数字电路第7章半导体存储器

第七章半导体存储器§7.1概述§7.2只读存储器（ROM）§7.3读写存储器（RAM）§7.4存储器容量的扩展§7.5用存储器实现组合逻辑函数7/26/20231阜师院数科院§7.1概述

半导体存储器是用来存储二值数字信息的大规模集成电路。在电子计算机以及其他一些数字系统的工作过程中，都需要对大量的数据进行存储。因此，存储器也就成了这些数字系统不可缺少的组成部分。

因为半导体存储器的存储单元数目极其庞大而器件的引脚数目有限，所以在电路结构上就不可能像寄存器那样把每个存储单元的输入输出直接引出。为了解决这个矛盾，在存储器中给每个存储单元编了一个地址，只有被输入地址代码指定的那些单元才能与公共的输入/输出引脚接通，进行数据的读出和写入。由于计算机处理的数据量越来越大，运算速度越来越快，这就要求存储器具有更大的存储容量和更快的存取速度。所以通常把存储量和存取速度作为衡量存储器性能的重要指标。（如109位/片，10ns）7/26/20232阜师院数科院

存储器实际上是将大量存储单元按一定规律结合起来的整体，它可以被比喻为一个由许多房间组成的大旅馆。每个房间有一个号码(地址码)，每个房间内有一定内容(一个二进制数码，又称一个“字”)。

半导体存储器的种类很多，从存储功能上讲，可分为只读存储器（ReadOnlyMemory，简称ROM）和随机存储器（RandomAccessMemory，简称RAM）两大类。

从构成元件来说，又分为双极型和MOS型。但鉴于MOS电路具有功耗低，集成度高等优点，目前大容量的存储器都是采用MOS电路制作的。7/26/20233阜师院数科院7.2只读存储器(ROM)7.2.1掩模只读存储器

在采用掩模工艺制作ROM时，其中存储的数据是由制作过程中使用的掩模决定的。这种掩模板是按照用户的要求而专门设计的。因此，掩模ROM在出厂时内部存储的数据就已经“固化”在里面了，不可更改。

ROM的电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个部分。7/26/20234阜师院数科院A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端存储矩阵输出电路位线字线A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0译码器7/26/20235阜师院数科院A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端假设：A1A0＝1110001100二极管或门7/26/20236阜师院数科院A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端1100二极管或门1当某一字线被选中时，这个字线与位线间若接有二极管，则该位线输出为1。7/26/20237阜师院数科院假设：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端0101A1A0＝107/26/20238阜师院数科院假设：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端0101A1A0＝017/26/20239阜师院数科院假设：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端0011A1A0＝007/26/202310阜师院数科院000101111111111000000001地址A1A0D3D2D1D0内容位线A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端字线输入任意一个地址码，译码器就可使与之对应的某条字线为高电平，进而可以从位线上读出四位输出数字量。7/26/202311阜师院数科院左图是使用MOS管的ROM矩阵：有MOS管的单元存储“1”，无MOS管的单元存储“0”。…...图7.2.3用MOS管构成的存储矩阵7/26/202312阜师院数科院

7.2.2可编程只读存储器(PROM)有一种可编程序的ROM，在出厂时全部存储“1”，用户可根据需要将某些单元改写为“0”,然而只能改写一次，称其为PROM。若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然，一旦烧断后不能再恢复。前两种存储器的存储内容在出厂时已被完全固定下来，使用时不能变动，称为固定ROM。7/26/202313阜师院数科院图7.2.5PROM管的结构原理图

编程时首先应输入地址代码，找出要写入0的单元地址。然后使VCC和选中的字线提高到编程所要求的高电位，同时在编程单元的位线上加入编程脉冲（幅度约20V，持续时间约十几微秒）。这时写入放大器AW的输出为低电平，低内阻状态，有较大的脉冲冲击电流流过熔丝，将其熔断。7/26/202314阜师院数科院PROM中的内容只能写一次，有时仍嫌不方便，于是又发展了一种可以改写多次的ROM，简称EPROM。它所存储的信息可以用紫外线或X射线照射檫去，然后又可以重新编制信息。存储容量：是ROM的主要技术指标之一，它一般用[存储字数：2N]·[输出位数：M]来表示(其中N为存储器的地址线根数)。例如：128(字)·8(位)，1024(字)·8(位)等等。

图7.2.5是一个16×8的PROM。这里16×8是指其存储矩阵的容量。7/26/202315阜师院数科院7.2.3可重复编程只读存储器(EPROM)１．UVEPROM(Ultra-VioletErasableProgrammableROM）1)叠栅注入MOS管原理：在写入数据前：浮栅无电子，SIMOS管同正常MOS管，开启电压为VT。写数据时，需在漏、栅极之间加足够高的电压（如25V）使漏极与衬底之间的PN结反向击穿，产生大量的高能电子。这些电子穿过氧化绝缘层堆积在浮栅上，从而是浮栅带有负电荷。浮栅有电子后，控制栅需要加更大正压才能使管子开启，开启电压为VT’。（Stacked-gateInjectionMetal-Oxide-Semi）VgsiD0VTVT’

7/26/202316阜师院数科院2)叠栅型EPROM工作原理图7.2.9中写入数据时漏极和控制栅极的控制电路没有画出。这是一个256×1位的EPROM，256个存储单元排列成16×16矩阵。输入地址的高4位加到行地址译码器上，从16行存储单元中选出要读的一行。输入地址的低4位加到列地址译码器上，再从选中的一行存储单元中选出要读的一位。浮置栅上注入了电荷的SIMOS管相当于写入了1，未注入电荷的相当与存入了0。出厂时，全部单元存“1”。7/26/202317阜师院数科院3)EPROM实例介绍（2716）结构及引脚…...…...A0A1A2A3行地址译码器行地址缓冲器列地址译码器列地址缓冲器读出放大器输出缓冲器片选,功耗降低和编程逻辑CS__PD/PGMVppA4A5A6A7A8A9A10D7D6D5D4D3D2D1D07/26/202318阜师院数科院2716的工作方式out7/26/202319阜师院数科院

