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文档简介

1二氧化硅薄膜器件性质薄膜的主要方法有溶胶-凝胶、脉冲激光溅射、金属有机化合物化学气相沉形成薄膜的致密性差、缺陷多从而导致测出ITO玻璃结构图(3)按照不同配比重复上述步骤重复上述步骤;2O的制备(1)悬涂仪参数设置:(2)二氧化硅薄膜的旋涂:3极制备3.2二氧化硅薄膜性能测试与分析在SiO2薄膜样品上镀上Ag电极,形成金属-SiO2-Ag三明治结构,利用已经变成好的程序对薄膜样品电学性能进行测试。将四探针的两个探针分别与电极和ITO薄膜相连。如4图3.2.2Ag/SiO2/ITO器件的I-V曲线(DI量多)图3.2.3Ag/SiO2/ITO器件的I-V曲线(DI量少)f5V为来增加溶液的均匀性以及粘稠度,目的是让增加膜厚、均匀性、填补孔隙。对制得的掺杂(PVP)SiO2对其进行电学性能测试。6实验把DI含量较多的胶体,搅拌几天后,进行旋涂,旋涂后发现形成较厚的薄膜,可出图中的On-Off比很稳定而且比较大。表明器件可以重复运行多

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