薄膜太阳能发展分析

1、PAGE PAGE 30薄膜太阳能光伏产业发展分析报告（完整版）目录一、引言2二、薄膜太太阳能光光伏产业业的发展展现状和和趋势2（一）薄膜膜太阳能能电池定定义22（二）薄膜膜太阳能能电池分分类及应应用33（三）薄膜膜太阳能能光伏产产业发展展现状5（四）薄膜膜太阳能能光伏产产业发展展趋势7三、薄膜太太阳能电电池生产产厂家概概况11（一）国外外薄膜太太阳能电电池生产产厂家111（二）国内内薄膜太太阳能电电池生产产厂家220四、总结25五、建议277一、引言2004年年德国光光伏补贴贴政府引引爆了光光伏产业业，光伏伏产业强强势需求求造就了了多晶硅硅原料企企业的超超高利润润，而220077年美国国Fi

2、rrst Sollar的的亮丽表表现则带带来了薄薄膜产业业的新纪纪元，11.3 美元/瓦的低低成本，111%左左右的转转换率，欧欧洲北美美的巨额额订单，不不受原料料限制的的大规模模生产成成就了FFirsst SSolaar的高高利润，高高收入，高高可靠的的盈利预预期，也也促使业业界发现现属于薄薄膜时代代的来临临。在20077年和20008年年间，全球球光伏产产业最为为火热的的环节就就是薄膜膜领域，不不断有新新的项目目发布或或者投产产，有限限的设备备公司订订单已经经排到11年以后后，而且且新增订订单不断断，除了了美国 Firrst Sollar,日本夏夏普也开开始大规规模投入入薄膜领领域，而而德

3、国的的Q-CCELLL肖特等等也大力力投入薄薄膜事业业，台湾湾几乎瞬瞬间投入入了超过过 100 个薄薄膜项目目，国内内的非晶晶硅龙头头拓日新新能源顺顺利上市市，新澳澳集团高高调介入入等等都都显示薄薄膜正在在吸引越越来越多多的资本本和关注注；薄膜膜自身的的发电优优势和低低成本也也将会是是下降光光伏发电电成本的的一大主主要驱动动力。二、薄膜太太阳能光光伏产业业的发展展现状和和趋势薄膜太阳能能光伏产产业主要要由CddTe（碲碲化镉）、 CIS（铜铟硒）/CIGS（铜铟硒镓）、硅基薄膜三类电池组成。（一） 薄薄膜太阳阳能电池池定义薄膜太阳能能电池，指在塑胶、玻璃或是金属基板上形成可产生光电效应的薄膜。

4、这种薄膜厚厚度仅需需数m，在在同一受受光面积积之下可可较硅晶晶圆太阳阳能电池池大幅减减少原料料的用量量。（二） 薄薄膜太阳阳能电池池分类及及应用CdTe（碲碲化镉）薄薄膜薄膜层为CCdTee/CddS（碲碲化镉）材材料的太太阳能电电池，主主要用于于光伏发发电。CIS（铜铜铟硒）/CIGGS（铜铜铟硒镓镓）薄膜膜CIS(CCoppper Inddiumm Diiselleniide)或是CIIGS(Coppperr Inndiuum Gallliuum DDiseelennidee),主主要用于于光伏发发电。硅基薄膜主要是指薄薄膜层带带 A-Si的的薄膜电电池，根根据设备备的生产产工艺可可以分为

5、为下面的的几种：单结AA-Siia-ssi/ uc -sii（非晶晶/微晶）、 双结a-si/uc-si（非晶/微晶）、三结非晶硅等,主要用于光伏发电。GaAs(砷化镓镓)薄膜GaAs Mulltijjucttionn(多接接面砷化化镓)在单晶晶硅基板板上以化化学气相相沉积法法成长 GaAAs薄膜膜所制成成的薄膜膜太阳能能电池。具有30%以上的的高转换换效率，很很早就被被应用於於人造卫卫星的太太阳能电电池板。新一代的 GaAAs(砷砷化镓)多接面面 (将多多层不同同材料叠叠层)太阳能能电池，如如 GaaAs、Ge 和 GaaInPP2三接接面电池池，可吸吸收光谱谱范围极极广，转转换效率率目前已