２．EEPROM浮栅隧道氧化层MOS管（FloatinggateTunnelOxide,简称Flotox）

Flotox管

与SIMOS管相似，它也属于N沟道增强型的MOS管，并且有两个栅极—控制栅GC和浮置栅Gf。所不同的是Flotox管的浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的区域。这个区域称为隧道区。

虽然用紫外线擦除的EPROM具备了可擦除重写的功能，但擦除操作复杂，擦除速度慢。为了克服这些缺点，又研制出了用电可擦的可编程ROM。7/26/202320阜师院数科院当隧道区的电场强度大到一定的时候，便在漏区和浮置栅之间出现导电隧道，电子可以双向通过，形成电流。这种现象称为隧道效应。

为了提高擦、写的可靠性，并保护隧道区超薄氧化层，在EEPROM的存储单元中除Flotox管外还附加了一个选通管，如图7.2.11所示。根据Flotox管的浮置栅上是否存有电荷来区分单元的1或0状态。EEPROM在出厂时各存储单元均为1状态。7/26/202321阜师院数科院图7.2.12E2PROM存储单元的三种工作状态（a）读出状态（b）擦除（写1）状态（c）写入（写0）状态在读出状态下，GC上加3V电压，字线Wi给出5V的正常高电平，如图7.2.12(a)所示。这时选通管T2导通，如果Floatox管的浮置栅上充有负电荷，则T1截止，Bi上读出1。

在擦除状态下，Flotox管的控制栅GC上加20V左右、宽度约10ms的脉冲电压，漏区接0电平。这时经GC-Gi间电容和Gi-漏区电容分压在隧道区产生强电场，吸引漏区的电子通过隧道区到达浮置栅，形成存储电荷，使Flotox管的开启电压提高到7V以上，成为高开启电压管（表示写了1）。读出时GC上的电压只有3V，Flotox管不会导通。7/26/202322阜师院数科院

在写入状态下，应使写入0的那些存储单元的Flotox管浮置栅放电。为此，在写入0时令控制栅GC为0电平，同时在字线Wi和位线Bi上加20V左右、宽度约10ms的脉冲电压。这时浮置栅上的存储电荷将通过隧道区放电，使Flotox管的开启电压降为0V左右，成为低开启电压管（表示写了0）。读出时，GC上加3V电压，Flotox管为导通状态。EEPROM是按字节写入或擦除的。

虽然EEPROM改用电压信号擦除了，但由于擦除和写入时需要加高压脉冲，而且擦、写的时间仍叫长，所以在系统正常工作状态下，EEPROM仍然只能工作在它的读出状态，作ROM使用。

3、快闪存储器（FlashMemory）从上面对EEPROM的介绍中可以看出，为了提高擦除和写入的可靠性，EEPROM的存储单元用了两只MOS管。这无疑将限制了EEPROM的集成度的进一步提高。快闪存储器采用了类似于EPROM的单管叠栅结构的存储单元，制成了新一代用电可擦可编程ROM。7/26/202323阜师院数科院

快闪存储器既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷性，而且集程度可以作得很高。

图7.2.13快闪存储器中的叠栅MOS管

快闪存储器中的叠栅MOS管的结构与EPROM中的SIMOS管极为相似，两者最大的区别是浮置栅与衬低间氧化层的厚度。在EPROM中这个氧化层的厚度一般为30~40mm，而在7/26/202324阜师院数科院闪存储器中仅为10~15mm。而且浮置栅与源区重叠的部分是由源区的横向扩散形成的，面积极小，因而浮置栅-源区间的电容要比浮置栅-控制栅间的电容小得多。当控制栅和源极间加上电压时，大部分电压都将降在浮置栅与源极之间的电容上。这有利于提高擦、写速度。快闪存储器的存储单元就是用这样一只管子组成的。

在读出状态下，字线给出5V的逻辑高电平，存储单元公共端VSS为0电平。如果浮置栅上没有充电，则叠栅MOS管导通，位线上输出低电平；如果浮置栅上充有负电荷，则叠栅MOS管截止，位线上输出高电平。7/26/202325阜师院数科院

快闪存储器的写入方法和EPROM相同，即利用雪崩注入的方法使浮置栅充电。在写入状态下，叠栅MOS管的漏极经位线接至一个较高的正电压（一般为6V），VSS接0电平，同时在控制栅加一个幅度12V左右、宽度约10µS的正脉冲。这时D-S间将发生雪崩击穿，一部分速度高的电子便穿过氧化层到达浮置栅，形成浮置栅充电电荷。浮置栅充电后，叠栅MOS管的开启电压为7V以上，字线为正常电平时不会导通。

快闪存储器的擦除操作是利用隧道效应进行的，在这一点上又类似于EEPROM写入0时的操作。在擦除状态下，令控制栅处于0电平，同时在源极VSS加入幅度为12V左右、宽度约100ms的正脉冲。这时在浮置栅与源区间极小的重叠部分产生隧道效应，使浮置栅上的电荷经隧道区释放。浮置栅放电后，叠栅MOS管的开启电压在2V以下，在它的控制栅上加5V的电压时一定会导通。由于片内所有叠栅MOS管的源极是连在一起的，所以全部存储单元同时被擦除。这也是它不同于EEPROM的一个特点。7/26/202326阜师院数科院§7.3读写存储器(RAM)读写存储器又称随机存取存储器。读写存储器的特点是：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存取存储器，简称RAM。RandomAccessMemory...RAM按功能可分为静态、动态两类；RAM按所用器件又可分为双极型和MOS型两种。为了便于连接成为小系统，它的输出都采用三态方式，由片选端控制。7/26/202327阜师院数科院一、SRAM的结构和工作原理7.3.1静态随机存储器(SRAM)7/26/202328阜师院数科院图7.3.210244位RAM（2114）的结构框图7/26/202329阜师院数科院二、静态存储单元WiDD符号图7.3.3六管NMOS静态存储单元7/26/202330阜师院数科院介绍基本存储单元的工作原理:VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字线数据线数据线VCCT2T1T3T4由增强型NMOS管T1和T2、T3和T4构成一个基本R-S触发器，它是存储信息的基本单元。7/26/202331阜师院数科院VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字线数据线数据线T5和T6是门控管，由字线Wi控制其导通或截止：Wi＝1，否则就截止。T5T6两管导通；门控管T5和T6导通时可以进行“读”或“写”的操作：7/26/202332阜师院数科院VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6T1字线数据线数据线

