微组装工艺流程

备分为电路软基板(RT/DUroid5880)的准备和陶瓷基板(AL2O3)，按图纸用手术刀切割电路板边框线和去除工艺线。要求电路软基板的图形符合图纸要求，表面平整，没有翘曲，外形尺寸比图纸小㎜~㎜，切面平整。工使液体震动产生数万计的微小气泡，这些气泡在超声波的纵向传播形成的负压区产生、生长，而在正压区闭合，在这种空化效应的过程中，微小气泡闭合时可以产生超过1000个大气压的瞬间高压，连续不断的瞬间高压冲击物体表面，使物体经过多次实验(此实验未记录实验数据)，确定合理的超声功率、去离子水用量以及清洗100瓦，加入去离子水，液面高度为60㎜~80㎜之间。将电路软基板或陶瓷基板放入瓷盒中，倒入HT1清洗液，液面略高基板上表面3㎜~5㎜，然后将整个瓷盒放入超声清洗机的支架上(水面低于清洗液2㎜~3㎜)，清洗时间为Xmin~Xmin。将95%乙醇倒入瓷盒，液面略高于基板上表面3㎜~5㎜，然后将整个瓷盒放入超声清洗机的支架上(水面低于清洗液2㎜~3㎜)，清洗时间为Xmin~Xmin。将清洗完毕清洗工序，清洗完成后的基板表面无油污、杂质等残留物。备和清洗100瓦，倒入HT1清洗液，液面高度为60㎜~80㎜之间，将腔体放入超声清洗机清面略高腔体上表面3㎜~5㎜，且液面高度不得超过80㎜，清洗时间为Xmin~Xmin。将95%乙醇倒入超声波清洗机中，液面高度为60㎜~80㎜之间，将腔超声清洗机清洗液中，液面略高腔体上表面3㎜~5㎜，且液面高度不得超过物。/导电胶的准备焊料，主要使用锡铅合金锡箔焊料(Pb37Sn63)，用镊子将焊料展平，接着用铅笔将压块形状画上，然后用剪刀沿画痕剪成压块形状。要求锡铅合金锡箔焊料必须平展，不能有褶皱，压块大小和焊料一致，不允许未戴指套直接触摸焊料。焊料的清洗使用超入去离子水，液面高度为60㎜~80㎜之间。将锡铅合金锡箔焊料放入瓷盒中，将95%乙醇清洗液放入瓷盒，液面略高焊料上表面3㎜~5㎜，然后将整个瓷盒放入超声清洗机的支架上(水面低于清洗液2㎜~3㎜)，清洗时间为Xmin~Xmin。将清洗完Xminmin后，放入氮气保护柜。导电胶，主要使用H20E导电银胶，导电胶不用时应放入0℃~5℃的冰箱内保存。使用时从冰箱取少许搅拌好的导电胶放入小坩埚中，再搅拌15~20min以去气(若没有适当去气，空气接层中产生空洞，这些空洞会降低电导率和热导率甚至降低粘接强度)。入腔体内，并装好基片，用专用夹具固定。此步工胶必须涂覆均匀、平整、不能有折叠角或褶皱。另外导电胶焊料烧结/导电胶固化用锡铅合金锡箔焊料装夹好的产品放入已达到设定温度的烧结炉上进行烘烤，温度根据焊料的融化温度设定，时间以温度降低又重新升至设定温度保持1min~5min后结金锡箔焊料温度为183℃，烘烤温度约200℃~220℃。用导电胶装夹好的产品放入已达到设定温度的烧结炉上进行烘烤，固化时间和温度以导电胶厂家提供数据理、检验而又无法清理时，需报废。清理完毕的产品按腔体的清洗工艺进行清洗并烘干。检验的照工艺要求进行，不合格的报废。芯片的焊接是指半导体芯片与载体(封装壳体或基片)形成牢固的、传导性或绝缘性连接的方法。焊接层除了为器件提供机械连接和电连接外，还须为器件提供良好的散芯片粘接工艺是采用环氧树脂导电胶(掺杂金或银的环氧树脂)在芯片和载芯片的焊接是指半导体芯片与载体(封装壳体或基片)形成牢固的、传导性或绝缘性连接的方法。焊接层除了为器件提供机械连接和电连接外，还需为器件提供良好的散下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶硅原子和69%的金原子的Au-Si共熔体共晶点温度为370℃。这个共晶点是选择合适的焊接温度和对焊接深度进行控制的主要依据。金硅共晶焊接法就是芯片在一定的压力下(附以摩擦或超声)，当温度高于共晶温度时，金硅合金融化成液态的Au-的机械混合物——金硅共熔晶体而全部凝固，从而形成了牢固的欧姆接触焊接面。金属合金焊接还包括“软焊料”焊接(如95Pb/5Sn，5In/)，由于其机械强度相对较响芯片共晶的关键因素料的选用AuSiSnlnSnAgSnBi各自的特性适于不同的应用场合。料合金的共晶温度30~50℃。