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文档简介
光电传感器实验平台光电传感器实验平台数量:8套一、配置要求1、 平台电子元器件光电二极管4只;光电三极管4只;光敏电阻4只;硅光电池4只;发光二极管R、G、B、W四色各2只;PIN光电二极管2只;雪崩光电二极管(APD)2只;四象限光电传感器2只;2、 平台实验装置LED点光源装置1支;光电器件安装装置2件;热释电实验装置1件;PSD实验装置1件;四象限实验装置1套;52单片机开发系统装置;UVM-30A紫外线探测传感器1只;3、 光源配置白色远心照明光源1只;650nm点型3mw半导体激光器1只;4、 夹持器具配置导轨固定底座4个;导轨底座支撑杆4个;一维调整架1个;5、 连接线配置100mm连接线5颗;200mm连接线5颗;300mm连接线5颗;400mm连接线5颗;500mm连接线5颗;卬2.1mm插头的连接线3颗;6、 示波器配置1台7、 实验指导书1本二、技术要求1含光学导轨不小于410mm2数字电压表:精度四位半;量程20V,200V;3数字电流表:精度四位半;量程20mA,200mA;4数字照度计:自动更换量程;测量范围0.1〜1.999x103x;5光电二极管:暗电流ID=±0.1uA;光电流IL=±80uA;峰值响应880nm;最高工作电压30V;开关时间50/50ns;光谱范围400〜1100nm;6光电三极管:集电极-发射极电压30V;发射极-集电极电压5V;集电极电流20mA;7光敏电阻:暗电阻1.0MQ;亮电阻8〜20KQ(10Lx);8硅光电池:开路电压小于500mV;短路电流小于18mA;输出电流小于16.5mA;感光面积10X10mm;9—维PSD:光敏区1mm*8mm;光谱响应范围300-1100nm;Ev=1000LX2856K时,开路电压为0.3V,短路电流为55|jA;PSD调整架:位移范围13mm;位移精度0.01mm;10热释电器件:型号:RE200B;灵敏元面积:2.0x1.0mm2;基片材料:硅;基片厚度:0.5mm;工作波长:5-14口m;平均透过率>75%;11光电耦合器:型号:4N35;隔离电压:5300V;输入电流:10mA;输出电压:30V;工作温度范围:-55°Cto+100°C;最大正向电流,If:60mA;正向电Vf最大:1.5V;电压,Vceo:30V;电压,Vf典型值:1.3V;输出电压最大30V;击穿电压最小:30V;电流传递率(CTR)最小值:100%;12UVM-30A紫外线探测传感器参数:尺寸:长9mmX宽9mmX高10mm;工作电压:DC3-5V;输出电压:DC0-1V(线性度好);测试精度:±1UVINDEX;工作电流:典型值0.06mA;最大值0.1mA;响应波长:200nm-370nm;工作温度:-201-85^;工作稳定性:年漂移率<5%;13电器参数:输入电压AC220V,50Hz;功耗200W;14配套示波器:带宽:100MHz;实时采样率:1GS/s;通道:2;时基范围(s/div):5ns/div-1000s/div,stepby1-2-5;显示:7英寸TFT真彩色液晶显示屏,800*480像素;存储深度:10K;垂直灵敏度:5mV/div-5V/div;触发:边沿、视频;波形存储:16组波形;标准接口:USBhost,USBdevice;自动测量:峰-峰值、平均值、均方根值、周期均方根值、游标均方根值、频率、周期、工作周期、最大值、最小值、顶端值、底端值、幅度、过冲、上升时间、下降时间、相位、正脉冲、负脉宽、正占空比、负占空比、延迟A-B、正脉冲个数、负脉冲个数、上升边沿个数、下降边沿个数、面积、周期面积;三、可开展实验项目1光敏电阻特性参数及其测量;2光敏电阻伏安特性实验;3光敏电阻的变换电路;4光敏电阻时间响应特性;5光电二极管光照灵敏度的测量;6光电二极管伏安特性的测量;7光电二极管时间响应特性的测量;8硅光电池在不同偏置状态下的特性参数及其测量;9测量硅光电池在反向偏置下的时间响应;10光电三极管光照灵敏度的测量;11光电三极管伏安特性的测量;12光电三极管时间响应的测量;13光电三极管光谱特性的测量;14光电耦合器电流传输比的测量15光电耦合器件伏安特性的测量;16光电耦合器件时间相应的测量;17热释电器件基本原理实验;18热释电器件光谱响应的测试实验;19PSD位移传感
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