6、已可高达达39%，是转转换效率率最高的的太阳能能电池种种类，而而且性质质稳定，寿寿命也相相当长。不不过此种种太阳能能电池的的价格也也极为昂昂贵，平平均每瓦瓦价格可可高出多多晶矽太太阳能电电池百倍倍以上，因因此除了了太空等等特殊用用途之外外，预期期并不会会成为商商业生产产的主流流。色素敏化染染料 (Dyee-Seensiitizzed Sollar Celll)是太阳能电电池中相相当新颖颖的技术术产品是是由透明明导电基基板、二二氧化钛钛(TiiO2)纳米微微粒薄膜膜、染料料(光敏化化剂)、电解解质和 ITOO电极所所组成。此种太阳能能电池的的优点在在於二氧氧化钛和和染料的的材料成成本都相相对便宜

7、宜，又可可以利用用印刷的的方法大大量制造造，基板板材料也也可更多多元化。不不过目前前主要缺缺点：一一是在於於转换效效率仍然然相当低低(平均约约在78%，实实验室产产品可达达 100%)，且且在 UUV 照照射和高高热下会会出现严严重的光光劣化现现象，二二是在于于封装过过程较为为困难(主要是是 因为其其中的电电解质的的影响)，因此此目前仍仍然是以以实验室室产品为为主。然然而，基基於其低低廉成本本以及广广泛应用用层面的的吸引力力， 多家实实验机构构仍然在在积极进进行技术术的突破破。有机导电高高分子(Orgganiic/ppolyymerr soolarr ceellss)有机导电高高分子太太阳能电

8、电池是直直接利用用有机高高分子半半导体薄薄膜(通常厚厚度约为为 1000nmm)作为为感光和和发电材材料。此种技术共共有两大大优点：一在於於薄膜制制程容易易(可用喷喷墨、浸浸泡涂布布 等方式式)，而且且可利用用化学合合成技术术改变分分子结构构，以提提升效率率，另一一优点是是采用软软性塑胶胶作为基基板材料料，因此此质轻，且且具有高高度的可可挠性。 目前市面上上已经有有多家公公司推出出该类产产品，应应用在可可携式电电子产品品如NBB、PDAA的户外外充电上上面，市市场领导导者是美美国 KKonaarkaa 公司司。不过过，由于于转换效效率过低低(约455%)的的最大缺缺点，因因此此种种太阳能能电池

9、的的未来发发展市场场应该是是结合电电子产品品的整合合性应用用，而非非大规模模的太阳阳能发电电。InP(磷磷化铟)电池薄膜层为 InPP(磷化化铟)材料的的太阳能能电池，类类似于 GaAAs 电电池，高高转换率率，高价价格，预预计很难难在发电电市场获获得应用用，主要要是太空空应用。Poly-Si （ Crrysttalllinee Sillicoon oon GGlasss）薄薄膜德国 Q-CELLL 旗旗下的一一个 CCSG 公司专专注的一一种电池池，原理理就是CCrysstalllinne SSiliiconn onn Gllasss （玻玻璃衬底底上直接接镀多晶晶硅薄膜膜）。暂暂时没有有投

10、产，主主要是光光伏发电电用。（三）薄膜膜太阳能能光伏产产业发展展现状在目前多晶晶硅原材材料成本本居高不不下的情情况下，各各厂商纷纷纷转而而寻求技技术创新新，而近期期薄膜技技术领域域的突破破使其成成为太阳阳能电池池产业新新的热点点。2007年年美国FFirsst SSolaar以11.3美美元/瓦瓦的低成成本，111%左左右的转转换率，拿拿下欧洲洲北美的的巨额订订单，不不受原料料限制的的大规模模生产为为薄膜产产业的发发展带来来新的活活力。随随着Fiirstt Soolarr在薄膜膜技术领领域的成成功，薄薄膜技术术在太阳阳能光伏伏产业的的应用逐逐渐升温温。和晶硅硅太阳能能电池相相比，薄薄膜太阳阳能

11、电池池具有以以下优势势：1、成成本优势势明显：多晶硅硅材料价价格较高，薄薄膜太阳阳能电池池成本优优势凸现现。作为太太阳能电电池和半半导体的的重要材材料，多多晶硅国国际市场场价格一一路飙升升，从220022年20008年年上涨了了十几倍倍，这种种利益驱驱动也促促使国内内多晶硅硅项目投投资热渐渐趋升温温。然而而考虑下下游的迅迅速扩张张、供需需形势并并无根本本性改观观，20008年年上半年年多晶硅硅供应紧紧张的局局面较去去年并未未得到缓缓解，价价格仍维维持高位位。薄膜太太阳能电电池较少少使用晶晶体硅材材料，相相对于高高昂的晶晶体硅材材料来说说这给其其成本控控制带来来很大的的下降空空间。据据测算即即使