R/W的控制作用：=0时，R/W而门2处于高阻状态，0三态门1、3接通，00使I/O信号得以经过门1、3送到数据线上，以便写入。7/26/202333阜师院数科院VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6T1字线数据线数据线

R/W的控制作用：R/W＝1时，门1、3处于高阻状态，1门2接通，1将数据线上电位送到I/O，以便读出。17/26/202334阜师院数科院7.3.2动态随机存储器(DRAM)

静态RAM存储单元所用的管子多，功耗大，集成度受到限制，为了克服这些缺点，人们研制了动态RAM。动态RAM存储数据的原理是基于MOS管栅极电容存储效应。由于漏极电流的存在，电容上存储的数据不能长久保存，因此必须定期给电容补充电荷，以避免存储数据的丢失，这种操作称为再生或刷新。一、DRAM存储单元电路（四管、三管和单管三种）1、三管动态MOS存储单元电路7/26/202335阜师院数科院在三管动态MOS存储单元电路中，信号以电荷形式存储在T2管的栅极电容C之中。电容上的电压VC控制着T2的开关状态，给出位线上的高、低电平。控制读和写的字线和位线是分开的。读的字选线控制着T3管的开关状态，写的字选线控制着T1管的开关状态。T4是同一列存储单元公用的预充电MOS管。

进行读操作时，首先将读位线预充到高电平，然后令读字线为高电平，使T3管导通。如果C上充有正电荷，而且VC大于T2的开启电压，则T2管导通，读位线上的电容CB经T3和T2放电，使位线输出低电平。如果C上没有充电，则T2截止，CB没有放电通路，位线维持预充的高电平。位线的高、低电平经读出放大器反相放大后送到输出端，即读出的数据。7/26/202336阜师院数科院进行写操作时，令写字线为高电平，于是T1管导通，输入的数据加到写位线上，通过T1与T2管的栅极电容C接通，于是便将输入的高、低电平信号存储到C上面。在读出时位线上的电压信号与电容C上的电压信号相位相反，而在写入时位线上的电压信号与C上的电压信号同相。为了周期性地对存储单元刷新，必须先将C上存储的电压信号读出，反相后再重新写入。2、单管动态MOS存储单元电路7/26/202337阜师院数科院单管动态MOS存储单元电路由一只N沟道增强型MOS管T和一个电容CS组成。在进行写操作时，字线给出高电平，使T导通，位线上的数据便经过T被存入CS中。在进行读操作时，字线同样应给出高电平，并使T导通。这时CS经T向位线上的电容CB提供电荷，使位线获得读出的信号电平。设CS上原来存有电荷，电压VCS为高电平，而位线电位VB=0，则执行读操作以后位线电平将上升为因为在实际的存储电路中位线上总是同时接有很多存储单元，使CB>>CS，所以位线上读出的电压信号很小。7/26/202338阜师院数科院例如读出操作前VCS=5V，CS/CB=1/50，则位线上的读出信号将仅有0.1V。而且在读出以后CS上的电压也只剩下0.1V，所以这是一种破坏性读出。因此，需要在DRAM中设置灵敏的读出放大器，一方面将读出信号加以放大，另一方面将存储单元里原来存储的信号恢复。二、灵敏恢复/读出放大器DRAM中的单管动态存储单元也是按行、列排成矩阵式结构的，并且在每根位线上接有灵敏恢复/读出放大器。7/26/202339阜师院数科院灵敏恢复/读出放大器包含一个由T1~T4组成的锁存器和三个控制管T5、T6和T7放大器的一个输出端与位线B和存储单元相连，另一输出端接至一个虚单元上。虚单元的存储电容CF上存入一个介于高、低电平之间的参考电平VR.图7.3.10灵敏恢复/读出放大器的读出过程

（a）读出0的情况（b）读出1的情况读出过程是在一组顺序产生的时钟信号控制下进行的。首先ΦR、ΦF给出正脉冲，使T5、T6和T7导通，位线B、B’和CF均被充电至VR。当字线选通脉冲ΦW到达后，存储单元的开关管TS和虚单元的开关管TF同时都导通。如果CS上没有存储电荷，则CB经TS向CS放电，vCs上升，而位线B的电位逐渐下降。当时钟信号ΦS到达后，位线B和B’间的电位差被T1和T3组成的正反馈电路放大。最后ΦL脉冲使T2和T4导通，将B’提升至高电平，而B降为低电平。Φw消失后，CS恢复0.7/26/202340阜师院数科院三、DRAM的总体结构7/26/202341阜师院数科院7.4存储器容量的扩展123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R/WRAM2114管脚图2345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM6116管脚图A2A711112141324A8D5D6D7RDWR7/26/202342阜师院数科院7.4.1.扩大RAM(如2114)的位数A9A0R/WCSD1D3D2D0A9A0R/WCSD1D3D2D0......2114(1)2114(2)...A0A9D7D6D5D4D1D3D2D0CSR/W控制端当然应该连接好用两片2114(1024×4)构成1024×8只要把各片地址线对应连接在一起，要达到这个目的方法很简单，而数据线并联使用即可，示范接线如下图：7/26/202343阜师院数科院7.4.2.增加RAM(如2114)的字数思路：(1).访问4096个单元，必然有12根地址线；(2).访问RAM2114，只需10根地址线，尚余2根地址线；(3).设法用剩余的2根地址线去控制4个2114的片选端。通过用1024×4(4片2114)构成4096×4为例，介绍解决这类问题的办法。7/26/202344阜师院数科院D3D2D1D0CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D32114(1)2114(2)2114(3)2114(4)R/WY024译码器A11A10Y3A9A0~用四片RAM2114构成40964的存储容量7/26/202345阜师院数科院A11A10选中片序号对应的存储单元001110012114(1)2114(2)2114(3)2114(4)0000~10231024~20472048~30713072~4095CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D32114(1)2114(2)2114(3)2114(4)7/26/202346阜师院数科院7.5用存储器实现组合逻辑函数由ROM的电路结构图可以看出,它的译码器输出包含了输入变量全部的最小项,而每一位数据输出又都是若干个最小项之和,因而任何形式的组合逻辑函数均能通过向ROM中写入相应的数据来实现。000101111111111000000001地址A1A0D3D2D1D0内容例如，左表是一个ROM的数据表。如果将地址输入A1和A0视为输入变量B和A，把输出数据D3、D2、D1和D0视为输出变量Y3、Y2、Y1和Y0，则该ROM就实现了一组两变量的多输出组合逻辑函数。Y3=BA，Y2=BA+BAY1=BA+BA，Y0=BA+BA+BA7/26/202347阜师院数科院例7.5.1试用ROM设计一个八段字符显示译码器,其真值表由表7.5.2给出。解：由给定的真值表可见，应取输入地址为4位，输出数据为8位的（16×8位）的ROM来实现。图中以接入二极管表示存入0，未接入二极管表示存入1。7/26/202348阜师院数科院例7.5.2试用ROM产生如下的一组多输出逻辑函数解:将表达式化为最小项之和的形式得Y1=ABC+ABCY2=ABCD+BCD+ABCDY3=ABCD+ABCDY4=ABCD+ABCDY1=ABCD+ABCD+ABCD+ABCDY2=ABCD+ABCD+ABCD+ABCDY3=ABCD+ABCDY4=ABCD+ABCD7/26/202349阜师院数科院取有4位地址输入、4位数据输出的16×4位ROM，将A、B、C、D4个输入变量分别接至地址输入端A3、A2、A1、A0，按照逻辑函数的要求存入相应的数据，即可在数据输出端D3、D2、D1、D0得到Y4、Y3、Y2、Y1。因为每个输入地址对应一个A、B、C、D的最小项，并使地址译码器的一条输出线为1，而每一位数据输出是若干字线输出的逻辑或，故可按以上逻辑式列出ROM存储矩阵内应存入的数据表（P380）。

