标准解读

《GB/T 14862-1993 半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法》作为一项国家标准，规定了半导体集成电路封装中从结点到外壳的热阻测量方法。然而，您提供的对比标准信息不完整，我无法直接指出与某个特定标准相比的具体变更内容。如果您能提供另一个相关标准的详细信息或名称，我将能够进一步分析并阐述两者之间的差异和更新点。

不过，一般来说，当比较不同版本或相关标准时，变更可能涉及以下几个方面：

  1. 测试方法的改进：新标准可能会引入更精确、更高效的测试技术或程序，以提高测量结果的准确性和可重复性。
  2. 参数定义的调整：为了适应技术进步或行业需求，新标准可能会对关键术语、测试条件、计算公式中的参数进行重新定义或细化。
  3. 适用范围的扩展或限制：标准可能会根据技术发展或市场变化调整其适用的集成电路类型或封装形式。
  4. 环境因素的考虑：随着对环境影响重视程度的增加，新标准可能会加入更多关于测试环境控制、能耗或材料可持续性的要求。
  5. 标准化引用的更新：为了保持与其他国际或国内标准的一致性，新标准会引用最新的参考文献和技术规范。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1993-12-30 颁布
  • 1994-10-01 实施
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GB/T 14862-1993半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法_第1页
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文档简介

UDG.621.382L55中华人民共和国国家标准CB/T14862-93半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法Junction-to-casethermalresistancetestmethodsofpackagesforsemiconductorintegratedcircuits1993-12-30发布1994-10-01实施国家技术监督局发布

(京)新登字023号中华人民共和因国家标准半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法GB/T14862-93中国标淮出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045电话：63787337、637874471994年7月第一版204年12月电子版制作书号：155066·1-10797版权专有侵权必究举报电话：（010)68533533

中华人民共和国国家标准半导体集成电路封装结到外壳GB/T14862-93热阻测试方法Junction-to-casethermalresistancetestmethodsofpackagesForsemiconductorintegratedcircuits1主题内容与适用范围本标准规定了半导体集成电路封装结到外壳热阻的测试方法。本标准适用于半导体集成电路陶瓷、金属、塑料封装结到外壳热阻的测量22引用标准GB/T14113半导体集成电路封装术语GJB548微电子器件试验方法和程序3术语、符号、代号3.1术语3.1.1热测试芯片Fthermaltestchip为表征集成电路封装的热特性而设计的芯片。3.1.2被测器件deviceundertest装装有热测试芯片供测址封装热阻的微电子器件。3.1.3结温T，junctiontemperatureT，表示微电路中主要热量产生部分的半导体结的温度3.1.4加热功率PaheatingpowerPu施加在器件上以产生结到参考点温度差的功率。3.1.5温敏参数TSPtemperature-sensitiveparameterTSP与被测结温相关且可对温度进行校准以检测所需结温的电特性。3.2符号、代号3.2.1Rr:结到参考点热阻3.2.2Ruc结到外壳热阻3.2.3Rom:结到安装表面热阻3.2.4TR:参考点温度3.2.5Twc:校准温度3.2.6Vwm:热敏参数值该参数在测试电流（Iu)和相应的加热功率（Pa)所产生的结温下测量3.2.7Vc:温敏参数值该参数在测

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