12、在55MW的的生产规规模下，非非晶硅薄薄膜太阳阳能电池组组件的生生产成本本也在22美元/瓦以下下，而单单线产能能达到440MWW-600MW甚甚至更高高的全自自动化生生产线，其其产品生生产成本本则更低低。相对对于平均均3.55美元/瓦的国国际市场场销售价价格而言言，其利利润空间间可见一一斑。 22、能量量返回期期短 转转换效率率为6%的非晶晶硅太阳阳能电池，其其生产用用电约11.9度度电/瓦瓦，由它它发电后后返回的的时间约约为1.5-22年，这这是晶硅硅太阳能能电池无无法比拟拟的。 33、大面面积自动动化生产产目前，世界界上最大大的非晶晶硅太阳阳能电池是是Swiitzllandd Unnaxi

13、is的KKAI-12000 PPECVVD 设设备生产产的11100mmm*112500mm单单结晶非非晶硅太太阳能电池，起起初是效效率高于于9%。其其稳定输输出功率率接近880W/片。商品晶体硅硅太阳能能电池还还是以1156mmm*1156mmm和1125mmm*1125mmm为主主。4、弱光响响应好(充电效效率高)上海尤力卡卡公司曾曾在中国国甘肃省省酒泉市市安装一一套65500瓦瓦非晶硅硅太阳能能电站，其其每千瓦瓦发电量量为13300KKWh，而而晶体硅硅太阳能能电池每每千瓦的的年发电电量约为为11000-112000KWhh。 5、技术突突破带来来应用新新方向：组合建建筑，环环保又节节能

14、薄膜太太阳能电电池适合合与建筑筑结合的的光伏发发电组件件(BIIPV)：双层层玻璃封封装刚性性的薄膜膜太阳能能电池组组件，可可以根据据需要，制制作成不不同的透透光率，可可以部分分代替玻玻璃幕墙墙，而不不锈钢和和聚合物物衬底的的柔性薄薄膜太阳阳能电池池适用于于建筑屋屋顶等需需要造型型的部分分。将薄薄膜太阳阳能电池池应用于于城市大大量的既既有和待待开发的的建筑外外立面和和屋顶，避避免了现现有玻璃璃幕墙的的光污染染问题，能能代替建建材，同同时发电电又节能能，将成成为未来来城市利利用光伏伏发电的的主要方方向。当然，以目目前的技技术水平平来说，在在非晶硅硅薄膜太太阳能电电池应用用方面，还存在一些问题：1

15、、效率低低单晶硅太阳阳能电池池，单体体效率为为14%-177%(AAMO)，而柔柔性基体体非晶硅硅太阳电电池组件件（约110000平方厘厘米）的的效率为为10-12%，还存存在一定定差距。2、稳定性性差其不稳定性性集中体体现在其其能量转转换效率率随辐照照时间的的延长而而变化，直直到数百百或数千千小时后后才稳定定。这个个问题一一定程度度上影响响了这种种低成本本太阳能能电池的的应用。3、相同的的输出电电量所需需太阳能能电池面面积增加加与晶体硅电电池相比比，每瓦瓦的电池池面积会会增加约约一倍，在在安装空空间和光光照面积积有限的的情况下下限制了了它的应应用厂商纷纷纷投产产，薄膜膜技术应应用渐趋趋升温薄

16、膜技技术的进进步给厂厂商带来来了新的的发展思思路，也也正是看看到20007年年Firrst Sollar在在薄膜太太阳能电电池领域域的出色色表现，各各厂商纷纷纷投产产进军薄薄膜领域域。20005年年4月夏夏普开始始正式受受理薄膜膜太阳能能电池定定单。220077年111月底建建设新生生产线，并并于20008年年10月月夏普举举行了供供货仪式式，将薄薄膜硅太太阳能电电池的年年生产能能力从115MWW提高到到1600MW。国国内厂商商如津能能、南通通、孚日日股份、金金太阳等等厂商已已经制定定投产或或扩产计计划。（四）薄膜膜太阳能能光伏产产业发展展趋势CdTe（碲碲化镉）薄膜、CIS（铜铟硒）/CI