在使用EPROM实现时，只要按数据表将所有的数据写入对应地址单元即可。

在使用PROM或掩模ROM时，还可以根据数据表画出存储矩阵的结点连接图。7/26/202350阜师院数科院图7.5.2例7.5.2的ROM点阵图7/26/202351阜师院数科院2.ROM在波形发生器中的应用ROMD/A计数器CP计数脉冲送示波器34A1A2A0D3D2D1D0D/A010000000000011111111111000000000000000000000011111111111248129637/26/202352阜师院数科院tuo0ROMD/A计数器CP计数脉冲送示波器34uoA1A2A0D3D2D1D0D/A01000000000001111111111100000000000000000000001111111111124812963248129637/26/202353阜师院数科院习题7.1，7.2，7.3,7.4,7.9,7.127/26/202354阜师院数科院7/26/202355阜师院数科院安全阀基本知识如果压力容器(设备/管线等)压力超过设计压力…1.尽可能避免超压现象堵塞(BLOCKED)火灾(FIRE)热泄放(THERMALRELIEF)如何避免事故的发生?2.使用安全泄压设施爆破片安全阀如何避免事故的发生?01安全阀的作用就是过压保护!一切有过压可能的设施都需要安全阀的保护!这里的压力可以在200KG以上,也可以在1KG以下!设定压力(setpressure)安全阀起跳压力背压(backpressure)安全阀出口压力超压(overpressure)表示安全阀开启后至全开期间入口积聚的压力.几个压力概念弹簧式先导式重力板式先导+重力板典型应用电站锅炉典型应用长输管线典型应用罐区安全阀的主要类型02不同类型安全阀的优缺点结构简单,可靠性高适用范围广价格经济对介质不过分挑剔弹簧式安全阀的优点预漏--由于阀座密封力随介质压力的升高而降低,所以会有预漏现象--在未达到安全阀设定点前,就有少量介质泄出.100%SEATINGFORCE75502505075100%SETPRESSURE弹簧式安全阀的缺点过大的入口压力降会造成阀门的频跳,缩短阀门使用寿命.ChatterDiscGuideDiscHolderNozzle弹簧式安全阀的缺点弹簧式安全阀的缺点=10090807060500102030405010%OVERPRESSURE%BUILT-UPBACKPRESSURE%RATEDCAPACITY普通产品平衡背压能力差.在普通产品基础上加装波纹管,使其平衡背压的能力有所增强.能够使阀芯内件与高温/腐蚀性介质相隔离.平衡波纹管弹簧式安全阀的优点优异的阀座密封性能,阀座密封力随介质操作压力的升高而升高,可使系统在较高运行压力下高效能地工作.ResilientSeatP1P1P2先导式安全阀的优点平衡背压能力优秀有突开型/调节型两种动作特性可远传取压先导式安全阀的优点对介质比较挑剃,不适用于较脏/较粘稠的介质,此类介质会堵塞引压管及导阀内腔.成本较高.先导式安全阀的缺点重力板式产品的优点目前低压储罐呼吸阀/紧急泄放阀的主力产品.结构简单.价格经济.重力板式产品的缺点不可现场调节设定值.阀座密封性差,并有较严重的预漏.受背压影响大.需要很高的超压以达到全开.不适用于深冷/粘稠工况.几个常用规范ASMEsectionI-动力锅炉(FiredVessel)ASMEsectionVIII-非受火容器(UnfiredVessel)API2000-低压安全阀设计(LowpressurePRV)API520-火灾工况计算与选型(FireSizing)API526-阀门尺寸(ValveDimension)API527-阀座密封(SeatTightness)介质状态(气/液/气液双相).气态介质的分子量&Cp/Cv值.液态介质的比重/黏度.安全阀泄放量要求.设定压力.背压.泄放温度安全阀不以连接尺寸作为选型报价依据!如何提供高质量的询价?弹簧安全阀的结构弹簧安全阀起跳曲线弹簧安全阀结构弹簧安全阀结构导压管活塞密封活塞导向不平衡移动副(活塞)导管导阀弹性阀座P1P1P2先导式安全阀结构先导式安全阀的工作原理频跳安全阀的频跳是一种阀门高频反复开启关闭的现象。安全阀频跳时，一般来说密封面只打开其全启高度的几分只一或十几分之一，然后迅速回座并再次起跳。频跳时，阀瓣和喷嘴的密封面不断高频撞击会造成密封面的严重损伤。如果频跳现象进一步加剧还有可能造成阀体内部其他部分甚至系统的损伤。安全阀工作不正常的因素频跳后果1、导向平面由于反复高频磨擦造成表面划伤或局部材料疲劳实效。2、密封面由于高频碰撞造成损伤。3、由于高频振颤造成弹簧实效。4、由频跳所带来的阀门及管道振颤可能会破坏焊接材料和系统上其他设备。5、由于安全阀在频跳时无法达到需要的排放量，系统压力有可能继续升压并超过最大允许工作压力。安全阀工作不正常的因素A、系统压力在通过阀门与系统之间的连接管时压力下降超过3%。当阀门处于关闭状态时，阀门入口处的压力是相对稳定的。阀门入口压力与系统压力相同。当系统压力达到安全阀的起跳压力时，阀门迅速打开并开始泄压。但是由于阀门与系统之间的连接管设计不当，造成连接管内局部压力下降过快超过3%，是阀门入口处压力迅速下降到回座压力而导致阀门关闭。因此安全阀开启后没有达到完全排放，系统压力仍然很高，所以阀门会再次起跳并重复上述过程，既发生频跳。导致频跳的原因导致接管压降高于3%的原因1、阀门与系统间的连接管内径小于阀门入口管内径。2、存在严重的涡流现象。3、连接管过长而且没有作相应的补偿（使用内径较大的管道）。4、连接管过于复杂（拐弯过多甚至在该管上开口用作它途。在一般情况下安全阀入口处不允许安装其他阀门。）导致频跳的原因B、阀门的调节环位置设置不当。安全阀拥有喷嘴环和导向环。这两个环的位置直接影响安全阀的起跳和回座过程。如果喷嘴环的位置过低或导向环的位置过高，则阀门起跳后介质的作用力无法在阀瓣座和调节环所构成的空间内产生足够的托举力使阀门保持排放状态，从而导致阀门迅速回座。但是系统压力仍然保持较高水平，因此回座后阀门会很快再次起跳。导致频跳的原因C、安全阀的额定排量远远大于所需排量。

