标准解读
《GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法》相对于《GB 6619-1986》主要在以下几个方面进行了调整和完善:
- 标准性质的变化:从强制性国家标准(GB)转变为推荐性国家标准(GB/T),表明该标准更侧重于提供技术指导而非强制执行。
- 测试方法的改进与补充:新版本可能引入了更加精确或简便的测量手段,以适应硅片制造技术的发展。例如,对于特定尺寸和类型的硅片,增加了新的检测项目或者优化了原有的测量流程。
- 技术参数及要求的更新:随着行业技术的进步,《GB/T 6619-1995》可能对硅片弯曲度的具体数值范围、允许偏差等指标做出了相应调整,使之更能反映当前技术水平下的产品质量要求。
- 文本结构与表述方式的优化:新版标准或许重新组织了内容框架,使用更为清晰准确的语言来描述各项规定,便于使用者理解和操作。
- 参考文献及相关规范引用的更新:考虑到相关领域内其他标准和技术文件也可能经历了修订,《GB/T 6619-1995》对其所引用的标准版本号等信息进行了同步更新,确保一致性与时效性。
这些变化反映了我国在半导体材料特别是硅片加工质量控制方面技术水平的提升以及标准化工作的不断完善。
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文档简介
PDC.669.782-415:620.173.26H21中华人民共和国国家标准GB/T6619-一—1995硅片弯曲度测试方法Testmethodsforbowofsiliconslices1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布
中华人民共和国国家标准CB/T6619-1995硅片弯曲度测试方法代替GB6619-86Testmethodsforbowofsiliconslices第一篇:方法4一接触式测试方法主题内客与适用范围本标准规定了硅单品切割片、研磨片、抛光片(以下筒称硅片)弯曲度的接触式测量方法。本标准适用于测量直径大于50mm,厚度为200~1000m的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。方法原理将硅片置于基准环的3个支点上,3支点形成一个基准平面,用低压力位移指示器测量硅片中心偏离基准平面的距离,该距离表示硅片的弯曲度3测量仪器3.1基准环基准环是由基座、3个支撑球、3个定位柱组成的专用器具,如图所示。国家技术监督局1995-04-18批准1995-12-01实施
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