- 现行
- 正在执行有效
- 2013-11-12 颁布
- 2014-04-15 实施
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![GB/T 29850-2013光伏电池用硅材料补偿度测量方法_第4页](http://file4.renrendoc.com/view/990140baca246c2e30224d10654bf19f/990140baca246c2e30224d10654bf19f4.gif)
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文档简介
ICS29045
H82.
中华人民共和国国家标准
GB/T29850—2013
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
Testmethodformeasuringcompensationdegreeofsilicon
materialsusedforphotovoltaicapplications
2013-11-12发布2014-04-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
中华人民共和国
国家标准
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
GB/T29850—2013
*
中国标准出版社出版发行
北京市朝阳区和平里西街甲号
2(100013)
北京市西城区三里河北街号
16(100045)
网址
:
服务热线
/p>
年月第一版
20141
*
书号
:155066·1-48023
版权专有侵权必究
GB/T29850—2013
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
。。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出并归口
(SAC/TC203)。
本标准起草单位信息产业专用材料质量监督检验中心中国电子技术标准化研究院无锡尚德太
:、、
阳能电力有限公司国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心天津市环欧半导体材料技术有限
、、
公司
。
本标准主要起草人董颜辉何秀坤郑彩萍裴会川冯亚彬路景刚张雪囡
:、、、、、、。
Ⅰ
GB/T29850—2013
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
1范围
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法
。
本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析
。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T4326
半导体材料术语
GB/T14264
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中族杂质含量的测试方法
GB/T24581Ⅲ、Ⅴ
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T29057
3术语和定义
界定的术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
4方法原理
利用载流子浓度与温度变化关系的电中性方程对nT-l关系曲线进行计算机拟合分析从而
,(P)-,
得到补偿度电中性方程以型样品为例如式所示
。(N)(1):
nnNN-ET
+AC(/)
()=jk
NNn·…………()
D-A-gAexp1
其中N计算方法见式
C(2):
æm*Tö3/2
N=ç2πak÷
C2è2ø…………(2)
h
电离化杂质浓度关系见式
(3):
n=N-N
300DA…………(3)
由式式式利用最小二乘法原理并适当调整gm*NNE个量作数据拟合得
(1)、(2)、(3),A、a、D、A、j5,
到补偿度的表达式见式式
(4)、(5):
K=NN型
pD/A(P)…………(4)
K=NN型
NA/D(N)…………(5)
根据对样品作变温霍尔测量由式计算测试数据得到nT-1关系曲线
GB/T4326,,(6),-。
n=γR
/e·Η…………(6)
式式中
(1)~(6):
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