17、GS（铜铟硒镓）薄膜和硅基薄膜广泛用于光伏发电，将占据市场主流，成为薄膜太阳能电池中的佼佼者。其发展趋势分别如下：CdTe太太阳能电电池具有有技术成成熟、转转换效率率高、发发电量高高、成本本低等优优势，在在20007年其其全球出出货量约约1800MW（仅仅次于硅硅基薄膜膜，在薄薄膜领域域排名第第二），目目前CddTe电电池商业业化产品品效率已已超过112。 截截至20008年年1月，美美国部分分企业实实验室CCdTee组件的的转换率率高达116.55%，具具体到商商业化生生产中，短短时间内内很难达到到这个水水平。CIGS 在高光光电效率率低材料料成本的的好处下下(在实实验室完完成的 CIGGS

18、 光光电池，光光电效率率最高可可达约119，就模模块而言言，最高高亦可达达约133)。面面临三个个主要困困难要克克服：（11）制程程复杂，投投资成本本高；（22）关键键原料的的供应；（3）缓缓冲层CCdS潜潜在毒害害。截至20008年22月，全全球CIIS/CCIGSS 电池池的实验验室最高高转换率率达199.5%，具体体到商业业化生产产中，短短时间内内很难达到到这个水水平。截至 20008 年 22 月，全全球硅基基薄膜组组件主要要有三种种：单结结非晶硅硅和双结结非晶硅硅组件转转换率55%-88% ，双双结非晶晶硅/微微晶硅组组件转换换率 8%-10%，三结结非晶硅硅组件转转换率88%左右右

19、。不过过由于硅硅基薄膜膜的基数数比较大大，就算算到 220133年依然然是薄膜膜中的霸霸主。而而目前新新上的项项目主要要是单结结非晶硅硅、双结结非晶硅硅和非晶晶/微晶晶硅。其其中亚太太地区（中中国台湾湾地区等等）主要要是单结结、双结结非晶硅硅日本地地区主要要是非晶晶/微晶晶硅。欧欧洲主要要是双结结非晶硅硅和非晶晶/微晶晶硅。美美国三结结非晶硅硅占据不不错的地地位，同同时其他他非晶薄薄膜也有有涉及。从从成本的的角度来来看，非非晶/微微晶的成成本在硅硅基薄膜膜中最高高，其次次就是三三结非晶晶硅，双双结非晶晶硅，成成本最低低的就是是单结非非晶硅，非非晶硅薄薄膜设备备投资占占据主要要成本，而而转换率率

20、数据除除了跟设设备有关关系外，自自己的调调试和开开发能力力也有一一定的重重要性。上述列举CCdTee（碲化化镉）薄薄膜、CCIS（铜铜铟硒）/CIGGS（铜铜铟硒镓镓）薄膜膜和硅基基薄膜各各产能、产产量及市市场份额额现状和和趋势如如下表：全球产能：兆瓦2007 年2008 年2009 年2010 年2011 年2012 年2013 年CdTe33050811531865270535553625CIS/CCIGSS126.55269464591.55721.558801070硅基薄膜43414682090.52680.5311937464158全球890.5522453707.551376545

21、.581818853CdTe 市场份份额37.066%22.633%31.100%36.311%41.333%43.455%40.955%CIS/CCIGSS 市场场份额14.211%11.988%12.522%11.511%11.022%10.766%12.099%硅基薄膜市市场份额额48.744%65.399%56.399%52.188%47.655%45.799%46.977%全球市场份份额100.000%100.000%100.000%100.000%100.000%100.000%100.000%全球产量：兆瓦2007 年2008 年2009 年2010 年2011 年2012 年2

22、013 年CdTe1803507211224196027373136CIS/CCIGSS25.484.5185.55341.55484627.55773硅基薄膜217.2258511041605214426493151全球422.661019.52010.53170.545886013.57060CdTe 市场份份额（%）42.59934.33335.86638.61142.72245.51144.422CIS/CCIGSS 市场场份额（%）6.018.299.2310.77710.55510.43310.955硅基薄膜市市场份额额（%）51.40057.38854.91150.62246.7

