屏蔽性能指标的含义

屏蔽性能指标的含义［导读］按IEC61196-1测试同轴电缆的方法，测试带屏蔽的平衡电缆，短路8根芯线后用50Q信号源激励。被测试线长1米，测试频率30MHz，频率越高，线长越短导体表面转移阻抗。.表面转移阻抗(SurfaceTransferImpedance)按IEC61196-1测试同轴电缆的方法，测试带屏蔽的平衡电缆，短路8根芯线后用50Q信号源激励。被测试线长1米，测试频率30MHz，频率越高，线长越短导体表面转移阻抗。主要用于评估连接硬件的屏蔽效率，其实测值不超过以下计算值。ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3ZTcable：表面转移阻抗，单位mQ/mf：信号频率，单位MHz.转移阻抗(TransferImpedance)转移阻抗与屏蔽电缆和连接硬件的屏蔽效率相关，其数值可通过实验室高频密封箱测量屏蔽插入损耗，计算得出。Ri1=Ri2=50Q——网络分析仪特性阻抗R1=50Q——馈电电阻R2=50Q——终端电阻U1=信号发射电压(V)U2=信号接收电压(V)Uc=被测设备两端电压28口4=连接器特性阻抗(Q)4=转移阻抗(Q)Zt=1/l电缆长度-Ri1/Ri2・(R2+Ri2^U2/U1=100/l电缆长度•U2/U1由于屏蔽插入损耗(as)为20・lg(U2/U1)dB,转移阻抗(Zt)也可以表示为：Zt=100・10a/20(Q).耦合衰减(CouplingAttenuation)耦合衰减用于描述电缆系统的电磁兼容性能。耦合衰减Catt=Pr/Pi(Pr：线缆接收功率;Pi：在内导体上产生的噪声功率)将电缆近似看作电磁场中的全向天线，其接收到的电磁功率Pr=A2/4n・PD(入：信号波长，PD：电磁场功率密度)内部内部导体产生噪声功率Pi=内部导体产生噪声功率Vi2/Z(Vi：内导体上的噪声电压;Z内导体阻抗，50Q)Tabte56-CoupEEngatt-nnuation{scroonedconnectorsonly)ElectricalDharacterlstlesFrequencyMHzRequirementItentstandardConnectorcategoryS6京具77aMnimurFi8皿inga11enu-alien®10100535绣475占75&lS02S9-1-14100io10M75-20b(1)75-2fllg(07S-20lg(f}75-20lg(i)75-20^{f}MniniuincouplingattenusrjondB3035,035,035,075.075,0WC35,035.035.075,075,02S027,027,02?,027,027.021,021.021.021,021,0eoo14,414.J1乌41电419.4100015,015.015.015.015,04.屏蔽系数(GB54419-1985)按下图装置，测试电缆金属护套及铠装层的理想屏蔽系数Y0s=VC/VS(线芯上的感应电压mV;电缆式样金属套上的纵向干扰电压mV)。

5.屏蔽耦合损耗(CouplingLoss)(GY/T186-2002)GTEM小室馈入功率与被测件耦合功率的分贝差。与10.9.3耦合衰减(CouplingAttenuation)意义相同。孙厝氤效初"相圜 叫被府电谁满茹件放置而坦网 6屏蔽效能(ShieldingEffectiveness)(GY/T186-2002)采用GTEM小室测量无屏蔽电缆与屏蔽电缆的屏蔽耦合损耗的分贝差。6.屏蔽效能(ShieldingEffectiveness)(GY/T186-2002)采用GTEM小室测量无屏蔽电缆与屏蔽电缆的屏蔽耦合损耗的分贝差。

表1相统电视系统射频同轴电缆孱吸性能技术要求序号电罪费型电位被测镰率技术指标屏蔽衰城 -解舐效能电统甩动前电缆也劫后1二屏蔽电缆郃->6fl->6fl等55aOMHf会6。参6fl->55300划归370「70二6550刷匕三70者70了65则YHe手70/70365lOOOMlk孑Tfl->652三屏蔽电缆邺ffiUFr孑E5孑阮NB0输工会5b孑85三即SOOMHa孑90孑90二85S00M1L->go孑90?监里）OYH2昌-90孑90->B5IDOflMfa,90