半导体发光二极管讲义课件_第1页
半导体发光二极管讲义课件_第2页
半导体发光二极管讲义课件_第3页
半导体发光二极管讲义课件_第4页
半导体发光二极管讲义课件_第5页
已阅读5页，还剩18页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

半导体发光二极管定义：半导体p-n结或与其类似的结构加电压时以高效率发光的器件。Lightemittingdiode,LED二十世纪90年代才研制出高亮度LED。颜色：紫外、紫光、蓝光、绿光、黄光、橙光、红光、红外、白光

1、发光二极管定义和应用根据应用划分的超高亮度发光二极管市场汽车灯草坪灯LED特点：电压低，小于5伏；响应时间短，几十nS；寿命长，几万小时以上;耗能低；

无污染

LED应用：背光源、大屏幕显示、灯具、防伪、生物、医学白光LED流明效率达到150流明/瓦（lm/W）流明效率已经超过日光灯（80lm/W)在电流作用下，n型层的电子和p型层的空穴发生扩散，电子和空穴复合发光。2、LED发光原理可见光波长：380nm～770nm(700nm),

发光二极管波长：紫:380-410nm;蓝:430-480nm;绿:510-550nm;黄:570-600nm;红:620-700nm发光波长由光子能量决定,光子能量一般由禁带宽度决定光子能量:E=hυυ：频率，h：普朗克常数

（4.14×10-15eV·s）

发光波长:λ=c/υ=hc/E=1240/E（nm）

禁带宽度2.0eV,发光波长：620nm

注入的电子和空穴数目；非辐射复合中心的数目；辐射复合几率；出光效率3、决定LED强度因素hvnp获得较高载流子浓度的p型和n型材料；减少缺陷和杂质浓度；提高电子和空穴的复合几率；提高出光效率。4、提高LED性能途径提高复合几率（內量子效率）:量子阱结构(1)发光波长（λ）；一般用nm表示。(2)正向电压:20mA时所用电压；一般用Vf

。(3)输出光功率:20mA时的输出光功率，用mW，W表示。20mA时的输出光功率，单位：坎德拉，cd；mcd；照明光源：流明/瓦；lm/W；白炽灯（25lm/W）；日光灯（80lm/W）(4)反向漏电流：反向5伏或10伏时的反向电流。5、LED的电流电压特性和性能参数外延片生长芯片制备封装n型电极p型电极

6、LED制备流程（1）外延片生长：金属有机气相沉积metalorgannicchemicalvapordeposition（MOCVD）生长参数：温度、气压、原材料、流量、掺杂剂量热电偶尾气管GaN-MOCVD反应室管有机源NH3光学探头冷却水尾气管(CH3)3Ga+NH3GaN+3CH4H2蓝宝石缓冲层未掺杂GaNn-GaN:SiP-AlGaN:MgBarrierGaNWellInGaNP-GaN:Mg金属电极n-AlGaN:Si金属电极量子阱（2）芯片制备：

光刻刻蚀镀膜光刻、刻蚀合金镀膜镀膜光刻、刻蚀合金光刻、刻蚀外延片工序：光刻、刻蚀、镀膜、合金、划片（切割）、裂片、分选设备：

光刻机、刻蚀机、电子束蒸发台（镀膜机）、合金炉、磨片机、划片机、裂片机、芯片分选设备制备环节多，各环节的稳定性，成品率对于规模化生产极为重要。

增加外量子效率：厚

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 医学制药

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论