23、3344.05544.633全球市场份份额（%）100.000100.000100.000100.000100.000100.000100.000目前，国内内外厂商商的纷纷纷投产促促进了薄薄膜电池池市场的的快速增增长，未未来两年年伴随各各厂商投投产产能能的释放放，薄膜膜电池市市场将稳稳步提升升，20010年年其市场场份额有有望达到到15%。薄膜技术的的兴起带带动了国国内新一一轮太阳阳能光伏伏产业投投资热潮潮，未来来3-55年随着着薄膜技技术的日日趋成熟熟，碲化化镉(CCdTee)和CCIGSS等技术术将会有有新的突突破，卷卷式(rrolll-too-rooll)设备和和可印刷刷铜/铟铟/镓/硒

24、(CCIGSS)墨水水等设备备应用的的技术创创新也会会取得新新进展。这这将有望望进一步步带动中中国太阳阳能光伏伏产业新新一轮增增长。特别是 220088 年由由于美国国应用材材料，瑞瑞士 OOerllikoon，日日本ULLVACC 等顶顶级的设设备厂商商大量推推出标准准设备，同同时韩国国 Juusunng，美美国XssunXX 等设设备企业业的介入入促使全全球范围围大规模模生产非非晶硅成成为可能能，另外外一些小小尺寸的的非晶硅硅设备企企业（比比如中国国国内的的普乐新新能源，上上海思博博露科技技，北京京的北仪仪创新，美美国的 EPVVNannoPVV，香港港的华基基光电，匈匈牙利的的 Enne

25、rggoSoolarr， 欧欧洲的 STFF 等相相继推出出低成本本的 55 兆瓦瓦生产线线也获得得了客户户的青睐睐，设备备的驱动动及大量量资本的的进入促促使 220077 年和和 20008 年称为为非晶硅硅大规模模应用的的元年，也也因此导导致晶硅硅和非晶晶硅的格格局将会会因此而而改变。三、薄膜太太阳能电电池生产产厂家概概况（一）国外外薄膜太太阳能电电池生产产厂家见下表序号厂家名称（国别）产品类型产能及其他他1Firstt olaar（美美国）碲化镉镉）2007年年产量2200MMW，年年成长率率达2333%，成成为全球球第五大大太阳能能电池制制造商，是是全球前前十大太太阳能电电池制造造商中

26、唯唯一专职职从事薄薄膜技术术者，也也是美国国最大的的太阳能能电池制制造商，非晶硅领域全球最大的电池或者电池板公司。产能约210瓦，产量65 兆瓦截截至 07 年年底底产品转转换率: 23 约 7%206 年约约 9%207 年约05%。2Antecc Soolarr EnnerggyAG（德德国）碲化镉镉）CDTE(碲化镉镉)电池组组件产量量产能都都是全球球第二（仅仅次于 Firrst Solla，非晶晶硅池领域域全球核核心企业业之一。205年年能10 兆瓦量 75 兆瓦206 年产还是0兆产量 77.5兆兆瓦；207 年产能能达到25兆瓦，当产量 1 兆；208-00 年产能能预计还还是保持

27、持25兆瓦，产产量逐步步爬升。3ARENDDI SSRL（意大利）碲化镉镉）27 产能为为15 兆瓦，另另外有三三个Fiirstt olaar的基基地总产产能为2250MMW。4Canroom PPhottovoolicss（美国国）碲化镉镉）碲化镉薄膜膜太阳电电池组件件全球排排名第三三，非常小小规模的的实验生生产（11 兆产能）。207年年产达到5兆，预计 29年增加加到 5 兆瓦瓦。5CAYXXO GGMBHH（Q-CCell）（德国国）碲化镉镉）205 年产达到 25 兆，预计 2 年增加加到 兆瓦。6Primeer SSolaar（GE EEnrgyy）（美国）碲化镉镉）全体团队成成员

28、大约约 0 多全部部为资深深专家并且研研发了转转换率高高达 15%的组件，下一步步预计就就是规模模生产，预计 20008年会启启动200-300兆瓦的的生产线线，接着进进行更多多的扩产产，不过最最快预计计也需要要到 20009 年才能能投产。7ASSolaar（美美国）碲化镉镉）A 公公司拥有技术术资本市市场丰富富的管理理层，同同时有一一些资本本公司的的支持，一一期支持持了一个个 3 兆瓦的的初产项项目（这这个项目目于 220077 年 9 月试产产，无限接接近大规规模生产产的经验验，同时在在207 年获得得另外一一个资本本公司的的投资，计划 208 年之前上上 20 兆瓦瓦的项目目8Wrth

