• 现行
  • 正在执行有效
  • 2014-07-24 颁布
  • 2015-02-01 实施
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文档简介

ICS29045

H83.

中华人民共和国国家标准

GB/T30866—2014

碳化硅单晶片直径测试方法

Testmethodformeasuringdiameterofmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-07-24发布2015-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T30866—2014

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会及材料分技术委员会

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并归口

203/SC2)。

本标准起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所中国电子技术标准化研究院

:、。

本标准主要起草人丁丽周智慧蔺娴郝建民何秀坤刘筠冯亚彬裴会川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30866—2014

碳化硅单晶片直径测试方法

1范围

本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法

。

本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量

。

2方法提要

避开碳化硅单晶片主副参考面选取三个测量位置如图所示沿直径方向用外径千分尺测量碳

,(1),

化硅单晶片的三条直径计算直径平均值和直径偏差

,。

图1直径测量位置示意图

3仪器设备

分度值为的外径千分尺或精度相当的其他仪器

0.02mm。

4试样准备

碳化硅单晶片应清洁干燥边缘应光滑平整

、,、。

5测试环境

51温度

.:18℃~28℃。

52相对湿度应不大于

.75%。

6测试程序

61校正外径千分尺零点

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