太阳能电池(结构、工作原理、发展现状及趋势)

1、 太阳能电池（结构、工作原理、发展现状及趋势） 摘要:人类面临着有限常规能源和环境破坏严重的双重压力。已经成为越来越值得关注的社会与环境问题。近年来，光伏市场快速发展并取得可喜的成就。本文介绍了太阳能电池的结构、工作原理、发展现状及趋势。关键字； 太阳能电池；结构；工作原理；发展现状及趋势。引言：由于于人类对对可再生生能源的的不断需需求。促促使人们们致力于于开发新新型能源源。太阳阳在400minn内照射射带地球球表面的的能量可可供全球球目前能能源消费费的速度度使用11年。合合理的利利用好太太阳能将将是人类类解决能能源问题题的长期期发展战战略，是是其中最最受瞩目目的研究究热点之之一。一：太阳能能

2、电池结结构及工工作原理理1:太阳能电电池的结结构及工工作原理理太阳能能电池的的外形及及基本结结构如图图1。基基本材料料为P型型单晶硅硅，厚度度为0.300.5mmm左右右。上表表面为NN+型区区，构成成一个PPN结结。顶区区表面有有栅状金金属电极极，硅片片背面为为金属底底电极。上上下电极极分别与与N区区和P区区形成欧欧姆接触触，整个个上表面面还均匀匀覆盖着着减反射射膜。当当入发射射光照在在电池表表面时，光光子穿过过减反射射膜进入入硅中，能能量大于于硅禁带带宽度的的光子在在N+区区，PNN结空空间电荷荷区和PP区中激激发出光光生电子子空空穴对。各各区中的的光生载载流子如如果在复复合前能能越过耗耗

3、尽区，就就对发光光电压作作出贡献献。光生生电子留留于N区，光光生空穴穴留于PP区，在在PN结的两两侧形成成正负电电荷的积积累，产产生光生生电压，此此为光生生伏打效效应。当当光伏电电池两端端接一负负载后，光光电池就就从P区区经负载载流至NN区，负负载中就就有功率率输出。太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。靠近顶区湿产生阳光电流对短波长的紫光（或紫外光）敏感，约占总光源电流的510（随N区厚度而变），PN结空间电荷的光生电流对可见光敏感，约占5 左右。电池基体区域产生的光电流对红外光敏感，占8090，是光生电流的主要组成部分。 将光子转换换为电子子2计算器和人人造卫星星上使用用的太阳阳能电

4、池池都是光光伏电池池或者模模块（模模块就是是一组通通过电路路连接并并封装在在一个框框架内的的电池）。光光伏电池池（Phhotoovolltaiics），顾顾名思义义（phhotoo=光， volltaiic=电电），是是指将太太阳光转转换为电电能的电电池。光光伏电池池之前只只用在太太空中，而而现在却却越来越越普及，且且使用方方式也越越来越普普通。它它们甚至至可以为为您的住住宅供电电。这些些装置是是如何工工作的呢呢？ 光伏（PVV）电池池由半导导体材料料制成，比比如硅就就是目前前最常用用的一种种半导体体。当光光照射电电池时，有有一部分分光会被被 HYPERLINK /diode.htm 半导体体

5、材料吸吸收。这这意味着着吸收的的光能将将传给半半导体。能能量会导导致电子子逸出，使使它们可可以自由由流动。光光伏电池池中还有有一个或或多个电电场，可可以迫使使由光吸吸收并释释放的电电子以一一定方向向流动。电电子的流流动形成成电流，通通过在光光伏电池池的顶部部和底部部安放金金属触点点，我们们可以将将电流引引出来，以以供使用用。例如如，电流流可以为为计算器器供电。此此电流以以及电池池电压（由由内部电电场产生生）决定定了太阳阳能电池池的功率率（或者者瓦特数数）。 这是发电的的基本过过程，但但是实际际情况要要复杂得得多。让让我们来来深入研研究一个个光伏电电池的示示例：单单晶硅电电池。硅有一些特特别的化