29、h Soolarr（德国国）CIS（铜铜铟硒）206年年能14 兆瓦07 年能48 兆瓦08 年产能能25 兆瓦瓦。9HondaaSolltecc（日本）CIGS（铜铟硒镓镓）日本最大的的 CIIGS 电池组组件公司司，也是是全球主主要的 CIGGS 公公司之一一。207 年6月投产产后的产产能是 27.5 瓦，暂时没没有看到到官方的的扩产计计划。10Globaal SSolaar（美美国）CIGS（铜铟硒镓镓）CIGS 领域具具有不错错的地位位，从目目前的转转换率来来看，也也是 CCIGSS 领域域具有一一定地位位的公司司，而且且从业时时间也是是比较长长的。从从转换率率来看：德国 Wrrth

30、 Sollar 11.50%全球 CCIGSS 最高高，Gllobaal SSolaar 99.8% 占占据第二二，预计 20008 年产能能从 220077 年的的 4.2 兆兆瓦提升升到 440 兆兆瓦，220099 年进进一。11Showaa Shhelll Soolarr（日本）CIS（铜铜铟硒）日本第二大大的 CCIGSS 电池池组件公公司也是全全球主要要的 CCIGSS 公司司之一。207年年7投产一一期工厂厂0兆瓦能同时开开始建设设第二期期的工厂厂。12Miasool、（美国）CIGS（铜铟硒镓镓）CIGS 电池组件件组装，美国州Sana laa基地生产池中国海进行207年年生产

31、的的电池全部运送中国组装，暂时没有公公告客户情况，不过预计计初期试试验合作作客户及及欧洲客客户为主主。13Johnnna Sollar（德德国）CIGSSSe（铜铟镓硫硫硒）全球首个个 CIIGSSSe 电池企企业。预预计主要要市场是是德国市市（超过过0另外会会有%销售到到西班牙牙、意大利等等国家或或者地区区。14Ascennt SSolaa（美国国）CIGS（铜铟硒镓镓）美国主要 CIGGS 电电池组件件企业之之一。208 年初产首期期 1.55 兆瓦的的产能，同时建建设二期期 25 兆瓦的的产能，预计二二期产能能在 29 年底投投产主要销销售市场场是美国国和欧洲洲市场。15ISET（美国）

32、CIGS（铜铟硒镓镓）产品实验室室转换率率可以达达到 1.6具有一一定的技技术实力力但没有有公布任任何产能能及扩产产计划。16Uniteed SSolaar OOvonniA-Si/A-SSGe/A-SSGe（以掺锗的的三层结结构、以以可挠式式的不锈锈钢金属属基板为为主力产产品）全球最大非非晶硅电池生生产企业，只专注于三结结。20007年，以以48MMW的产产量成为为薄膜太太阳能电电池第二二大生产产商，也也是硅薄薄膜技术术的最大大生产商商。FY20007宣称称其电池池效率最最高可达达13%，模组组效率最最高可达达8.55%。200001-0660 财年入 8.5 百美元利润 88.6 百万美美

33、销量约32兆瓦，三结组件均均价约273美元/瓦；207财年（20001-0760）阳能收收入94 百万美美元产量 0 兆。17Kanekka SSolaarteech（日日本）a-Si/a-Pooly-Si（双结：非非晶/非非多晶）全球第二大大的硅基基薄膜电电池或者者电池板板提供商商。2007年年以488MW的的产量成成为薄膜膜太阳能能电池第第三大生生产商。主力销售产产品是玻玻璃基板板的单层层a-SSi的太太阳能电电池/模模组，模模组效率率已可达达8%。205 年电产能 3 兆206 年池产能能约 0 兆瓦瓦210 年产产能扩产产到 10 瓦 产量 0 兆瓦瓦。18Sharpp Thhin F

