标准解读

《GB/T 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》是一项国家标准，主要规定了利用高分辨率X射线衍射技术测定在GaAs衬底上生长的铝镓砷（AlGaAs）材料中铝（Al）成分含量的方法。该标准适用于半导体材料科学研究及生产过程中对AlGaAs薄膜或层状结构中Al组分进行精确表征的需求。

根据此标准，实验前需要准备适当的样品，并确保其表面平整清洁以获得准确的结果。测量时采用特定角度下的X射线衍射谱图来分析AlGaAs晶格常数的变化，进而计算出Al的比例。这里涉及到选择合适的衍射条件、数据采集以及后续的数据处理等步骤。通过对比已知Al浓度的标准样品与待测样品之间的差异，可以间接地确定未知样品中的Al含量。

此外，标准还详细描述了如何校正仪器误差、背景扣除等影响因素，以提高测量精度。同时提供了不同条件下可能遇到的问题及其解决方案，帮助使用者更好地理解和应用该技术。对于结果报告，则要求包含所有关键参数和条件说明，以便于重复性和准确性验证。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
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文档简介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜２４５７６—２００９

高分辨率犡射线衍射测量犌犪犃狊衬底

生长的犃犾犌犪犃狊中犃犾成分的试验方法

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犺犻犵犺狉犲狊狅犾狌狋犻狅狀犡狉犪狔犱犻犳犳狉犪犮狋犻狅狀

２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

犌犅／犜２４５７６—２００９

前言

本标准技术内容等同采用ＳＭＥＩＭ６３０３０６《准则：采用高分辨率Ｘ光衍射法测量砷化镓衬底上

ＡｌＧａＡｓ中Ａｌ百分含量的测试方法》。本标准对ＳＭＥＩＭ６３０３０６进行了编辑性修改。

本标准的附录Ａ为资料性附录。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研

究所。

本标准主要起草人：章安辉、黄庆涛、何秀坤。

Ⅰ

书

犌犅／犜２４５７６—２００９

高分辨率犡射线衍射测量犌犪犃狊衬底

生长的犃犾犌犪犃狊中犃犾成分的试验方法

１范围

本标准规定了用高分辨Ｘ射线衍射测量ＧａＡｓ衬底上ＡｌＧａＡｓ外延层中Ａｌ含量的试验方法。

本方法适用于在未掺杂ＧａＡｓ衬底＜００１＞方向上生长的ＡｌＧａＡｓ外延层中Ａｌ含量的测定，使用

本方法测量Ａｌ元素含量时，ＡｌＧａＡｓ外延层厚度应大于３００ｎｍ。

２术语、定义和符号

２．１术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

２．１．１

布拉格角犅狉犪犵犵犪狀犵犾犲

Ｘ光从一组结晶学平面衍射的角度，在布拉格定律中定义为：

λ＝２犱ｓｉｎθ

其中，λ是Ｘ光的波长，犱是相邻结晶学平面之间的距离，θ是Ｘ光衍射时光线与反射面之间的

角度。

２．１．２

摇摆曲线狉狅犮犽犻狀犵犮狌狉狏犲

扫描通过一个衍射峰时，衍射强度与ω的关系曲线，这个衍射峰在ＨＲＸＲＤ测量中也许只有几个

弧秒的宽度。

２．１．３

散射面狊犮犪狋狋犲狉犻狀犵狆犾犪狀犲

包含入射光和衍射光的平面。

２．１．４

维加德定律犞犲犵犪狉犱’狊犔犪狑

描述三元合金Ａ狓Ｂ１－狓Ｃ晶格参数随着狓成线性变化的定律，以ＡＢ或ＡＣ为基元，狓的变

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