标准解读

《GB/T 12963-2009 硅多晶》相比于其前版《GB/T 12963-1996 硅多晶》，主要在以下几个方面进行了调整和更新：

  1. 技术指标的修订：新版标准对硅多晶的纯度、碳含量、氧含量、掺杂元素浓度等关键质量指标进行了重新定义和要求，以适应半导体技术和太阳能光伏产业发展的更高需求，确保材料性能更加优良。

  2. 检测方法的改进：为了提高检测精度和效率，2009版标准引入了更先进的检测技术和分析方法，如更灵敏的光谱分析技术和更精确的杂质测定手段，以确保测试结果的准确性和可重复性。

  3. 分类与分级体系的优化：根据市场和技术进步，新标准对硅多晶产品进行了更为细致的分类和分级，明确了不同级别产品的适用范围和质量标准，便于生产和应用双方更好地对接需求。

  4. 增加了环保和安全要求：考虑到生产过程中的环境保护和操作人员安全，2009版标准加入了环保和安全生产的相关规定，要求企业在生产硅多晶时遵循国家环保法规，采取有效措施减少污染物排放，保障生产安全。

  5. 标准的适用范围扩展：随着硅多晶应用领域的拓宽，新标准不仅适用于传统的半导体器件制造，还特别考虑到了太阳能电池材料的需求，反映了行业发展趋势。

  6. 术语和定义的更新：为保持与国际标准的一致性，标准中对一些专业术语和定义进行了修订或新增，提高了标准的国际化水平，便于国内外交流与合作。

  7. 规范性附录的增补：增加了若干规范性附录，提供了详细的测试方法指导、合格判定规则等，增强了标准的实用性和可操作性。


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  • 被代替
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  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
©正版授权
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文档简介

犐犆犛２９．０４５

犎８２

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜１２９６３—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６

硅多晶

犛狆犲犮犻犳犻犮犪狋犻狅狀犳狅狉狆狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀

２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

犌犅／犜１２９６３—２００９

前言

本标准修改采用ＳＥＭＩＭ１６１１０３：２００３《多晶硅规范》，主要差异如下：

———增加了技术参数，如对基磷、基硼电阻率、碳浓度和ｎ型少子寿命的等级要求；

———增加了硅多晶尺寸范围要求。

本标准代替ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６《硅多晶》。

本标准与ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６相比，主要有如下变动：

———基磷电阻率等级由３００Ω·ｃｍ、２００Ω·ｃｍ、１００Ω·ｃｍ修订为５００Ω·ｃｍ、３００Ω·ｃｍ、２００Ω·ｃｍ；

———增加氧化夹层术语。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：峨眉半导体材料厂。

本标准主要起草人：罗莉萍、张辉坚、王炎。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９１、ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６。

Ⅰ

书

犌犅／犜１２９６３—２００９

硅多晶

１范围

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、运输、贮存。

本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＧＢ／Ｔ１５５０非本征半导体材料导电类型测试方法

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

ＧＢ／Ｔ１５５８硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

ＧＢ／Ｔ４０５９硅多晶气氛区熔磷检验方法

ＧＢ／Ｔ４０６０硅多晶真空区熔基硼检验方法

ＧＢ／Ｔ４０６１硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

ＧＢ／Ｔ１３３８９掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

ＧＢ／Ｔ１４２６４半导体材料术语

ＡＳＴＭＦ１７２３用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的标准规程

３术语

ＧＢ／Ｔ１４２６４规定的及以下术语适用于本标准：

氧化夹层狅狓犻犱犲犾犪犿犲犾犾犪

硅多晶横断面上呈同心圆状的氧化硅夹杂。

４要求

４．１产品分类

４．１．１产品按外形分为块状硅多晶和棒状硅多晶，根据纯度的差别分为３级。

４．１．２牌号

硅多晶的牌号表示为：

Ｐｓｉ——

阿拉伯数字表示硅多晶等级

英文大写字母表示硅多晶形状，Ｉ表示棒状，Ｎ

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