由于所选的安全阀的喉径面积远远大于所需，安全阀排放时过大的排量导致压力容器内局部压力下降过快，而系统本身的超压状态没有得到缓解，使安全阀不得不再次起跳频跳的原因阀门拒跳：当系统压力达到安全阀的起跳压力时，阀门不起跳的现象。安全阀工作不正常的因素1、阀门整定压力过高。2、阀门内落入大量杂质从而使阀办座和导套间卡死或摩擦力过大。3、弹簧之间夹入杂物使弹簧无法被正常压缩。4、阀门安装不当，使阀门垂直度超过极限范围（正负两度）从而使阀杆组件在起跳过程中受阻。5、排气管道没有被可靠支撑或由于管道受热膨胀移位从而对阀体产生扭转力，导致阀体内机构发生偏心而卡死。安全阀拒跳的原因阀门不回座或回座比过大：安全阀正常起跳后长时间无法回座，阀门保持排放状态的现象。安全阀工作不正常的因素1、阀门上下调整环的位置设置不当。2、排气管道设计不当造成排气不畅，由于排气管道过小、拐弯过多或被堵塞，使排放的蒸汽无法迅速排出而在排气管和阀体内积累，这时背压会作用在阀门内部机构上并产生抑制阀门关闭的趋势。3、阀门内落入大量杂质从而使阀瓣座和导套之间卡死后摩擦力过大。安全阀不回座或回座比过大的因素：4、弹簧之间夹入杂物从而使弹簧被正常压缩后无法恢复。5、由于对阀门排放时的排放反力计算不足，从而在排放时阀体受力扭曲损坏内部零件导致卡死。6、阀杆螺母（位于阀杆顶端）的定位销脱落。在阀门排放时由于振动使该螺母下滑使阀杆组件回落受阻。安全阀不回座或回座比过大的因素：7、由于弹簧压紧螺栓的锁紧螺母松脱，在阀门排放时由于振动时弹簧压紧螺栓松动上滑导致阀门的设定起跳值不断减小。

8、阀门安装不当，使阀门垂直度超过极限范围（正负两度）从而使阀杆组件在回落过程中受阻。

9、阀门的密封面中有杂质，造成阀门无法正常关闭。

10、锁紧螺母没有锁紧，由于管道震动下环向上运动，上平面高于密封面，阀门回座时无法密封安全阀不回座或回座比过大的因素：谢谢观看癌基因与抑癌基因oncogene&tumorsuppressorgene24135基因突变概述.癌基因和抗癌基因的概念.癌基因的分类.癌基因产物的作用.癌基因激活的机理主要内容疾病：

——是人体某一层面或各层面形态和功能（包括其物质基础——代谢）的异常，归根结底是某些特定蛋白质结构或功能的变异，而这些蛋白质又是细胞核中相应基因借助细胞受体和细胞中信号转导分子接收信号后作出应答（表达）的产物。TranscriptionTranslationReplicationDNARNAProtein中心法规Whatisgene?基因：

—是遗传信息的载体

—是一段特定的DNA序列（片段）

—是编码RNA或蛋白质的一段DNA片段

—是由编码序列和调控序列组成的一段DNA片段基因主宰生物体的命运：微效基因的变异——生物体对生存环境的敏感度变化关键关键基因的变异——生物体疾病——死亡所以才有：“人类所有疾病均可视为基因病”之说注：如果外伤如烧伤、骨折等也算疾病的话，外伤应该无法归入基因病的行列。Genopathy问：两个不相干的人，如果他们患得同一疾病，致病基因是否相同？再问：同卵双生的孪生兄弟，他们患病的机会是否一样，命运是否相同？┯┯┯┯

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┷┷┷┷增添缺失替换DNA分子(复制)中发生碱基对的______、______

和

，而引起的

的改变。替换增添缺失基因结构基因变异的概念：英语句子中的一个字母的改变，可能导致句子的意思发生怎样的变化？可能导致句子的意思不变、变化不大或完全改变THECATSATONTHEMATTHECATSITONTHEMATTHEHATSATONTHEMATTHECATONTHEMAT同理：替换、增添、缺失碱基对，可能会使性状不变、变化不大或完全改变。基因的结构改变,一定会引起性状的改变??原句：1.基因多态性与致病突变基因变异与疾病的关系2.单基因病、多基因病3.疾病易感基因

