电源正负极防反接保护电路分析_第1页
电源正负极防反接保护电路分析_第2页
电源正负极防反接保护电路分析_第3页
电源正负极防反接保护电路分析_第4页
电源正负极防反接保护电路分析_第5页
已阅读5页，还剩3页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

第第页电源正负极防反接保护电路分析（电源）防反接，应该是很多电路场景下都会采取到此系列得设计。

前几日，小白在做单板验证时，在接上假电池然后电源供电时，一不小心将假电池的正负极与供电电源的输入输出接反了，导致单板烧坏，瞬间一缕青烟飘荡在我的座位上。由于我们的（产品）用的是真电池，所以不会存在反接的情况，更不存在电源防反接的设计，但是处于调试验证阶段，真电池有限，所以采用的是假电池，于是乎，，，一不下心出现了上述情况。

基于此问题，今天，我还是想简单的整理一下，在一些电路中，为防电源反接所采取的电路措施。

（二极管）串联反接（保护电路）

在电源的输入端，串联一个正向二极管，其主要利用了二极管的正向导通，反向截止的特性。

在电路接入正常时，二极管是导通的，电路可以正常工作。

在电源接反时，二极管截止，电源无法形成回路，电路板无法正常工作，可以有效的防止反接带来的危害。

但是需要注意的是，二极管存在压降。其中硅材料的二极管压降一般为0.7V。锗材料的二极管压降一般为0.3V。

使用桥式整流电路防反接保护电路

使用桥式整流电路，无论电源正接还是反接，电路都能正常的工作。

但存在和第一种方法一样的问题，二极管存在压降，会导致后级电路的输入电压小于电源电压。

使用MOS管进行防反接电路的保护

MOS管存在导通阻抗，即RDS(on)-漏极/源极间的导通阻抗。所以在进行该类（电路设计）时，应选择导通阻抗较小的MOS管。一般在几毫欧或者几十毫欧左右。此时存在的压降极小，可以忽略不计。

NMOS防护

在上电的瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统构成回路。源极电压大概为0.6V.此时栅极的电压为Vbat，MOS管的开启电压Vgs=Vbat-0.6。只要大于规格书的标准，DS即可导通，此时MOS管的寄生二极管被短路，系统通过MOS管的DS产生回路。

若电源反接，NMOS管导通电压为0,NMOS截止，寄生二极管反接，电路出于断开状态，无法形成回路。

PMOS防护

同上述类似，在上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统构成回路，源极电压为Vbat-0.6V,然而栅极电压为0，MOS管的开启电压为Ugs=0-（Vbat-0.6），栅极为低电平，PMOS，导通，寄生二极管被短路，系统通过PMOS的ds接入形成回路。

若电源接反，NMOS的导通电压大于0V，PMOS截止，寄生二极管反接，电路断开，从而形成保护。

其中，NMOS串接到负极，PMOS串接到正极，寄生二极管朝向正确的（电流）流经的方向。

NMOS，电流从D极流入S极流出。PMOS则是，S极流入D极流出。

实际应用中，G极一般还要串接一个电阻，为了防止MOS管被击穿，也可以加上一个稳压二极管。并联在分压电阻上的（电容），有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间，电容充电，G极电压逐步建立起来。

对于P

人人文库> 全部分类> 图纸下载 > 毕业设计

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论