6、化学特性性，尤其其是它的的晶体结结构。硅硅 HYPERLINK /atom.htm 原子含有有14个个电子，排排列在三三个不同同的核外外电子层层中。距距离原子子核最近近的头两两个电子子层完全全填满。而而最外层层电子则则处于半半满状态态，只有有四个电电子。硅硅原子始始终会想想方设法法填满最最外面的的电子层层（即希希望有八八个电子子）。为为此，它它会与相相邻硅原原子的四四个电子子共享自自身的电电子，这这就好比比每个原原子与周周围原子子握手一一样，只只是在这这种情况况下，每每个原子子有四只只手与四四个邻居居相握。这这就形成成了晶体体结构，该该结构对对于这种种类型的的光伏电电池具有有重要的的意义。 现

7、在，我们们已经了了解了纯纯晶体硅硅。纯硅硅是一种种性能很很差的导导体，因因为它的的电子不不能像铜铜这样的的导体中中的电子子那样自自由移动动。硅中中的电子子被全部部锁在晶晶体结构构中。太太阳能电电池中的的硅结构构已经过过稍稍调调整，以以便它能能作为太太阳能电电池来工工作。 太阳能电池池使用的的硅混有有杂质其他他原子与与硅原子子混在一一起，这这样会稍稍稍改变变硅的工工作方式式。我们们通常认认为杂质质是某种种不好的的东西，但但在这个个例子中中，如果果没有这这些杂质质，电池池就无法法工作。实实际上，这这些杂质质是有意意添加到到硅中的的。考虑虑硅与一一个位置置不定的的磷原子子在一起起的情况况，也许许每一

8、百百万个硅硅原子配配上一个个磷原子子。磷原原子的外外电子层层有五个个电子，而而不是四四个。它它仍然要要与硅周周围的原原子结合合，但从从某种意意义上讲讲，磷原原子有一一个电子子是不与与任何原原子握手手的。它它没有成成为键的的一部分分，但是是磷原子子核中的的正质子子会使其其保持在在原位上上。 当把能量加加到纯硅硅中时（比比如以热热的形式式），它它会导致致几个电电子脱离离其共价价键并离离开原子子。每有有一个电电子离开开，就会会留下一一个空穴穴。然后后，这些些电子会会在晶格格周围四四处游荡荡，寻找找另一个个空穴来来安身。这这些电子子被称为为自由载载流子，它它们可以以运载电电流。不不过，留留在纯硅硅中的

9、电电子数量量极少，因因此没有有太大的的用处。而而将纯硅硅与磷原原子混合合起来，情情况就完完全不同同了。此此时，只只需很少少的能量量即可使使磷原子子的某个个“多余”的电子子逸出，因因为这些些电子没没有结合合到共价价键中它们们的邻居居不会将将它们拉拉回。因因此，大大多数这这类电子子会成为为自由电电子，这这样，我我们就得得到了比比纯硅中中多得多多的自由由载流子子。有意意添加杂杂质的过过程被称称为掺杂杂，当利利用磷原原子掺杂杂时，得得到的硅硅被成为为N型（“n”表示负电），因为硅里面有很多自由电子。与纯硅相比，N 型掺杂硅是一种性能好得多的导体。 实际上，太太阳能电电池只有有一部分分是N型型。另一一部

10、分硅硅掺杂的的是硼，硼硼的最外外电子层层只有三三个而不不是四个个电子，这这样可得得到P型型硅。PP型硅中中没有自自由电子子（“p”表示正正电），但但是有自自由空穴穴。空穴穴实际是是电子离离开造成成的，因因此它们们带有相相反（正正）的电电荷。它它们像电电子一样样四处移移动。 在将N型硅硅与P型型硅放到到一起时时，有趣趣的情形形发生了了。切记记，每块块光伏电电池至少少有一个个电场。没没有电场场，电池池就无法法工作，而而此电场场是在NN型硅和和P型硅硅接触的的时候形形成的。突突然，NN 侧的的自由电电子（它它们一直直在寻找找空穴来来安身）看看到了PP侧的所所有空穴穴，然后后便疯狂狂地奔向向空穴，将将

11、空穴填填满。以以前，从从电的角角度来看看，我们们所用的的硅都是是中性的的。多余余的电子子被磷中中多余的的质子所所中和。缺缺失电子子（空穴穴）由硼硼中缺失失质子所所中和。当当空穴和和电子在在N型硅硅和P型型硅的交交界处混混合时，中中性就被被破坏了了。所有有自由电电子会填填充所有有空穴吗吗？不会会。如果果是这样样，那么么整个准准备工作作就没有有什么意意义了。不不过，在在交界处处，它们们确实会会混合形形成一道道屏障，使使得N侧侧的电子子越来越越难以抵抵达P侧侧。最终终会达到到平衡状状态，这这样我们们就有了了一个将将两侧分分开的电电场。这这个电场场相当于于一个 HYPERLINK /fpte6.htm

