标准解读

《YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法》与《YS/T 23-1992》相比，在内容和技术要求方面进行了更新和调整，以适应技术进步和行业需求的变化。具体变更点包括但不限于以下几个方面：

  1. 范围的明确化：新版标准更加清晰地定义了适用范围，指明了该方法适用于单晶硅片上生长的硅外延层厚度的测量。

  2. 术语和定义部分的增加：为了提高文档的一致性和理解性，《YS/T 23-2016》增加了专门的术语和定义章节，对关键术语如“堆垛层错”、“外延层”等进行了详细的解释说明。

  3. 测试原理及程序的细化：对于如何通过堆垛层错来确定硅外延层厚度的方法，《YS/T 23-2016》提供了更为详尽的操作指南，包括样品准备、显微镜观察条件设定、数据记录与处理等方面的具体步骤指导。

  4. 仪器设备要求的更新：随着科学技术的发展，用于检测的新技术和新设备不断涌现。因此，《YS/T 23-2016》中关于所需使用的主要仪器（如光学显微镜）的技术规格也相应地进行了修订或升级，确保能够满足当前技术水平下的准确度和精密度要求。

  5. 结果表示方式的变化：新版本还可能涉及到对外延层厚度测量结果表达形式上的调整，比如单位换算、有效数字保留规则等细节上的优化，使得最终报告更加规范统一。

这些变化体现了我国在半导体材料领域内标准化工作方面的持续努力与发展，旨在为相关企业提供更加科学合理的技术依据。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2016-04-05 颁布
  • 2016-09-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS77.040

H21

中华人民共和国有色金属行业标准

YST23—2016

代替

YS/T23—1992

硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法

TestmethodforthicknessofepitaxiallayersStackingfaultsize

2016-04-05发布2016-09-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

YST23—2016

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法本标准与相

YS/T23—1992《》。YS/T23—1992

比主要变动如下

,:

增加了术语和定义干扰因素见第章第章

———“”“”(3、5);

删除了非破坏性测试方法

———;

在第章中增加了无铬腐蚀液的配制见

———6B(6.9);

修改了第章测量仪器中的显微镜并去掉了测微标尺

———7;

在第章中增加了试样制备方法二见

———8(8.3);

修改了第章测量步骤

———9;

修改了测量结果的计算公式用显微镜图像处理技术的结果替代边长计算

———,;

增加了外延层厚度T和堆垛层错图形边长L的关系见附录

———(A)。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC243)。

本标准起草单位南京国盛电子有限公司有研半导体材料有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本标准主要起草人马林宝杨帆葛华刘小青孙燕徐新华

:、、、、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———YS/T23—1992。

Ⅰ

YST23—2016

硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法

1范围

本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法

。

本标准适用于在和晶向的硅单晶衬底上生长的硅外延层厚度的

<111>、<100><110>2μm~120μm

测量

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体材料术语

GB/T14264

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

GB/T14847

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

外延层中存在着生长完整的堆垛层错经化学腐蚀后可用干涉显微镜观察在

,。<111>、<100>、<110>

三种低指数晶向的硅单晶衬底上生长的外延层中生长完全的堆垛层错分别在外延层表面上呈现封闭

,

的等边三角形正方形和等腰三角形由于硅单晶衬底有一定的晶向偏离实际观察到的堆垛层错的图

、。,

形会稍有变形对上述三种低指数晶向的外延片外延层厚度T和堆垛层错图形边长L的关系相互关

。,(

系参见附录如表所述

A)1。

表1外延层厚度T和堆垛层错图形边长L的关系

衬底取向

<111><100><110>

层错图形

等边三角形正方形等腰三角形

T与L关系TLTLTL

=0.816=0.707=

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