 100(2)样品电阻率0.011B.样品电流V 10(3)样品电阻率130C.V 1(1) A(2) B(3 ) C8.将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间对应

9、(1) Sirtl 腐蚀液A.1015min(2) Dash腐蚀液B.20 min以上(3 ) Secco 腐蚀液C.116h(1) A(2) B(3 ) C9.将下列电阻率测量方法与电阻率值对应。答题框中填写答案对应的选项即可(1)冷热探笔法A.10-4104 ? cm(2)整流法B.11000 Q? cm(3)两探针法C.1000Q?cm以下(1)冷热探笔法C(2)整流法B(3)两探针法A10.将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。HFA.70%HNO3B.49%H2O2C.30%BAC02任务02 任务_0001一、单项选择题（共 10道试题，共20分。）样品制备中选择样品厚

10、度的原则是使吸收峰处的透射率为（）。10%-70%10%-80%20%-70%20%-80%直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（）。A.较高B.相同C.较低D.无法判断双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于 （）K系辐射线可以细分为及，他们辐射的强度比约为（）1:12:13:14:1X射线剂量用伦琴表示，符号用r,根据国际放射学会议规 定，普通人的安全剂量应为每周不超过（） r。0.20.30.40.5晶面间距可用字母d表示，以下哪项表达式为立方晶系的晶面间距（）。抛光时，抛光液 HF与体积比为（）。1:11:21:41:6红外线通过样品时，对于硅单晶反射率R为（）。10%20%30%40

11、%X射线在医疗诊断方面得到广泛应用，主要是依赖其（）。A.感光作用B.电离作用C.穿透性强D.衍射作用参比样品应不含有被测杂质，一般要求氧和碳原子含量在（）以下。二、多项选择题（共 10道试题，共30分。）抛光时对于样品表面有（）要求。A.无划道B.无浅坑C.无氧化D.无沟道以下（）选项都需要考虑晶体取向的影响。A.单晶材料制备B.单晶片的制备C.器件的制作D.管芯划片方向在立方晶系中，“珊晶面和0期晶面间的夹角为（XX射线的衍射法精确度高，它受以下（）因素影响。X射线束的发散性X射线束准直性C.转角鼓轮读数轮刻度的精度D.天气温度布喇格定律成立需满足以下（）条件。Id sin OnKA.B.

12、入射角等于反射角C.入射线反射线和反射晶面的法线在同一平面,线和衍射线处法线两侧D曳1绝对值只能!于我小于，某样品受到红外线照射时，会产生以下（）现象。A.反射B.折射C.吸收D.透过硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下（）A.光点定向仪B.光源C.光屏D. X光X射线主要有以下（）性质。A.感光作用B.荧光作用C.电离作用D.衍射作用X射线定向仪主要有以下（）部分组成。X射线发生部分X射线检测部分C.样品台且入射D.转角测量部分且入射样品加工主要包括以下()步骤。A.取样B.研磨C.抛光D.连接电脑测试系统三、判断题(共10道试题，共20分。)X射线是一种电磁波，与可见光相同，但波长要长

13、得多。A.错误B.正确晶向偏离度是指晶体生长方向偏离晶轴的角度。A.错误B.正确激光照射和中子轰击等可以产生X射线。A.错误B.正确晶体定向是研究晶体各种物理性质的基础。A.错误B.正确测定硅中碳含量时，必须使用差别法。A.错误B.正确在硅单晶中，氧的分布以替位的形式存在。A.错误B.正确氧和碳在硅晶体中都呈螺旋纹状分布。A.错误B.正确硅单晶中掺杂杂质的溶度相比氧和碳来说相对较低。A.错误B.正确较大的光照面积比较容易得到要求的光学晶面。A.错误B.正确在晶体取向的表示方法中，三条晶轴的顺序按左手螺旋定则来确定。A.错误B.正确四、连线题(共10道试题，共30分。)随下JU幅由蜡的特恬一腼一

14、(11 4卅始需tl面呈许多板有里边的西方ah筑.小坑的四个始疑加生融椒源阴%“助G敷蛛面氨移糊惭.0喇0胞表面呈许多手蹒.箱顶角与外懒M随雌艇CBA将下列利用晶体外观来判断晶体生长方向的关系一一对应。111A)二条轴对称的棱线100B)三条轴对称的棱线110 C)四条轴对称的棱线BCA腋聃护画附口下也,清取1登星物瞰鼾瓦 口也A)从电畋场修选才授由满堂容(2)1B)随出t幽微值被傩叱翱毓星博蝇蝴埴留C)叫娓豺CAB献缄曲品啊懈编椿，aiWHtft熊义一时瓦(1旭u邈悻麻犷嬲率TCJ艘摔JCBA静就殿立;崛四陶ISHKi艇，釉奸第一脆一臼桂唱幽联彩砂电遮-氧翻膏撕动(3灌国醐曲轴林动1105