基因多态性polymorphism是指DNA序列在群体中的变异性（差异性）在人群中的发生概率>1%（SNP&CNP)<1%的变异概率叫做突变基因多态性特定的基因多态性与疾病相关时，可用致病突变加以描述SNP:散在单个碱基的不同，单个碱基的缺失、插入和置换。

CNP:DNA片段拷贝数变异，包括缺失、插入和重复等。同义突变、错义突变、无义突变、移码突变

致病突变生殖细胞基因突变将突变的遗传信息传给下一代(代代相传),即遗传性疾病。体细胞基因突变局部形成突变细胞群（肿瘤）。受精卵分裂基因突变的原因物理因素化学因素生物因素基因突变的原因（诱发因素）紫外线、辐射等碱基类似物5BU/叠氮胸苷等病毒和某些细菌等自发突变DNA复制过程中碱基配对出现误差。UV使相邻的胸腺嘧啶产生胸腺嘧啶二聚体,DNA复制时二聚体对应链空缺，碱基随机添补发生突变。胸腺嘧啶二聚体胸腺嘧啶胸腺嘧啶紫外线诱变物理诱变(physicalinduction)

5溴尿嘧啶(5BU)与T类似，多为酮式构型。间期细胞用酮式5BU处理，5BU能插入DNA取代T与A配对；插入DNA后异构成烯醇式5BU与G配对。两次DNA复制后,使A/T转换成G/C，发生碱基转换,产生基因突变。化学诱变(chemicalinduction)碱基类似物(baseanalogues)诱变AT5-BUA5-BUAAT5-BU5-BU(烯醇式)

(酮式)GGC1.生物变异的根本来源，为生物进化提供了最初的原始材料,能使生物的性状出现差别，以适应不同的外界环境，是生物进化的重要因素之一。2.致病突变是导致人类遗传病的病变基础。基因突变的意义概述：肿瘤细胞恶性增殖特性（一）肿瘤细胞失去了生长调节的反馈抑制正常细胞受损,一旦恢复原状，细胞就会停止增殖，但是肿瘤细胞不受这一反馈机制抑制。（二）肿瘤细胞失去了细胞分裂的接触抑制。正常细胞体外培养，相邻细胞相接触，长在一起，细胞就会停止增殖，而肿瘤细胞生长满培养皿后，细胞可以重叠起生长。（三）肿瘤细胞表现出比正常细胞更低的营养要求。（四）肿瘤细胞生长有一种自分泌作用，自己分泌生长需要的生长因子和调控信号,促进自身的恶性增殖。Whatisoncogene?癌基因——是基因组内正常存在的基因，其编码产物通常作为正调控信号，促进细胞的增殖和生长。癌基因的突变或表达异常是细胞恶性转化（癌变）的重要原因。——凡是能编码生长因子、生长因子受体、细胞内信号转导分子以及与生长有关的转录调节因子等的基因。如何发现癌基因的呢?11910年，洛克菲勒研究院一个年轻的研究员Rous发现，鸡肉瘤细胞裂解物在通过除菌滤器以后，注射到正常鸡体内，可以引起肉瘤，首次提出鸡肉瘤可能是由病毒引起的。0.2m孔径细菌过不去但病毒可以通过从病毒癌基因到细胞原癌基因的研究历程：Roussarcomavirus,RSVthefirstcancer-causingretrovirus1958年，Stewart和Eddy分离出一种病毒，注射到小鼠体内可以引起肝脏、肾脏、乳腺、胸腺、肾上腺等多种组织器官的肿瘤，因而把这种病毒称为多瘤病毒。50年代末、60年代初，癌病毒研究成了一个极具想像力的研究领域，主流科学家开始进入癌病毒研究领域polyomavirus这期间，Temin发现RSV有不同亚型，且引起细胞恶变程度不同，推测RNA病毒将其遗传信息传递给了正常细胞的DNA。这与Crick提出的中心法则是相违背的让事实屈从于理论还是坚持基于实验的结果？VSTemin发现逆转录酶，1975年获诺贝尔奖TeminCrickTemin的实验设计：实验设计简单而巧妙：将合成DNA所需的“原料”，即A、T、C、G四种脱氧核苷酸，与破坏了外壳的RSV一起在体外40℃的条件下温育一段时间结果在试管里获得了一种新合成的大分子，它不能被RNA酶破坏，但却可以被DNA酶所分解，证明这种新合成的大分子是DNA用RNA酶预先破坏RSV的RNA，再重复上述的试验，则不能获得这种大分子，说明这个DNA大分子是以RSV的RNA为模板合成的1969年，一个日本学者里子水谷来到Temin的实验室，这是一个非常擅长实验的年轻科学家。按Temin的设想，他们开始寻找RSV中存在“逆转录酶”的证据DNA

RNA

ProteinTranscriptionTranslationReplicationReplicationRe-Transcription修正中心法规据说，1975年Temin因发现逆转录酶而获诺贝尔奖时，Bishop懊恼不已，因为早在1969年他就认为Temin的RNADNA的“前病毒理论”有可能是正确的，并且也进行了一些实验，但不久由于资深同事的规劝而放弃了这方面的努力。但Bishop马上意识到：逆转录酶的发现为逆转录病毒致癌的研究提供了一条新途径。一个RSV，三个诺贝尔奖！！！1989年，UCSF的Bishop和Varmus根据逆转录病毒的复制机制发现了细胞癌基因，并获诺贝尔奖。Cellularoncogene启示：Perutz说:“科学创造如同艺术创造一样，都不可能通过精心组织而产生”Bishop说:“许多人引以为豪的是一天工作16小时，工作安排要以分秒计……可是工作狂是思考的大敌，而思考则是科学发现的关键”Perutzsharedthe1962NobelPrizeforChemistrywithJohnKendrew,fortheirstudiesofthestructuresofhemoglobinandglobularproteins科学的本质和艺术一样，都需要直觉和想像力请给自己一些思考的时间吧！癌基因的分类目前对癌基因尚无统一分类的方法，一般有下面3种分类方法：一、按结构特点分（6）类（一）src癌基因家族（二）ras癌基因家族（三）sis癌基因家族（四）myc癌基因家族（五）myb癌基因家族（六）其它：如fos，erb－A等。三、按细胞增殖调控蛋白特性分成（4）类（一）生长因子（二）受体类（三）细胞内信号转换器（四）细胞核因子二、按产物功能分（8）类（一）生长因子类（二）酪氨酸蛋白激酶（三）膜相关G蛋白（四）受体，无蛋白激酶活性（五）胞质丝氨酸-苏氨酸蛋白激酶（六）胞质调控因子（七）核反式调控因子（八）其它:db1、bcl－2癌基因产物参与信号转导

