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文档简介

1、电路分析实验报告结型场效应管放大电路-、实验摘要通过对实验箱上结型场效应管的测试，认识N沟道JFET场效应 管的电压放大特性和开关特性。通过使用输出电压相等法对场效应管 输入电阻进行测量。二、实验环境模拟电路试验箱函数信号发生器示波器万用表电位器三、实验原理VDDJFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连 接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个 电极，分别称为漏极d，源极s。结型场效应晶体管是一种具有放大 功能的三端有源器件。N沟道结型场效应管当在漏极D和源极S之间 加上电源后，则在N型沟道中产生从漏极流向源极的电流。由PN结 的特性可知，若在栅极G和

2、源极S间加上负电压，PN结的宽度增加, 且负电压越大，PN结就越宽，造成沟道变窄，沟道电阻变大，因此 只要改变偏压便可控制漏极电流的大小。四、实验步骤在模电试验箱对应模块上连接电 路土 VOO 1 1t70% _J龄歹,_1.41口 + 2113370 -* L卜T 勺！ o- 士调节信号发生器，调节电位器，使波形不失真和他和失真500mVpp， 2kHz外接一个大电阻，用输出电压相等法测量输入电阻五、实验数据不失真Uin=520mV Uout=3.9V 放大倍数 7.5Vds=4.3847VVVds=4.3847VID=0.43099mA饱和失真V/-0.06981VVds=1.84925VID=0.43092mA不接 680kQ 电阻时：uin=500mV uout=3.43V接 680k Q 电阻时：接 680k Q 电阻时：Uin=780mV U=3.43Vout输入电阻=121429kQ = 121MQ特性。掌握了用输六、实验总结特性。掌

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