介质损耗角测量方法课件

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4.2介质损耗角正切值的测量

上节的基本内容：绝缘预防性试验：绝缘特性试验耐压试验绝缘电阻的测量：数字兆欧表所能发现的缺陷：总体绝缘质量下降绝缘整体受潮存在贯穿性导电通道介质损耗：电介质在电压作用下有能量损耗，电介质的能量损耗简称介质损耗电介质的等值电路：当绝缘介质劣化时，介质损耗增加，但介质损耗难以形成标准

tanδ的测量方法：西林电桥法测量设备：(a)QS-1型西林电桥(b)智能型介质损耗测量仪(a)(b)QS-1型西林电桥原理接线图4-6西林电桥原理接线图

图中Cx，Rx为被测试样的等效并联电容与电阻，R3、R4表示电阻比例臂，Cn为平衡试样电容Cx的标准，C4为平衡损耗角正切的可变电容。

4.2.1西林电桥测量法的基本原理

为了读数方便，取

若以计，则的读数就为的值。当时，试样电容可近似地按下式计算：

（4-10）

因此，当桥臂电阻R3，R4和电容CN，C4已知时就可以求得试样电容和损耗角正切。

通常被试品阻抗要比Z3和Z4大得多，所以工作电压主要作用在被试品上，因此它们被称为高压臂，而Z3和Z4为低压臂，其作用电压往往只有数伏。这种接线方式称为正接线。为了确保人身和设备安全，在低压臂上并联有放电管（A、B两点对地），以防止在R3、C4等需要调节的元件上出现高压。

在现场进行测量时，试品和桥体往往处在周围带电部分的电场作用范围之内，虽然电桥本体及连接线都如前所述采取了屏蔽，但对试品通常无法做到全部屏蔽。这时等值干扰电源电压就会通过对试品高压电极的杂散电容产生干扰电流，影响测量。

图4-9外接电源引起的电磁干扰4.2.2西林电桥测量法的电磁干扰

消除或减小由于电场干扰引起的误差，可以采取下列措施：（1）加设屏蔽，用金属屏蔽罩或网把试品与干扰源隔开。返回

因为被试品的阻抗比和变压器漏抗大得多，所以干扰电流流过和变压器形成回路。图4-10移相电源消除干扰的接线图

（2）采用移相电源法（3）倒相法

不用移相器，接一反向开关，分别测量开关正向和开关反向时的介质损耗角正切值。被试品实际介质损耗角正切值为：4.2.3西林电桥测量法的其他影响因素

1.温度的影响

温度对tanδ值的影响很大，具体的影响程度随绝缘材料和结构的不同而异。一般来说，tanδ随温度的增高而增大。现场试验时的绝缘温度是不一定的，所以为了便于比较，应将在各种温度下测得的tanδ值换算到20℃时的值。

3.试品电容量的影响

对于电容量较小的试品(例如套管、互感器等)，测量tanδ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较大的试品(例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等)测量tanδ只能发现整体分布性缺陷4.试品表面泄漏的影响

试品表面泄漏电阻总是与试品等值电阻Rx并联，显然会影响所测得的tanδ值，这在试品的Cx较小时尤需注意。

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