胞外信号作用于膜表面受体→胞内信使物质的生成便意味着胞外信号跨膜传递的完成。胞内信使至少有：cAMP（环磷酸腺苷）IP3（三磷酸肌醇）PG（前列腺素）cGMP（环磷酸鸟苷）DG（二酰基甘油）Ca2＋（钙离子）CAM（钙调素）主要机制是通过蛋白激酶活化引起底物蛋白一连串磷酸化的生物信号反应过程,跨膜机制涉及到：（一）质膜上cAMP信使系统（二）质膜上肌醇脂质系统这两个系统都是由受体鸟苷酸调节蛋白（GTP-regulatoryprotein，G蛋白）和效应酶（腺苷酸环化酶磷脂酶等）组成，有相似的信号转导过程：即受体活化后引起GTP与不同G蛋白结合活化和抑制效应酶从而影响胞内信使产生而发生不同的调控效应。（三）受体操纵的离子通道系统（四）受体酪氨酸蛋白激酶的转导

（一）获得性基因病

(acquiredgeneticdisease)例如：病毒感染激活原癌基因癌基因活化的机制

（二）染色体易位和重排使无活性的原癌基因转位至强启动子或增强子附近而被活化。与基因脆性位点相关。（三）基因扩增（四）点突变三、癌基因的产物与功能（一）癌基因产物作用的一般特点1.目前发现c-onc均为结构基因.2.癌基因产物可分布在膜质核也可分泌至胞外.（二）癌基因产物分类1.细胞外生长因子：TGF-b2.跨膜生长因子受体:MAPK3.细胞内信号转导分子:Gprotein/Ras4.核内转录因子

（三）癌基因产物的协同作用实验证明，用ras或myc分别转染细胞，可使细胞长期增殖，但不能转化成癌细胞，在裸鼠体内也不能形成肿瘤。但用ras+myc同时转染细胞，则使细胞转化成癌细胞。说明：致癌至少需要2种或以上的onc协同作用，2种onc在2条通路上发挥作用，由于细胞增殖调控是多因子，多阶段影响的结果。而影响增殖分化的onc达几十种之多，所以大多数人认为：癌发生是多阶段多步骤的。Whatistumorsuppressorgene?肿瘤抑制基因（抗癌基因、抑癌基因）——是调节细胞正常生长和增殖的基因。当这些基因不能表达，或其产物失去活性时，细胞就会异常生长和增殖，最终导致细胞癌变。反之，若导入或激活它则可抑制细胞的恶性表型。——癌基因与抑癌基因相互制约，维持细胞增殖正负调节信号的相对稳定。影响1岁的儿童“二次打击”学说两个等位基因同时突变视网膜母细胞瘤（Retinoblastoma）RB基因变异(13号染色体)

(1)脱磷酸化Rb蛋白（活性）与转录因子E2F结合，抑制基因的转录活性(2)磷酸化Rb蛋白（失活）与E2F解离，释放E2F(3)E2F启动基因转录(4)细胞进入增生阶段(G1S)因此，Rb蛋白在控制细胞生长方面发挥重要作用一旦Rb基因突变可使细胞进入过度增生状态RB基因的功能等位基因(allele)例如：花颜色基因位于一对同源染色体的同一位置上、控制相对性状的两个的基因叫等位基因(allele)一对相同的等位基因称纯合等位基因

一对不同的等位基因称杂合等位基因

显性基因隐性基因完全显性不完全显性共显性问：女性的两条X染色体基因应如何表达？拓展知识：X染色体基因中，有65%完全处于“休眠”状态，20%仅在部分女性身上“休眠”，15%则完全逃离“休眠”状态一旦其中一条X染色体被损坏，还可以由另一条X染色体来纠正男性却只有一条X染色体，一旦它遭到破坏，男性就会患上血友病、色盲以及肌肉萎缩症等各种遗传病以前人们一直认为，在女性的两条X染色体中，有一条染色体是完全不起作用或是处于“休眠”状态的在Y染色体中，目前仍在“工作”的基因只剩下不到100个X染色体中“工作”的基因>1000个有一个这样的故事：20年前一次意外事故，三个工人遭受钴60（Co60)放射性核素的照射结果：一名工人不久死亡一名工人几年后死于白血病最后一名工人20年后患糖尿病就诊你知道医生在为病人检查时发现了什么吗？锁骨骨折肋骨串珠样X光片发现广泛性骨质缺损骨髓检查——浆细胞比例为30%左右（正常为0.6-1.3%）(多发性骨髓瘤）因此，多基因病涉及遗传因素和环境因素物理因素化学因素生物因素自发因素2.多基因病(polygenicdisease)：性状或疾病的遗传方式取决于两个以上微效基因的累加作用，同时还受环境因素的影响，因此这类性状也称为复杂性状或复杂疾病（complexdisease）也叫：“复杂性状疾病”近视(myopia)高血压(hypertension)糖尿病(diabetes)精神分裂症(schizophrenia)哮喘(asthma)肿瘤或癌

(tumororcancer)多基因病的遗传要点数量性状的遗传基础是两对以上基因。这些基因之间没有显,隐性的区别,而是共显性。每个基因对表型的影响很小,称为微效基因。微效基因具有累加效应,即一个基因对表型作用很小,但若干个基因共同作用,可对表型产生明显影响。不仅遗传因素起作用,环境因素具有明显作用。例如：结肠癌（Coloncancer)相关基因：NGX6，SOX7，ITGB1，HSPA9B，MAPK8，PAG，