15、汨1AB(3 ) C7.加鬻S龌町跚，廉池率1颂E”E)硅厚工偏离彳道琼格横卑615CH领子雕第盘的方雌m将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。(1) X射线发生部分(2) X射线检测部分(3)样品台时率计)吸盘)X射线管)盖革计数管和计数BC(3 ) A8.硅百氧吸收峰的强弱与波长关系，清一一对应.4A)加515力即t?强c)弱a由于晶胞参数关系， 在立方晶体中，某些晶面和晶向是相互垂且的,苗对应。(1)100晶向A) 111晶面(2)111晶向B) 100晶面(3)110晶向C) 110晶面BAC6.BA(3 ) C.加心，森幽日崛11 内QP5t-B)吗子电外舁%仃空先违蜉率.AB(3

16、 ) C招下歹泣方星森随i面间的夫扃关系时昆一喇（叫 ）炉好火网【喇加/明（110）（110）0 4 个第；BCA03任务03 任务_0001一、单项选择题（共 10道试题，共20分。）反渗透装置是超纯水治水系统中提纯的（）部分。A.预脱盐B.清洗C.软化D.维护超纯水制水处理系统再生部分选择（）水泵。A.高压B.低压C.耐酸碱的ABS水泵D.未知离子交换树脂是一种高分子化合物，是由（）和活性基团两部分组成。A.树脂的骨架B.阴树脂C.阳树脂D.碱性树脂对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。SiO2SiHHCLSiRO

17、反渗透技术是利用（）为动力的膜分离过滤技术。A.吸附力B.离子交换C.电力D.压力差全自动软化过滤器设计过滤体材质选用（）。A.炭钢B.玻璃C.钢铁D. FRP增强玻璃钢内衬 PE对三氯氢硅中痕量杂质的分析主要试剂盐酸是优级纯再经（）提纯两次。A.有机玻璃蒸发器B.石英亚沸蒸储器C.聚四氟乙烯D.聚乙烯蒸储器露点法测定气体中的水分职业中，本岗位存在的危险源是（）。A.液氮低温冻伤B.潜在氢气泄露引起的爆炸C.温度过高D.没有明显危险源1253放射线同位素的量越多，放出的射线的强度（）。A.越小B.不变C.越大D.随机变化二、多项选择题（共 10道试题，共30分。）自动软化系统出现下述情况之一（

18、）就必须进行化学清洗。A.装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%-10%B.装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%寸C.装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍D.装置需要长期停运时用保护溶液保护前X射线形貌技术的试验方法有（）。A.透射形貌法B.反射形貌法.异常透射法.双晶光谱仪法下列哪三项是天然水的三大杂质（）。A.悬浮物质B.挥发物质C.胶体物质D.溶解物质高纯水的检测时，测量方法有（）。A.静置测量法B.反渗透测量法C.蒸发测量法D.流动测量法纯水制备系统运行控制注意事项，以下表述错误的是（ ）。A.软化器工作时，自动启动原水增压泵，其他高

19、压泵都处于停止状态B.无论何时，反渗透系统都要将脓水调节阀和进水调节阀完全关闭C.离子交换床在工作的任何时侯，混床进水压力大于160PaD.设备第一次使用时，所 制纯水应至少排放 1h后再收集RO系统清洗条件有（）。A.装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5% 10%寸B.装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%- 20%寸C.装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1 2倍D.装置需长期停运时用保护溶液保护前影响树脂再生的主要因素有（）。A.再生剂的类型、强度、浓度、流速、酸、碱液与离子交换树脂接触的时间等B.终点PH值的大小C.离子交换树脂的分离、反洗效果、混合程

20、度、清洁卫D.杂质量的多少三氯氢硅中硼的分析试剂表述错误的是（）。a纯水lOOmQ以上的离子交换水 A.B.氢氟酸 优级纯氢氟酸，再经自制的聚乙烯蒸储器蒸 储一次，经分析合格后备用C. 5%甘露醇溶液存入聚乙烯瓶中D.直径6mm勺光谱Z（无 B）石墨电极 9.露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（）。A.用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1hB.测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80 C低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露 点温度C.测定流速控制在 250300ml/minD.通常测

21、-34 C以下气体观察到的是霜点，根据实验测 得霜点和露点相应温度差约4c10.中子活化分析的特点有（）。A.灵敏度高B.分析速度快，精度高C.非破坏性分析D.不易沾污和不受试剂空白的影响三、判断题（共10道试题，共20分。）混床交换在再生处理时，阴离子交换树脂和阳离子交换树脂充分混合。A.错误B.正确色谱法基本原理是基于时间的差别进行分离。A.错误B.正确为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水，阴、阳树脂必须交换出等量的离子。A.错误B.正确对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用化学药剂提纯法。A.错误B.正确制取高纯水时一般采用强碱型阴离子交换树脂。A.错误B.正确硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷

22、称为微陷A.错误B.正确新树脂使用前应进行预处理：膨胀处理和变形处理。A.错误B.正确活性炭过滤器在作为反渗透装置的前处理是是受本身进水温度、PH值和有机混合物的影响的。A.错误B.正确9.对应。只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进行(1)强酸型离子交换树脂A.5%-10%日常维护。盐酸溶液3000mlA.错误(2)强碱型离子交换树脂B. 5%-10%B.正确氢氧化钠溶液2500ml10.(3)干树脂C.4%-5%Nacl溶液浸泡露点法检测气体中的水分是通常测-34 C以下气体观察到(1) B的是露点。(2) AA.错误(3) CB.正确4.将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因对

23、应。四、连线题(共10道试题，共30分。)(1)杂质不均匀A.与兀素本身性质、1.样品中兀素的选择及离子源火花条件有关将下列天然水中杂质三大部分情况对应。(2)各兀素电离效率B.因为质谱分析一次(1)悬浮物质A.溶胶、硅胶、铁、只消耗少量样品，不能代表整个样品杂质含量铝(3)谱线黑度C.受到很多因素，如(2)胶体物质B.细菌、泥沙、黏土离子质里影响等具他/、容物质(1) B(3)溶解物质C. Ca、Mg Na、Fe、(2) AMn的酸式碳酸盐(3) C(1) B5.(2) A将下列多介质过滤器工作原理与内容对应。(3) C(1)反洗A.将原水泵停止，阀门关闭，2.让多介质自然下沉，使沙层排列平

24、整将下歹U RO膜污染原因与适应药液 对应。(2)静止B.原水由进口进入控制阀，(1)碳酸盐结垢A.1.5%EDTA溶液从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体(2)有机物污染及硫酸盐结构B.1%富尔马林溶液(3)正洗C.水从底部进入石英砂过滤(3)细菌污染C.3%柠檬酸溶液层后由上部排除(1) C(1) C(2) A(2) A(3) B(3) B3.6.将卜列混床冉生中操作步骤 对应。将下列离子交换树脂的类型与变型用化学试剂用量浓度(1)逆洗分层A.再生剂为5%勺NaOH用量为树脂体积的3-5倍，从上口进入，控制一定 流速，维持液面顺流通过(2)强碱性阴离子交换树脂再生 B. 水从底部进入，

25、上口排出，树脂均匀地松弛蓬松开来， 可加大水流速以冲 不出树脂为原 则，洗至出水清高度(3)强酸性阳离子交换树脂再生C.再生剂为5%盐酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍BACIHT将下步吉氢注中建置猴的化学光谱犒由王瞥询屿要求一一对应一111 1O人伍纯酹甜的+髓丘慑艇能石起超i解襟蜀捣(3)锁内标KCL戟件班告,C一后毫升含锁0LM闷，鼠.肝埋血.ACB詹国汽相例髓SB干法艮相粉蹄荆情智明三受询E一对匾(Dgffil用心检砥”心5a气北室口。况士0，BAC将下列露点法测定气体中的水分时职业健康安全进行控制对应。(1)危险源A.意把氢气引出室外(2)分析氢气露点时用大气赶走气B.液氮低温

26、冻伤(3) 酒 精 放 置C.要放在阴凉地方BA(3 ) C将下列自动软化系统工艺过程一一对应。(1)反洗 A.再生用盐液在一定浓度、流量下，流经失效的树脂层，使其恢复原有的交换能力(2)再生吸盐+慢洗B.向再生剂箱中注入溶液再生一次所需盐量的水(3)再生剂箱注水C.树脂失效后，在进行再生之前，先用水自上而下流出CA) B04任务04 任务_0001一、单项选择题(共 10道试题，共20分。)下列哪一项不是天然水的三大杂质之一()。A.悬浮物质B.挥发物质C.胶体物质D.溶解物质气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是( )。A.液氮低温冻伤B.潜在氢气泄露引起的爆炸C.温度过高D.没

27、有明显危险源露点法测定气体中水分的设备环境要求是保持工作环境高纯卫生，温度 4-40度，相对湿度小于（），现场整洁，无腐蚀性气体，不得有电路和火种。90%85%95%92%RO反渗透技术是利用（）为动力的膜分离过滤技术。A.吸附力B.离子交换C.电力D.压力差人们通常将水分为纯水和（）。A.超纯水B.蒸储水C.高氧水D.海水离子交换树脂是一种高分子化合物，是由树脂的骨架和（）两部分组成。A.活性基团B.阳树脂C.阴树脂D.氢氧根离子对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。SiO2SiHHCLSi纯水制备系统混床的再生反洗