12、 二二极管，允允许（甚甚至推动动）电子子从P侧侧流向NN侧，而而不是相相反。它它就像一一座山电子子可以轻轻松地滑滑下山头头（到达达N侧），却却不能向向上攀升升（到达达P侧）。 这样，我们们就得到到了一个个作用相相当于二二极管的的电场，其其中的电电子只能能向一个个方向运运动。让让我们来来看一下下在太阳阳光照射射电池时时会发生生什么。 当光以 HYPERLINK /light3.htm 光子子的形式式撞击太太阳能电电池时，其其能量会会使电子子空穴对对释放出出来。 每个携带足足够能量量的光子子通常会会正好释释放一个个电子，从从而产生生一个自自由的空空穴。如如果这发发生在离离电场足足够近的的位置，或或

13、者自由由电子和和自由空空穴正好好在它的的影响范范围之内内，则电电场会将将电子送送到N侧侧，将空空穴送到到P侧。这这会导致致电中性性进一步步被破坏坏，如果果我们提提供一个个外部电电流通路路，则电电子会经经过该通通路，流流向它们们的原始始侧（PP侧），在在那里与与电场发发送的空空穴合并并，并在在流动的的过程中中做功。电电子流动动提供电电流，电电池的电电场产生生电压。有有了电流流和电压压，我们们就有了了功率，它它是二者者的乘积积。 二：太阳能能电池发发展现状状及趋势势： 太阳能发电电是一项项高新技技术，以以太阳能能为资源源基础的的生产将将是一种种可持续续的发展展模式。从从阳光直直接转变变成电流流的太

14、阳阳电池也也将不再再是昂贵贵的的市市场空缺缺。全球球太阳能能产品的的年销售售额达114亿美美元，其其中122亿美元元来自太太阳能电电池的销销售。太太阳能工工业的年年增长率率估计在在20%左右，太太阳能利利用增长长的潜力力是巨大大的。制作太阳能能电池主主要是以以半导体体材料为为基础，其其工作原原理是利利用光电电材料吸吸收光能能后发生生光电于于转换反反应，根根据所用用材料的的不同，太太阳能电电池可分分为：硅硅太阳能能电池；化合物物太阳能能电池，如如砷化镓镓、硫化化镉、铜铜铟硒等等；功能能高分子子材料制制备的太太阳能电电池；纳纳米晶太太阳能电电池等。不不论以何何种材料料来制作作电池，对对太阳能能电池

15、材材料一般般的要求求有：半半导体材材料的禁禁带不能能太宽；要有较较高的光光电转换换效率：材料本本身对环环境不造造成污染染；材料料便于工工业化生生产且材材料性能能稳定。基基于以上上几个方方面考虑虑，硅是是最理想想的太阳阳能电池池材料，这这也是目目前在太太阳能电电池领域域硅太阳阳能电池池占主导导地位的的主要原原因。1，有关高高效率，低低成本晶晶体硅太太阳能电电池开发发硅太阳能电电池可分分为晶体体硅太阳阳能电池池和薄膜膜硅太阳阳能电池池，晶体体硅太阳阳能电池池主要是是指单晶晶硅和多多晶硅太太阳能电电池。规规模化生生产中，单单晶硅太太阳能电电池具有有转换效效率最高高、技术术最为成成熟、可可靠性高高等优

16、点点。澳大大利亚新新南威尔尔士大学学硅太阳阳电池及及硅发光光实验室室副主任任赵建华华研发的的PERRL（钝钝化发射射极、背背面点扩扩散）太太阳能电电池转换换效率高高达244.7%。多晶硅太阳阳能电池池的制作作工艺与与单晶硅硅太阳能能电池相相近，但但是从制制作成本本上来讲讲，比单单晶硅太太阳能电电池要低低得多。多多晶硅太太阳能电电池的光光电转化化效率相相比单晶晶硅太阳阳能电池池要低。我我国尚德德太阳能能电力将将开始量量产转换换效率118.88的单单晶硅型型、177.2的多晶晶硅型太太阳能电电池单元元。目前，我国国已上马马了多家家多晶硅硅材料的的生产基基地，解解决我国国晶体硅硅太阳能能电池原原料高