34、illm（日本）a-Si/c-Si/a-SSiGaAAs（三结：非非晶/微微晶/非非晶砷化化镓）目前仍多以以量产单单层a-Si产产品为主主，其薄薄膜主力力产品是是为a-Si/c-SSi的堆堆叠式(tanndemm)产品品，20007年产产量211MW，为薄膜膜太阳能能电池厂厂商第五五大，也是前前十大薄薄膜太阳阳能电池池厂商中中唯一商商业化量量产销售售a-SSi/c-SSi堆叠叠式产品品的厂商商。2007 年年之前薄薄膜产能能 5 兆瓦其中 aa-Sii/ccSi （双结结2 兆瓦，GGaAss 3 兆瓦208年夏打算投投资20亿日本本将膜产能能提升到到10兆（截至至 08 年10 并且争争取

35、00 年将薄薄产能提提升到 0000兆（210 年 3 月开投产）。A现T(成备公ECOP行玻板产的以Tp ni用ED的基吋.X419MHI(MMiubiishii Heaavy Inddusttriees)（日日本）/c-Si（双结：非非晶/微微晶）202 年结10 兆瓦27 年扩产产非/微晶叠叠层 0 兆瓦瓦20Bangkkok Sollar（泰国）a-Si ndeem（叠层非晶晶）a-Si ndeem薄膜电电池全球球主流企企业之一一。 077 产能达达到 0 兆瓦，是产产能最大大的几个个全球性性企业之之一同时也也是泰国国唯一一一个太阳阳能电池池企业。21SanooAmoortoon（日本

36、）a-Si Sinnglee（非单晶）三洋从19980年即开开展这项项业务，是产品种种类最为为齐全的的企业由于这这些产品品的用量量非常少少所以三三洋 Aortn 一直持 5 兆瓦不不动。22Schottt SSolaar TThinn Fiilm（德德国）Si/cc-Sii（非晶/微微晶）首期一条非非晶/微晶生生产线 3 兆瓦预计 20 递增一一条线达达到 6 兆瓦。23EPV SSolaar（美美国）a-Si ndeem（叠层非晶晶）207 年产为 133.255 兆，207 年 6 月融资资 777.5 百万美美元准备备在数年年内递增增 85 兆瓦产产能的太太阳能企企业。首期 25 瓦的产

37、产能计划划 208年达到到85 兆瓦的的能，届时总总产能达达到 10 兆瓦。24CSG SSolaar（德德国）Poly-Si（玻璃衬底底上直接接镀多晶晶硅薄膜膜）全球唯一一一个Pooly-S（rstaalliie Slionon Glaas薄膜组组生产企企业。组件转转换率为为 7%左右。205 年开建设206 年投投产 0 瓦产能能27 年投产产20 兆瓦瓦产。25富士电（日本A-Si/A-SSiGee（渗锗双层层非晶）A-Si/A-SSiGee 电池组组件转换换率 8%左，属于薄薄膜领域域专注的的企业塑塑料衬底底（pasttic fill）的双结非非晶硅太太阳电池池，稳定效效率 8. 20

38、7 年产能能 12 兆瓦，08年 10 月达到到 40 兆瓦。26Ersoll Thiin FFilmm（德国）A-Si Sinnglee, aa-Sii/cc-Sii（非单晶，非非晶/微微晶）207 年底A-SSi SSinggle 薄膜 0 兆产能全球主主要的大大型公司司之一。27Moserr Baaer Phooto olaicc（印度）Si Siinglle（非单晶）首期 40M（另追追加 5MWW，实际际投资金金额约 5 亿美美元），预计208 年下下半年投投产。（二）国内内薄膜太太阳能电电池生产产厂家序号厂家名称（地地区）产品类别产能及其他他1拓日新能源源（深圳圳）Si andee

39、m（叠层非晶晶）同时生产销销售单晶晶硅、多晶硅、非晶硅硅电池；205 年非硅电池池产量 4.66 兆（产能能 6 兆而 26年晶硅电电池产量量 873 兆（产能能0瓦，07 年保持持非晶硅硅产能 0 兆产量预预计 99.5 兆瓦内最大大的非晶晶硅企业业之一。2北京世华（北京）-Si ndeem（叠层非晶晶）203 年成并宣布布进行非非晶硅太太阳能生生产线的的建设设计产产能为 0 瓦暂时没没有任何何生产线线投产。3中国建材国际工程（蚌埠）Si andeem（叠层非晶晶）09年拟定定两年内内计划上上1000MW的的薄膜太太阳能电电池。4大丰能源科技（台湾竹南南）Si andeem（叠层非晶晶）台湾