28、的目的是（）。A.使阴阳离子交换树脂更紧密B.使阴阳离子交换树脂分层C.去除杂质D.无目的以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（）。A.混合氯代硅烷B.氯化氢C.磷化氢D.水制取高纯水时一般采用（）交换树脂和（）交换树脂。A.强酸型阳离子强碱型阴离子B.强碱型阴离子强酸型阳离子C.强酸型阳离子强酸型阴离子D.强碱型阳离子强碱型阳离子二、多项选择题（共 10道试题，共30分。）RO系统清洗过程中 RO膜污染原因与使用药剂搭配错误的是（）。A.碳酸盐结垢用3%宁檬酸溶液B.有机物污染及硫酸盐垢用1.5%EDTA容液

29、C.细菌污染用3%宁檬酸溶液D.碳酸盐结垢用1%富尔马林溶液混床的再生具体操作步骤正确的是有（）。A.逆洗水从底部进入，上口排出，树脂均匀松弛膨胀开来，可加大水流速以冲不出树脂为原则。B.强碱性阴离子交换树脂再生剂为20%勺NAOH用量为树脂体积的3-5倍C.清洗阴离子交换树脂当碱液琳完后，再淋洗附在阴离子交换树脂上的碱液。D.强酸性阳离子交换树脂再生剂为5嗨k酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的 2-3倍以下DUI纯水制备系统中多介质过滤器注意事项叙述错误的是（）。A.原水箱回流阀完全关闭，保护原水泵B.日常维护过程中，每次反洗时先用压缩空气使滤料充分松动，并且要把控制阀旋到对应位置才能开启原水

30、增压泵。C.石英砂滤材一般35年更换或添加D.每周检测一次沙虑出水SDI值，SDI小于5,则有问题离子交换法制备纯水时，新树脂的预处理方式是 （）。A.膨胀处理B.混合处理C.变形处理D. 稀释处理自动软化系统注意事项下述叙述正确的是（）。A.逆洗时进口水压维持在 0.5-1bar 。以利冲洗B.如果进水太快，罐中的介质会损失，在缓慢进水的同时，应能听到空气慢慢从排水管排出的声音。C.只有石英砂过滤器控制阀和活性炭过滤器控制阀均在运行位置时，软化过滤器才能进行设备的日常维护。D.如果整套设备连续供水，却能确定每天的用水量，可混床的再生中是两种树脂充分混合的方法有（）。A.自然混合法B.用真空泵

31、进行混合，自上口抽气，打开下口阀门进气，用空气搅动阴阳离子交换树脂达到充分混合的目的C.加入混合剂使之混合D.用压缩空气自底部进入，上口排除高纯水的检测时，测量方法有（）。A.静置测量法B.反渗透测量法C.蒸发测量法D.流动测量法X射线形貌技术的试验方法有（）。A.透射形貌法B.反射形貌法C.异常透射法D.双晶光谱仪法下列哪三项是天然水的三大杂质（）。A.悬浮物质B.挥发物质C.胶体物质D.溶解物质自动软化系统反洗的目的是（）。A.通过反洗，试运行中压紧的树脂层松动，有利于树脂颗粒与再生液充分接触B.是树脂表面积累的悬浮物及碎树脂随反洗水排出，从而是交换器的水流阻力不会越来越大将多功能控制阀设

32、为自动状态。D.提高软化效果C.将多功能控制阀设为自动状态。D.提高软化效果三、判断题(共10道试题，共20分。)为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水，阴、阳树脂必须交换出等量的离子。A.错误B.正确只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进行日常维护。A.错误B.正确硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷称为微陷。A.错误B.正确对三氯氢硅中硼的分析采用蒸发法。A.错误B.正确RO系统清洗过程应密切注意清洗液温度上升，不得超过35 CoA.错误B.正确气相色谱法测定干法 H2的组成存在的环境因素是潜在的液氮低温冻伤。A.错误B.正确制取高纯水时一般采用强酸型阳离子交换树脂。A.错误B.正确露点法检测气体存在的危险是氢气泄露引起的燃烧核爆炸。A.错误B.正确离子交换法制备纯水用阴树脂可以得到高纯水。A.错误B.正确纯水制备系统反渗透系统要把浓水调节阀和进水调节阀完全关闭。A.错误B.正确四、连线题(共10道试题，共30分。)将下列活性炭过滤器工作原理对应。(1)反洗A.向卜穿过过滤料层，经下布水器收集返回中心。管运行B.原水由进