标准解读

《GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法》是一项国家标准，旨在提供一种基于反射差分谱技术来检测化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的方法。该标准适用于通过测量不同波长下样品与参考样品之间的反射率差异，从而评估化合物半导体材料（如砷化镓、磷化铟等）在抛光过程中可能产生的亚表面缺陷或损伤程度。

标准详细规定了测试所需设备的基本要求，包括光源、单色仪、探测器以及数据处理系统等，并对这些组件的技术参数给出了具体建议值。同时，对于如何准备测试样品也有明确指示，比如清洗步骤、放置方式等，以确保测试结果的一致性和准确性。

此外，《GB/T 26070-2010》还涵盖了实验操作流程，从样品预处理到实际测量过程中的注意事项都有详尽描述。它强调了正确设置仪器参数的重要性，例如选择合适的扫描范围和分辨率，以便于有效捕捉到由亚表面损伤引起的微小反射率变化。通过对比分析实验数据与理论模型预测值之间的偏差，可以定量地评价出材料内部存在的损伤情况及其分布特征。

最后，该标准还提供了关于如何报告测试结果的具体指南，包括需要记录的关键信息、图表展示形式等，使得不同实验室之间能够共享一致的数据格式，便于后续研究工作的开展及成果交流。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2011-01-10 颁布
  • 2011-10-01 实施
©正版授权
GB/T 26070-2010化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法_第1页
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文档简介

ICS7704099

H17..

中华人民共和国国家标准

GB/T26070—2010

化合物半导体抛光晶片亚表面

损伤的反射差分谱测试方法

Characterizationofsubsurfacedamageinpolished

compoundsemiconductorwafersbyreflectance

differencespectroscopymethod

2011-01-10发布2011-10-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T26070—2010

前言

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准由中国科学院半导体研究所负责起草

。

本标准主要起草人陈涌海赵有文提刘旺王元立

:、、、。

Ⅰ

GB/T26070—2010

化合物半导体抛光晶片亚表面

损伤的反射差分谱测试方法

1范围

11本标准规定了族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法

.Ⅲ-Ⅴ。

12本标准适用于可参照进行等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的

.GaAs、InP(GaP、GaSb)

测量

。

2定义

21术语和定义

.

下列术语和定义适用于本文件

。

211

..

亚表面损伤subsurfacedamage

半导体晶体经切磨抛等工艺加工后在距离抛光片表面亚微米左右范围内晶体的部分完整性会

、、,,

受到破坏存在一个很薄厚度通常为几十到上百纳米的损伤层其中存在大量的位错晶格畸变等缺

,(),、

陷这个损伤层称为亚表面损伤层

。。

212

..

弹光效应photoelasticeffect

当介质中存在弹性应力或应变时介质的介电系数或折射率会发生改变介电系数或折射率的改

,。

变与施加的应变和应力密切相关各向异性的应力或应变会导致介电函数或折射率出现各向异性导

。,

致晶体材料出现光学各向异性双折射二向色性

(,)。

213

..

光学各向异性opticalanisotropy

当材料的光学性质随光的传播方向和偏振状态而发生变化时就称这种材料具有光学各向异性

,。

214

..

线偏振光linearlypolarizedlight

振动电矢量总是在一个固定平面内的光称为线偏振光

。

215

..

反射差分谱reflectancedifferencespectroscopyRDS

,

测量近垂直入射条件下两束正交偏振入射光反射系数的相对差异随波长的变化就是反射差

,,

分谱

。

22符号

.

下列符号适用于本文件

。

221

..

rr

Δ/

被测晶体材料在两个各向异性光学主轴方向反射系数的相对差异即反射差分信号

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