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课程编号课程编号得分教师签名批改日期深圳大学实验报告课程名称:大学物理实验(一)实验名称:PN结伏安特性的测量学院:指导教师:报告人:组号:学号实验地点实验时间:提交时间:一、实验目的实验要求作出PN结正,反向伏安特性曲线,以直观理解PN结正向导通,反向截止的点特新,为理解半导体内部带电粒子飘移,扩散等运动提供强有力的事实依据。为得出准确合理的曲线,需正确地连接实验线路,弄清伏安法内接和外接的区别以及待测阻值大小与之相应的接法;需采集微小变化量,非线性点的原始数据。在采集正反向曲线(U,I)点时应区别对待。
通过本实验激发试验者的空间想象,逻辑推理能力,训练应变能力以及强化严谨分析问题的能力和务实的工作作风,形成科学探索研究素质、本实验着重培养和提高实验者在半导体领域的基本实验测试技术。二、实验原理半导体分本征和杂质两大类。纯净的无杂质的半导体称为本征半导体。在本征半导体中掺入微量的杂质,将显著地改变半导体的特性,成为杂质半导体。若在锗中掺入百万分之一的砷后,其导电率将提高数万倍。杂质半导体分为空穴型(P型)和电子型(N型)两种。下面对它们的导电性分别作一些简要的说明。如图7-1所示,将五价杂质原子砷(As)掺入到四价硅(Si)中,砷有五个价电子,其中四个价电子与相邻的硅原子形成共价键,第五个价电子所受的束缚较小,它可环绕带正电的砷离子(As+)运动。砷这类五价杂质称为施主杂质。由于含有施主杂志半导体的载流子为电子,故掺有施主杂志的半导体也叫做N型半导体。如图7-2所示,将三价杂质原子硼(B)掺入到四价半导体锗(Ge)中,由于硼有三个价电子,它和相邻的锗原子构成共价键时,缺少一个价电子,于是就存在一个带+e电荷的空穴。这个空穴在带+e电荷的硼离子的作用下,将环绕带负电的硼离子(B-)运动。硼这类三价杂质则称为受主杂质。由于含有受主杂质半导体的载流子为空穴,故掺有受主杂质的半导体也叫做P型半导体。当P型半导体和N型半导体相接触时,在它们相接触的区域就形成了PN结。实验中发现,PN结两端没有加外电压时,半导体中没有电流;当PN结两端加上外电压时,就有电流通过,电流的大小和方向跟外加电压有关。图7-3是从实验中得出的PN结伏安特性曲线。从曲线中可以看到,若P型接正极,N型接负极,即电压U为正向电压时,电流为正值(I>0),这个电流叫正向电流,而且随着正向电压的增加,正向电流亦随之呈指数上升。从曲线中还可以看到,若P型接负极,N型接正极,即电压U为反向电压时,电流为负值(I<0),这个电流叫做反向电流,其绝对值较正向电流小,且随着反向电压的增加,反向电流很快达到饱和电流Is。利用PN结的这个特性,可制成电子线路中常用的检波和整流二极管。下面对PN结的导电特性作一些说明。当P型与N型相接触时,有电子从N型扩散到P型中去,同时也有空穴从P型扩散到N型中去(见图7-4(a))。这样,在P型和N型相接触的区域就出现了偶电层(见图7-4(a))。由于这个偶电层的存在,在P型和N型相接触的区域内就存在由N指向P的电场,它要阻止空穴和电子的继续扩散,直至达到动平衡为止。这时,在P型和N型接触区域存在如图7-4(c)所示的电势变化情况。图中U0为动平衡时P、N之间势垒的高度。因而无论是空穴或电子都需克服高度为U0的势垒,从能通过偶电层进入到N或P中去。图中“o”为空穴,“●”为电子,x0为偶电层的宽度,实验测得约为10^-7m。然而,当P接外电源正极,N接外电源负极,即P、N间为正向电压U时,则使势垒高度降低,于是N型中的电子和P型中的空穴将较容易通过PN结,从而在电路中形成电流。这就是图7-3中,随正向电压增加,正向电流亦增加的道理。反之,当P接外电源负极,N接外电源正极,即P、N间为反向电压-U时,N型中的电子和P型中的空穴都更难通过PN结,从而在电路中只能形成很弱的电流,且很快就会达到饱和电流,这点亦可从图7-3中看出。半导体PN结的种种应用已深入到人们生活中的许多方面,也几乎涉及一切科技领域。由于纳米材料和相应技术的发展,集成电路的集成度(即芯片上的元件数)越来越高,在1cm²的芯片上已能集成上亿个电子元件。三、实验仪器:本实验的仪器实物图如图7-5所示。1.直流稳压电源的技术指标
2.可变电阻箱的结构和技术指标
3.电压表
4.电流表
5.被测元件实验内容:测定及绘制出PN结的正向,反向伏安特性曲线(分别用电流表外接和内接)。按图7-8、图7-9连接实验线路,选取合适的电源、变阻器的值,自己设计表格。为得到合理的正向、反向伏安特性曲线需采集多少个点?间距是多少?测定及绘制出稳压二极管的反向伏安特性曲线。
选择电流表外接或内接。选取合适的电源、变阻器的值,自己设计表格。为得到合理的反向伏安特性曲线需采集多少个点?间距是多少?(3)线性电阻器伏安特性测试(选做)。
(4)钨丝灯泡的伏安特性测试(选做)。数据处理1.分别画出PN结正、反向伏安特性曲线2.画出稳压二极管的反向伏安特性曲线七、思考题:(1)在实验中,分别用电流表外接、内接得到的正向、反向伏安特性曲线有什么区别?哪种接法更合理?已知电流表内阻约为98Ω。(2)稳压二极管反向伏安特性曲线与PN结反向伏安特性曲线有什么区别?稳压二极管是如何实现稳压的?答:(1)电流表内接电路电流读数准确,电压表读数中因附加有电流表的内阻电压不够准确。电流表外接电路电压表读数准确,电流表读数中因附加有电压表的内阻电流不够准确。测量稳压二极管反向伏安特性时,外接电压未达到稳压二极管的稳压值时,关键是测量出反向漏电流,而且这时电压变化时漏电流变化很小,只要准确测量出漏电流的大小即可。所以应采用电流表内接电路。外接电压达到稳压值后,关键是测量出稳压值以及稳压值随电流变化的情况,这时电流变化时电压变化很小,只要准确测量出电压即可。所以应采用电流表外接电路。(2)稳压二极管的反向特性曲线与PN结的反向特性曲线非常接近,因为二极管内部实质就是一个PN结,但也有区别:主要就是在那个击穿区。稳压二极管的击穿区,特性曲线的斜率比较大,近似垂直,这样就意味着,当反向电流增大时,反向电压的变动幅度不大;而PN结,斜率相对要小,这就意味着,随着反向电流增大,其实稳压效果很差,即反向电压会在一个相对较宽的范围内波动。
稳压二极管就是依靠二极管的反向击穿特性工作的,要正常工作必须满足两个条件:
1、外部所施加的反向电压必须大于稳压管的稳定电压;
2、稳压管通过的反向电流必须在合理范围内,即最小稳定电流至最大稳定电流之间。八、实验结果与讨论:指导教师批阅意见:成绩评定:
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