17、度度依赖国国外进口口的现状状。随着着多晶硅硅供需平平衡，多多晶硅价价格会迅迅速恢复复到合理理价位，将将直接导导致硅太太阳能电电池生产产成本大大大降低低，为多多晶硅太太阳能电电池创造造更好的的发展条条件。硅太阳能电电池转换换效率无无疑是最最高的，而而且由于于硅太阳阳能电池池一般采采用钢化化玻璃以以及防水水树脂进进行封装装，因此此其坚固固耐用，使使用寿命命一般可可达155年，最最高可达达25年年。薄膜膜太阳能能电池由由于其制制造成本本低，对对环境的的影响小小，近年年来备受受关注，其其所占的的市场份份额逐渐渐加大。但但是在目目前金融融危机情情况下，硅硅原材料料成本已已下降到到每公斤斤1000美元以以

18、下，成成本大大大下降，已已接近火火电发电电成本每每瓦1元元人民币币，由于于转化效效率高于于薄膜，成成本下降降较大，所所以硅太太阳能电电池仍具具备强有有力的竞竞争力。2，新型薄薄膜电池池开发薄膜太阳能能电池是是最富前前途的下下一代太太阳能电电池技术术，它节节省了硅硅原料的的使用和和硅片制制造工艺艺。与目目前常见见的硅片片太阳能能电池相相比，硅硅薄膜太太阳能电电池用硅硅量仅为为前者的的1%左左右，可可使每瓦瓦太阳能能电池成成本从22.5美美元降至至1.22美元。此此外，这这种高科科技新产产品可与与建筑物物屋顶、墙墙体材料料如玻璃璃幕墙融融为一体体，既可可并网发发电又能能节约建建筑材料料、美化化环境

19、。目目前正在在研发中中和已有有产品出出售的薄薄膜太阳阳能电池池主要有有以下几几种：（1）非晶晶硅薄膜膜电池：是薄膜膜太阳能能电池中中最成熟熟的产品品之一。由于非晶硅薄膜太阳能电池的成本低，便于大规模生产，普遍受到人们的重视并得到迅速发展，但由于其光学带隙为1.7eV, 使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。（2）多晶晶硅硅薄薄膜电池池：其转转换效率率高于非非晶硅薄薄膜太阳阳能电池池，又无无效率衰衰退问题题，并且且有可能能在廉价价衬底材材料上制制备，但但由于控控制薄膜膜中硅晶晶粒大小小的技术术没有解解决，尚尚未能制制成有实实用价值值的太阳阳能电池

20、池。（3）有机机染料敏敏化电池池：它是是一种光光电化学学电池。（4）铜铟铟锡（CCIS）和和锑化镉镉（CddTe）：两种化化合物多多晶薄膜膜太阳能能电池，中中试转换换效率已已经超过过10。但是是，由于于元素镉镉的有毒毒性及其其对环境境的污染染，这种种太阳能能电池技技术均不不具备长长远的产产业化生生命力。（5）铜-铟-硒硒（及其其合金）电电池：据据美国MMiassolee公司称称，他们们研制的的样品转转换效率率可达119.55，试试销产品品的转换换效率可可达9。但由由于铟和和硒都是是比较稀稀有的元元素，因因此，这这类电池池的发展展必然受受到限制制。（6）砷化化镓IIII-VV化合物物薄膜电电池：

21、在在2500的条条件下，光光电转换换性能仍仍很良好好，其最最高光电电转换效效率约330，且且能耐高高温，特特别适合合做高温温聚光太太阳能电电池。但但生产成成本高，产产量受限限，目前前主要作作空间电电源用。在光伏利用用中，相相对于其其它薄膜膜电池，由由于硅材材料储量量丰富，且且无毒、无无污染，具具有主导导地位。目目前，在在硅基薄薄膜太阳阳能电池池家族中中，非晶晶硅薄膜膜电池占占有主要要地位。但但非晶硅硅太阳能能电池存存在光致致衰减效效应的缺缺点，并并且转化化效率远远低于晶晶体硅太太阳能电电池。目目前又出出现了各各种叠层层太阳能能电池，转转换效率率达144.6%，接近近多晶硅硅太阳能能电池。近年来

