SiC 栅极驱动器基础知识电子书

•隔离式栅极驱动器特性2C34 上取决于系统中使用的功44smallerfilterandSiCMOSFETT<<556DDDDSiMOSFETSiIGBTGCESiCGSSiMOSFETSiIGBTGCESiCGSGSfsw交流电机)IGBTBJT)的667IGBT和SiC栅极驱动器基础知识2019年第3季度I7IGBT和SiC栅极驱动器基础知识88EE高应力电压的能力。在气传输信号。88初级侧电路与次级输到另一侧。99wwPsw=VDRV*QG*fswrise/fall其中t是栅极电压提高开关速度所需的上升和下QGIGrise/fall其中t是栅极电压提高开关速度所需的上升和下+–+– +–+– 源开关器件的栅极上拉取和灌入电I=V/RGOUTGswswonswswontt)为器件充电所需的平均电流：onI=QGGtswtttt避免任何潜在重叠的时间何对于高频电源系统而言至 tPLHt tPLHt IGBT和SiC栅极驱动器基础知识2019年第3季度I德州仪器(TI)比区比区t器件传播延迟匹配为何至关 IGBT和SiC栅极驱动器基础知识IGBT和SiC栅极驱动器基础知识2019年第3季度I德州仪器(TI) +–+–G050 +–+–G050T电源开关所需的最小允许驱动电I=ΔVGS/RGVVV=VV响。电源开关中大电压和电流瞬变的T --以防止电击。±3%至5%的范围之内就足以防止由于过热而导致以冷却系统。 以防止电击。±3%至5%的范围之内就足以防止由于过热而导致以冷却系统。 使用电流反馈来调节电机的转速和扭。IGBT和SiC栅极驱动器基础知识2019年第3季度IGBT和SiC栅极驱动器基础知识Rg+i=C=VdsgdΔt栅极电阻以及C与C之比在栅极上dv/dt器R以调节驱动强度，从而将开关速度降低至可接受g的水平。不过，增大R也会通过减慢开关速度来增大g MillerClamp 勒电流的路径中可能具有寄生电阻和电感R勒电流的路径中可能具有寄生电阻和电感R和L，如pp。 流水平和时长来设计保护之间建立电气连接时会发生短路，迟功能的有限模块的感应电路jE=j*t于将器件保持在其安全工作范围内而ECthjcthjcITCZthjcp以帮助确定短路反馈电路必须达到多快的择相应的保护电路至关重要。ccce监测电压水平是否达到预设的阈值 ccce监测电压水平是否达到预设的阈值 +–CHG+–CHG器件完全导通且电压达到其最低值之t0t1t2t3t4It=CBLK*VDESATBLK+–TV=V−I*R−n*VDESAT,actualDESATCHGBLKDHV+––++–20192019年第3季度I德州仪器(TI)IGBT和SiC栅极驱动器基础知识流电路可降低分流电阻器中耗散的功–TI均以“原样”提供技术性及可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资中不含任何瑕疵，且不做任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、适合某特定用途或不侵犯任何第三方知识产权的暗示所述资源可供专业开发人员应用TI产品进行设计使用。您将对以下行为独自承担全部责任：(1)针对您的应用选择合适的TI产品；(2)设计、证并测试您的应用；(3)确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。所述资源如有变更，恕不另行通知。TI对您使用源的授权仅限于开发资源所涉及TI产品的相关应用。除此之外不得复制或展示所述资源，也不提供其它TI或任何第三方的知识产权授权如因使用所述资源而产生任何索赔、赔偿、成本、损失及债务等，TI对此概不负责，并且您须赔偿由此对TI及其代表造成的损害。TITIHYPERLINK"/z