数字电子技术基础第五版-第七章_第1页
数字电子技术基础第五版-第七章_第2页
数字电子技术基础第五版-第七章_第3页
数字电子技术基础第五版-第七章_第4页
数字电子技术基础第五版-第七章_第5页
已阅读5页，还剩21页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

7.1概述

半导体存储器:能存储大量二值信息的器件。特点:1.单元数浩大；2.输入/输出引脚数目有限。输入/输出电路I/O输入/输出控制一、一般结构形式二、分类

②随机读/写（RAM,Random-Access-Memory）2、从工艺分：①双极型②MOS型1、从存/取功能分：①只读存储器(ROM,Read-Only-Memory）掩模ROM可编程PROM可擦除的可编程EPROM

7.2ROM7.2.1掩模ROM

一、结构二、举例字线输出W0-W3位线输出d3-d0A0~An-1W0W(2n-1)D0Dm两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”。存储器的容量：“字数x位数”。掩模ROM的特点：1.出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产。

2.简洁，便宜，非易失性。7.2.2可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。1.熔丝由易熔合金制成；2.出厂时，每个结点上都有熔丝；3.编程时，将某些熔丝烧断；4.是一次性编程，不能改写。可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但交叉点上都制作有存储元件，即都存1。写入时，要运用编程器写0时，使Vcc和选中的字线提高到编程所要求的高电平，同时在编程单元的位线上加入编程脉冲（幅度约20V，持续时间约十几微秒）将相应的熔丝熔断。通过电阻接地7.2.3可擦除的可编程ROM（EPROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）叠栅注入MOS管二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。经上拉电阻接VDD三、快闪存储器（FlashMemory）为提高集成度，省去T2（选通管），改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）。作业：P3837.1，7.2，7.77.3随机存储器RAM7.3.1静态随机存储器（SRAM）一、结构与工作原理1024X4位RAM（2114）的结构框图A964行64列64列分为16*4六管N沟道增加型MOS管7.3.2*动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理7.4存储器容量的扩展7.4.1位扩展方式适用于每片RAM、ROM字数够用而位数不够时。接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可。例：用八片1024x1位1024x8位的RAM7.4.2字扩展方式适用于每片RAM、ROM位数够用而字数不够时。1024x8RAM例：用四片256x8位→1024x8位RAM。片选信号：CS’CS(2)(3)(4)字扩展方式7.5用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量

人人文库> 全部分类> 应用文书 > 办公表格

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论