22、，另另一种新新型硅基基薄膜材材料纳米硅硅薄膜由由于其优优良的性性能引起起了人们们广泛的的关注。理理论上其其最大转转换率为为44%，如能能产业化化，则高高于单晶晶硅电池池。3，超高级级太阳能能电池的的探索A，聚光太太阳能（CCPV）第三代聚光光太阳能能（CPPV）发发电方式式，正逐逐渐成为为太阳能能领域的的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池，目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV系统发电。与前两代电池相比，CPV采用多结的III-V族化合物电池，具有大光谱吸收、高转换效率等优点；而且所需的电池面积不大，以相对廉价的聚光器件替代昂贵的半导体材料，在大规模应用于发电时可有效降低成本、降

23、低生产能耗。CPV系统具有转换率优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%，单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%，多结的III-V族电池对光谱进行了更全面的吸收，其理论转换率可超过50%。即使考虑到聚光和追踪所产生的误差损失，目前的CPV系统转换效率可达25%，高于目前市售晶硅电池17%左右的转换效率。此外，GaAs系电池的高温衰减性能强于硅系电池，更适合应用于日照强烈的荒漠地区。CPV系统的生产过程更加节能环保。聚光倍数越大，所需的光伏电池面积越小，对于高达几百倍的HCPV系统来说，硬币大小的转换电池就可转换碗口面积的光能。在节省半导体材料用量的同时，降低了太阳能发电系统的生产成本

24、和能耗，使得CPV具有更短的能量回收期。CPV发电渐具成本优势，更具成本下降潜力。随着CPV技术的更加成熟以及生产规模的进一步扩大，普遍预计2010年内即可实现较低的平准化电力成本(LCOE)，低于晶硅和薄膜电池。未来，若对光伏发电设备的生产环节征收碳排放税，CPV的投资回收期仅会延长12个月，晶硅和薄膜电池均会延长1年以上，届时CPV的相对成本优势将更加明显。 CPV将长期与晶硅、薄膜电池共存。CPV由于系统的复杂性，较适用于大型的光伏发电电站，可采用统一的追日控制方式和冷却系统。而晶硅和薄膜电池更适用于较小型的家用和商用发电系统，长期来看，CPV并不会完全取代晶硅和薄膜电池的市场，正如薄膜

25、电池不会完全取代晶硅电池一样。 市场规模具备高速增长潜力。目前全球的CPV装机不到200MW，预计今后几年内，随着技术优势和成本优势的体现，市场规模将有爆发式的增长，未来10年年均增速预计在40%以上。到2020年行业总产值可达500亿元左右。我国目前仅有少量示范电站，未来随着光伏装机容量的提升，CPV的市场也将逐渐打开。CSP也将逐渐步入规模化应用。CSP系统主要是对太阳能聚光产生的热量进行利用，CSP虽然不需使用光伏电池，但依然需要大量的光学聚光器。预计2015年新增装机将达到5.5GW。 相关国内上市公司：目前国内尚无成熟的CPV设备制造商，产品进口依赖度较高。A股上市公司中，万家乐、三

26、安光电、哈高科均具有CPV制造业务，新华光、水晶光电、利达光电则具有光学聚光器的生产能力，未来有望从CPV和CSP市场的高速扩张中获益。B，聚合合物多层层修饰电电极型太太阳能电电池在太阳能电电池中以以聚合物物代替无无机材料料是刚刚刚开始的的一个太太阳能电电池的研研究方向向。其原原理是利利用不同同氧化还还原型聚聚合物的的不同氧氧化还原原电势，在在导电材材料（电电极）表表面进行行多层复复合，制制成类似似无机PPN结结的单向向导电装装置。其其中一个个电极的的内层由由还原电电位较低低的聚合合物修饰饰，外层层聚合物物的还原原电位较较高，电电子转移移方向只只能由内内层向外外层转移移；另一一个电极极的修饰饰

27、正好相相反，并并且第一一个电极极上两种种聚合物物的还原原电位均均高于后后者的两两种聚合合物的还还原电位位。当两两个修饰饰电极放放入含有有光敏化化剂的电电解波中中时光光敏化剂剂吸光后后产生的的电子转转移到还还原电位位较低的的电极上上，还原原电位较较低电极极上积累累的电子子不能向向外层聚聚合物转转移，只只能通过过外电路路通过还还原电位位较高的的电极回回到电解解液，因因此外电电路中有有光电流流产生。 由于有机材材料柔性性好，制制作容易易，材料料来源广广泛，成成本底等等优势，从从而对大大规模利利用太阳阳能，提提供廉价价电能具具有重要要意义。但但以有机机材料制制备太阳阳能电池池的研究究仅仅刚刚开始，不不

