• 现行
  • 正在执行有效
  • 1992-12-18 颁布
  • 1993-08-01 实施
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GB/T 14032-1992半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理_第1页
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JDg621.382L55中华人民共和国国家标准GB/T14032-92半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理Ceneralprinciplesofmeasuringmethodsofdigitalphase-lockedloopforsemiconductorintegratedcircuits1992-12-18发布1993-08-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理GB/T14032-92Ceneralprinciplesofmeasuringmethodsofdigitalphase-lockedloopforsemiconductorintegratedcircuits本标准规定了半导体集成电路数字锁相环(以下简称器件或数字锁相环)电参数测试方法的基本原数字锁相环与数字电路相同的静态和动态参数测试可参照GB3834《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》。总要求若无特殊说明.测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定1.2测试期间，施于被测器件的电参量应符合器件详细规范的规定1.3试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响.测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定14被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。1.5若有要求时,应按器件详细规范规定的顺序接通电源1.6；测试期间，被测器件应连接器件详细规范规定的外围电路和补偿网络。17若电参数值是由几步测试的结果经计算而确定时，这些测试的时间间隔应尽可能短.1.8测试期间应避免因静电感应而引起器件失效。2参数测试2.1动态功耗厂.。2.1.1目的测试器件动态工作时的功率。2.1.2测试原理图P.测

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