标准解读

GB/T 17008-1997 是一项由中国国家标准化管理委员会颁布的标准，全称为《绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号》。这项标准主要针对绝缘栅双极型晶体管（IGBT）领域，旨在统一和规范该领域内使用的专业术语及其对应的文字符号，以促进技术交流、设计、生产和应用等方面的一致性和准确性。

标准内容概览

  1. 术语定义：标准首先明确了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的基本概念，以及与之相关的技术术语。这些术语涵盖了IGBT的结构、工作原理、性能参数、制造工艺等多个方面，为行业内的沟通提供了共同的语言基础。

  2. 文字符号规定：为了便于电路图的设计与阅读，标准详细规定了各类IGBT及其相关元件在电气工程图纸上的文字符号表示方法。这些符号简洁明了，能够快速传达元器件的功能和连接方式，对于设计人员、制造者及维护人员来说极为重要。

  3. 分类与命名规则：根据IGBT的不同特性、封装形式或应用领域，标准还对它们进行了分类，并给出了相应的命名规则。这有助于用户快速识别和选择合适的IGBT型号，满足特定应用需求。

  4. 测试与评估方法：虽然标准主要关注词汇和文字符号，但也可能简要提及IGBT性能测试和评估的基本原则或参考方法，以确保产品符合既定的质量和性能标准。

实施意义

  • 提升标准化水平：统一的术语和文字符号减少了因理解差异导致的误解和错误，提升了整个行业的标准化水平。
  • 促进技术交流：便于国内外技术文献、专利、产品说明书等资料的相互理解和引用，加速技术创新和应用推广。
  • 支持教育与培训：为电子工程等相关专业的教育与培训提供了一套清晰、规范的术语体系，有利于人才的培养。
  • 便利设计与制造：标准化的文字符号简化了电路设计流程，提高了生产效率和产品质量，降低了因沟通不畅导致的成本损失。


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  • 废止
  • 已被废除、停止使用，并不再更新
  • 1997-10-05 颁布
  • 1998-08-01 实施
©正版授权
GB/T 17008-1997绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号_第1页
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文档简介

5s.31.080.30K46中华人民共和国国家标准GB/T17008--1997绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号TerminologyandlettersymbolsForinsulated-gatebipolartransistor1997-10-05发布1998-08-01实施国家技术监督局发布

GB/T17008-1997本标准主要依据下列国际标准或标准草案而制订：IEC/TC47（CO)1339绝缘栅双极型品体管的概念IEC/TC47（Sec）1251地缘栅双极型品体管的新概念和文字符号IEC/TC47（See)1282绝缘栅双极型品体管的额定值、特性和测试方法IEC747-8第Ⅱ章场效应品体管的术语和文字符号凡上述标准中被本标准采纳的术语和文字符号在技术内容上等效。本标准编写规则按等效采用了国际导则的GB/T1.1一1993《标准化工作导则第1单元:标准的起草与表述规则第1部分：标准编写的基本规定》。这样，通过使我国标准内容和编写规则尽可能与国际-：一致或等同,以尽快适应国际贸易、技术和经济交流以及采用国际标准飞跃发展的需要。本标准由机械工业部提出。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口本标准由机械部西安电力电子技术研究所负责起草本标准主要起草人：秦贤满

中华人民共和国国家标准绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号GB/T17008--1997Terminologyandlettersymbolsforinsulated-gatebipolartransistor1范围本标准规定了绝缘栅双极型晶体管（IGBT)的类型、结构、额定值和特性的术语及通用文字符号.本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译专业手册、教材及书刊。一般术语2.1源区sourceregion多数载流子流入沟道的起始区域2.2漏区drainrcgion接收从沟道流出的多数载流子的区域。2.3漏注人区draininjectorregion位于场效应结构的漏区和漏极间并与漏区极性相反的半导体界面区。1当主电流流动时，漏注人区注入漏区的附加少数载流子使漏区电导增强22在实际器件制作中，IGBT的衬底起温注人区的作用。2.4栅区gatercgion与栅电极连接的，栅极控制电压产生的电场能起作用的区域2.5沟道channel在源区和漏区之间的半导体薄层·流经该海层的电流受栅极电位控制。2.6亚沟道区subchannelregion源区和满区之间的区域。住：一般，亚沟道区由两个不同掺杂部分组成.即形成沟道的轻接杂部分和流过双极品体管结构的集电极电流的重穆杂部分。2.7漏极drain附于漏注人区上的电板、2.8集电极端collectorterminal连接漏极的端。2.9源极source附于源区和部分亚沟道区上的电极，该部分亚沟道区流过双极品体管结构的集电极电流2.10发射极端emitter

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