28、论是使使用寿命命，还是是电池效效率都不不能和无无机材料料特别是是硅电池池相比。能能否发展展成为具具有实用用意义的的产品，还还有待于于进一步步研究探探索。 C，纳米晶晶化学太太阳能电电池在太阳能电电池中硅硅系太阳阳能电池池无疑是是发展最最成熟的的，但由由于成本本居高不不下，远远不能满满足大规规模推广广应用的的要求。为为此，人人们一直直不断在在工艺、新新材料、电电池薄膜膜化等方方面进行行探索，而而这当中中新近发发展的纳纳米TiiO2晶晶体化学学能太阳阳能电池池受到国国内外科科学家的的重视。 自瑞士Grratzzel教教授研制制成功纳纳米TiiO2化化学大阳阳能电池池以来，国国内一些些单位也也正在进

29、进行这方方面的研研究。纳纳米晶化化学太阳阳能电池池（简称称NPCC电池）是是由一种种在禁带带半导体体材料修修饰、组组装到另另一种大大能隙半半导体材材料上形形成的，窄窄禁带半半导体材材料采用用过渡金金属Ruu以及OOs等的的有机化化合物敏敏化染料料，大能能隙半导导体材料料为纳米米多晶TTiO22并制成成电极，此此外NPPC电池池还选用用适当的的氧化一一还原电电解质。纳纳米晶TTiO22工作原原理：染染料分子子吸收太太阳光能能跃迁到到激发态态，激发发态不稳稳定，电电子快速速注入到到紧邻的的TiOO2导带带，染料料中失去去的电子子则很快快从电解解质中得得到补偿偿，进入入TiOO2导带带中的电电于最终

30、终进入导导电膜,然后通通过外回回路产生生光电流流。 纳米晶TiiO2太太阳能电电池的优优点在于于它廉价价的成本本和简单单的工艺艺及稳定定的性能能。其光光电效率率稳定在在10以上，制制作成本本仅为硅硅太阳电电池的11/51/110寿寿命能达达到2OO年以上上。但由由于此类类电池的的研究和和开发刚刚刚起步步，估计计不久的的将来会会逐步走走上市场场。从以上上几个方方面的讨讨论可知知，作为为太阳能能电池的的材料，IIII-V族化化合物及及CISS等系由由稀有元元素所制制备，尽尽管以它它们制成成的太阳阳能电池池转换效效率很高高，但从从材料来来源看，这这类太阳阳能电池池将来不不可能占占据主导导地位。而而另

31、两类类电池纳纳米晶太太阳能电电池和聚聚合物修修饰电极极太阳能能电地存存在的问问题，它它们的研研究刚刚刚起步，技技术不是是很成熟熟，转换换效率还还比较低低，这两两类电池池还处于于探索阶阶段，短短时间内内不可能能替代应应系太阳阳能电池池。因此此，从转转换效率率和材料料的来源源角度讲讲，今后后发展的的重点仍仍是硅太太阳能电电池特别别是多晶晶硅和非非晶硅薄薄膜电池池。由于于多晶硅硅和非晶晶硅薄膜膜电池具具有较高高的转换换效率和和相对较较低的成成本，将将最终取取代单晶晶硅电池池，成为为市场的的主导产产品。 提高转换效效率和降降低成本本是太阳阳能电池池制备中中考虑的的两个主主要因素素，对于于目前的的硅系太太阳能电电池，要要想再进进一步提提高转换换效率是是比较困困难的。因因此，今今后研究究的重点点除继续续开发新新的电池池材料外外应集中中在如何何降低成成本上来来，现有有的高转转换效率率的太阳阳能电池池是在高高质量的的硅片上上制成的的，这是是制造硅硅太阳能能电池最最费钱的的部分。因因此，在在如何保保证转换换效率仍仍较高的的情况下下来降低低衬底的的成本就就显得尤尤为重要要。也是是今后太太阳能电电池发展展急需解解决的问问题。近近来国外外曾采用用某些技技术制得得硅条带带作为多多