芯片能耐受的温度与焊料的共晶温度也是进行共晶时应当关注的问题。如果焊料的共晶温度过高，就会影响芯片材料的物理化学性质，使芯片的，化膜会在焊后形成空洞。在焊接过程中向炉腔内充入少量氢气，可温度控制工艺曲线参数的确立件会影响热的传导。共晶时最常见的问题是基座的温度低于共晶温度。在这种情况下，晶时温度和时间的控制是十分重要的。由于以上原因，温度曲线的设置是共晶好坏的重由于共晶时需要的温度较高，特别是用AuGe焊料共晶，对基板及薄膜电路温特性提出了要求。要求电路能承受400℃的高温，在该温度下，电阻及导电性是要经过一个温度曲线变化的过程，在温度变化中，还要具备处理任何随机事件的能度控制与单芯片共晶不同。多芯片共晶时会出现芯片材料不同，共晶焊料不同，因此共共晶，热性能以及CTE，是选用的参考标准。另外载体镀层厚度清洗一定影响。载体镀金层表面的洁净度对焊接的污物，氧化物等都会造成共晶焊层的空洞，从而影共晶参数除了温度控制工艺曲线以外，在不使用共晶炉，而采用共晶贴片机时，还多少直接关系到芯片的散热、可靠性的高低，是共晶工艺首要需要解决的问题。它和焊料、温度、环境洁净度、材质、时间等多个因素都有关。只有通过实验，优金丝键合指使用金属丝(金线等)，利用热压或超声能源，完成微电子器件中固电力作用下成球形，然后通过夹具将球压焊到芯片的电极上，压下后作为第一个焊点，为球焊点，然后从第一个焊点抽出弯曲的金线再压焊到相应的位置上，形成第二个焊点，为平焊(楔形)焊点，然后又形成另一个新球用作于下一个的第一个球焊点。金丝球键合和金丝楔键合的区别a金丝楔键合的键合方式不同两种键合方式的示意图可知，球焊的第一点为球形焊点，第二点为楔形焊点，键。b金丝球键合和金丝楔键合所用劈刀不同球焊选用毛细管头(陶瓷或钨制成)。焊点是在热(一般为100℃~500℃)、楔焊选用楔形头(陶瓷或钛碳合金制成)。焊点是在超声波能、压力以及时间等参数综理磁致伸缩换能器在超高频115KHz正弦波磁场的感应下，迅速伸缩而产生弹性振动，经变幅杆传给劈刀，劈刀在对金丝施加一定压力的情况下，带动金丝在被焊接的金表面上迅速摩擦，使金丝和金表面产生塑性形变和破坏金层界面的氧化薄膜 450℃，增大压力，也不能得到较好的冶金焊接)，使得两个纯。表面温度和引线变形的分析表明这个过程a)清洗过程和清洗表面和摩擦清除表面氧化层和污染层，只有很b)混合过程表面并引起键合表面温度明显上升。发生局部焊接。c)扩散过程没有明显的变形和温度上升。键合劈刀磨擦在引线表面产生的热量使得焊点表面温度上升，进一步松弛了焊接的区域。这个回火的过程通过校正扩散接触面，稳定键合点，使它不会太脆影响金丝键合质量的关键因素选择适应的键合方式和劈刀m管头的键合配合示意图见图4-15、4-16。直径=25微米金丝。重量=~(mg/m)。破坏强度>11~17(g)。直径=18微米金丝。重量=~(mg/m)。破坏强度>4~8(g)。根据产品电路对金丝的要求以及金丝的特性综合考虑。金丝在不使用时，必须放入氮气柜保存，时间不超过六个月。避免因金丝氧化问题而导致键合不良。厚度不是简单的线性关系，所以需要通过实验寻找一个最优的值，在保证达到键合强度要求的情况下，镀金层厚度最小。会影响金线键合的强度和可靠性，需要通过实验研究洁净度和键合强度之间的关系。度的控制，没有绝缘层保护，若引线接触就会导致短路失效。因此引线的金丝键合的失效模式、不良现象及解决方法牢固、无虚焊、无短路、不允许有不符合键，引线的高度、弧度基本一致，焊点形状符合要工艺开发前，必须清楚键合失效、不良现象的原因效a)焊盘或金属球表面被油、手印、灰尘或前道工序留下的有机物污染。由于在高密线球键合中，金属熔球与焊盘的尺寸很小，因此对键合表面的清洁程度非常敏感。键合表面的轻微污染都可能导致两者之间的原子不能扩散，造成失效。对于这种情况，b)由于上一轮键合完成后，引线尾丝过短或者电火花的放电电流不稳定、放电时间者加大打球电路和打球时间进行解决。焊接根部在超声焊接期间已经过度疲劳，向前和向后的弯曲常会形成断裂。引线断裂是键合过程中的一个严重问题，根部断裂可能降低拉伸强度的50%，并且会造成过早a焊接工具。b)焊接机器在焊接工具从第一个焊点开始时振动。e接后工具运动过快。来进行解决。相接触短路造