• 现行
  • 正在执行有效
  • 2012-11-07 颁布
  • 2013-03-01 实施
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文档简介

ICS7715030

H62..

中华人民共和国有色金属行业标准

YS/T819—2012

电子薄膜用高纯铜溅射靶材

High-puritysputteringcoppertargetusedinelectronicfilm

2012-11-07发布2013-03-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

YS/T819—2012

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口

(SAC/TC243)。

本标准起草单位宁波江丰电子材料有限公司有研亿金新材料股份有限公司

:、。

本标准主要起草人王学泽宋佳高岩尚再燕赵永善袁洁熊晓东

:、、、、、、。

Ⅰ

YS/T819—2012

电子薄膜用高纯铜溅射靶材

1范围

本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求试验方法检验规则和标志包装运输贮存质

、、、、、、

量证明书及合同或订货单内容

()。

本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材以下简称高纯铜靶

()。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

金属材料中氢氧氮碳和硫分析方法通则

GB/T14265、、、

变形金属超声检验方法

GJB1580A

铜及铜合金平均晶粒度测定方法

YS/T347

溅射靶材背板结合质量超声波检测方法

YS/T837-

3要求

31产品分类

.

高纯铜靶分类按照应用背景分为半导体布线用高纯铜靶半导体封装用高纯铜靶平板显示器用

:、、

高纯铜靶和太阳能电池用高纯铜靶

。

32成分要求

.

根据高纯铜溅射靶材的用途电子薄膜用高纯铜溅射靶材的成分及杂质元素要求应符合表规定

,1。

表1高纯铜靶材化学成分表

牌号

4N4N55N6N

含量

Cu/%

不小于99.9999.99599.99999.9999

Ag—2550.3

Al——0.50.1

As2050.50.02

杂质含量-6

/10,

不大于Bi20110.02

Ca——0.50.02

Cd—10.1—

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