40、第一家家生产太太阳能非非晶硅电电池的企企业同时也也是目前前台湾地地区薄膜膜电池最最大的生生产企业业206 年及前的产产能是 3 兆瓦，07 年产能能 8 兆瓦。5天津津能（天津）A-Si ndeem（叠层非晶晶）206 年非硅电池池的产量量 25 兆瓦国内非非晶硅领领域排名名靠前 207 年量5 兆瓦，国薄膜仅仅次于深深圳拓日日。6普乐新能源源（安徽徽蚌埠）SiSiinglle,ndeem（叠层非单单晶）截止 207 年1 月大积已经经做到 5W大面的初始始效率在在6%左右右，稳定效效率5.7%7深圳创益（深圳）A-Si Sinnglee（叠层非晶晶）206 年 A-Si Sinnglee 单

41、结晶硅电电池产量量 25 兆瓦非晶硅硅领域前前5 名；A-Si Sinnglee 电池池换率应应该在 5.00%左右。规划从 226 年到 20 ，分三三期建成成拥有年年产 00 至 0 8深圳日月环环（深圳圳）Si Siinglle（叠层非单单晶）预计没有电电池组件件或者电电池方面面的产品品，主要供一些些下游产产品。9黑龙江哈克克（哈尔尔滨）Si Siinglle（叠层非单单晶）单结非晶硅硅转换率率应该是是 5%以内主要国国内销售售。预计计销售额额在 50 万元元人民币币以内。10新奥集团（河北廊坊坊）a-Si ndeem（叠层非晶晶）到 20110 年产非晶晶硅薄膜膜太阳能能电池 50MW

42、，首期 50 兆瓦，双结晶硅（预预计转换换率 6%右）。11无锡尚德（上海）/c-Si（非晶/微微晶）208 年年开始投投产（产产能 40 兆），009 年增产能能到50 兆瓦，开始的的转换率率 6%左右采用非非晶/微晶双双结。12绿能科技（台湾桃园园） Siinglle（非单晶）208 年底30 兆瓦29 年年底底50 兆瓦瓦。13富阳光电（台湾桃园园）a-Si Sinnglee（非单晶）208 年第季度 0 兆瓦 第三季季度 0 兆瓦首期 22 条生产产线，每条产产能 0 兆瓦；计划 29 新增一一条达到到 0 兆14宇通光能（台湾台南南）Si/cc-Sii（非晶/微微晶）公司主要要以专注

43、注研发转转换效率率大于 8.55%之双藕藕合(dduall unton非晶晶硅薄薄膜太阳阳能电池池。预估完成 设备安安装后初期单单条线的产能能为60百万瓦瓦 15威海蓝星泰泰瑞光电电（威海）Si andeem（叠层非晶晶）无法参考。16吉富中国投投资（山东烟台台）Si Siinglle（非单晶）50MW（2 线）单单结非晶晶硅（之之后再导导入微晶晶硅设备备，升级为双双结非晶晶硅/微晶硅硅，产能可可增4MW，至6MW）17联相光电（台湾台中中）Si Siinglle（非单晶）25M（1 线单结非非晶（可以以升级为为双结非非晶硅/微晶硅生生产线 2 兆瓦瓦），量产时时间208 年第季度（33 月）

44、投产产。18旭能光电（台湾台中中）Si Siinglle（非单晶）25M（1 线单结非非晶（可以以升级为为双结非非晶硅/微晶硅生生产线 2 兆瓦瓦），208 年年（6-88 月份投产19强生光电（南通）a-Si ndeem（叠层非晶晶）288 年1 月投（公司司网站报报道）产产能5 兆瓦。20源畅光电（常州）Si andeem（叠层非晶晶）第一条55兆瓦生生产于207年8 月投产产，后续增增加到 1 条生线总计计 15 兆瓦瓦。21赣能华基新新能源（江西）Si andeem（叠层非晶晶）从事非晶硅硅光电薄薄膜电池池的生产产和销售售投资建建设初期期规模一一（年 产能 5M、最终终规模十十条（年年产能 5MW的非晶晶硅光电电薄膜电电池生产产线。22中山铨欣照照明电器器（中山）a-Si ndeem（叠层非晶晶）208 （截止止 28 年 5 月8 已经 0 兆全部投投产）。23浙江慈能光光伏（杭杭州）Si andeem（叠层非晶晶）产能：100 瓦。24沈阳汉锋（沈阳）a-Si ndeem（叠层非晶