RANGAP1，SRC和CDC2等。相关信号通路：ras/MEK/ERK，JNK，Rb/E2F，PI3K/AKT及受体相互作用相关通路，免疫反应相关通路以及细胞黏附相关通路等。①早期原发癌生长②肿瘤血管形成③肿瘤细胞脱落并侵入基质④进入脉管系统⑤癌栓形成⑥继发组织器官定位生长⑦转移癌继续扩散例如：糖尿病(diabetes)依赖胰岛素型糖尿病在位于第6号染色体上可能包含至少一个对I型糖尿病敏感的基因在人类基因组中，大约10个位点现在被发现似乎对I型糖尿病敏感其中：1)11号染色体位点IDDM2上的基因

2)葡萄糖激酶基因高血压(hypertension)目前最受关注的是ATP2B1基因编码一种膜蛋白，具有钙泵特性能将高浓度细胞内钙泵出细胞外。精神神经性疾病精神分裂症基因表达改变/诱导增强家族史家暴基因本质：基因组变异惊吓—？—基因突变——精神病多基因病的遗传：易患性(liability)易感性(susceptibility)发病阈值(threshold)易患性(liability)——在多基因病发生中，遗传因素和环境因素共同作用决定一个个体患某种遗传病的可能性。possibility遗传因素(hereditaryfactors)环境因素(environmentalfactor)易感性(susceptibility)——特指由遗传因素决定的患病风险，仅代表个体所含有的遗传因素，易感性完全由基因决定。——在一定的环境条件下，易感性高低可代表易患性高低。riskwithdisease发病阈值(threshold)——当一个个体易患性高到一定限度就可能发病——这种由易患性所导致的多基因病发病最低限度称为发病阈值minimum例如：三核苷酸拷贝数变异CGG(精氨酸)重复：——重复5-54次，正常——重复6-230次，携带者（敏感体质）——重复230-4000次，发病

如：脆性X染色体综合征智力低下患者细胞在缺乏胸腺嘧啶或叶酸的环境中培养时往往出现X-染色体发生断裂男性发病1/1200-2500，女性发病1/1650-5000FragileXsyndrome阈值效应举例：长脸，耳外凸智力低下语言障碍对外界反应迟钝Copynumbervariation问：为什么是三核苷酸重复而不是4、5个？提示：三核苷酸处于阅读框架内，不容易破坏原有基因的开放阅读框架(ORF)4、5个核苷酸不在ORF内，变化容易对原有基因造成很大的影响，一般不容易积累保留癌蛋白抗原癌基因抑癌基因P53蛋白积聚，细胞周期变化P53等位基因丢失、点突变肿瘤形成肿瘤促进因子细胞表型变化相关基因作用P53基因阻滞细胞周期：G1和G2/M期

促进细胞调亡：bax/bcl2

维持基因组稳定：核酸内切酶活性

抑制肿瘤血管生成：Smad4P53基因可否用于治疗癌症？P53基因功能基因治疗：是指以改变人类遗传物质为基础的生物医学治疗。通过将人的正常基因或有治疗作用的DNA导入人体靶细胞，去纠正基因的缺陷或者发挥治疗作用。抑癌基因P53载体P53基因治疗第三节分析文体特征和表现手法2大考点书法大家启功自传赏析中学生，副教授。博不精，专不透。名虽扬，实不够。高不成，低不就。瘫偏‘左’，派曾‘右’。面微圆，皮欠厚。妻已亡，并无后。丧犹新，病照旧。六十六，非不寿。八宝山，渐相凑。计平生，谥曰陋。身与名，一起臭。【赏析】寓幽默于“三字经”，名利淡薄，人生洒脱，真乃大师心态。1.实用类文本都有其鲜明的文体特征，传记的文体特征体现为作品的真实性和生动性。传记的表现手法主要有以下几个方面：人物表现的手法、结构技巧、语言艺术和修辞手法。2.在实际考查中，对传记中段落作用、细节描写、人物陪衬以及环境描写设题较多，对于材料的选择与组织也常有涉及。3.考生复习时要善于借鉴小说和散文的知识和经验，同时抓住传记的主旨、构思以及语言特征来解答问题。传记的文体特点是真实性和文学性。其中，真实性是传记的第一特征，写作时不允许任意虚构。但传记不同于一般的枯燥的历史记录，它具有文学性，它通过作者的选择、剪辑、组接，倾注了爱憎的情感；它需要用艺术的手法加以表现，以达到传神的目的。考点一分析文体特征从哪些方面分析传记的文体特征？一、选材方面1.人物的时代性和代表性。传记里的人物都是某时代某领域较

突出的人物。2.选材的真实性和典型性。传记的材料比较翔实，作者从传主

的繁杂经历中选取典型的事例，来表现传主的人格特点，有

较强的说服力。3.传记的材料可以是重大事件，也可以是日常生活小事。[知能构建]二、组材方面1.从时序角度思考。通过抓时间词语，可以迅速理清文章脉络，

把握人物的生活经历及思想演变过程。2.从详略方面思考。组材是与主题密切相关的。对中心有用的，

与主题特别密切的材料，是主要内容，则需浓墨重彩地渲染，

要详细写；与主题关系不很密切的材料，是次要内容，则轻

描淡写，甚至一笔带过。三、句段作用和标题效果类别作用或效果开头段内容：开篇点题，渲染气氛，奠定基调，表明情感。结构：总领下文，统摄全篇；与下文某处文字呼应，为下文做铺垫或埋下伏笔；与结尾呼应。中间段内容：如果比较短，它的作用一般是总结上文，照应下文；如果比较长，它的作用一般是扩展思路，丰富内涵，具体展示，深化主题。结构：过渡，承上启下，为下文埋下伏笔、铺垫蓄势。结尾段内容：点明中心，深化主题，画龙点睛，升华感情、卒章显志，启发思考。结构：照应开头；呼应前文；使结构首尾圆合。标题①突出了叙述评议的对象。②设置悬念，激发读者的阅读兴趣。③表现了传主的精神或品质。④点明了主旨，表达了作者的情感。⑤运用修辞，使文章内涵丰富，意蕴深刻，增加了文章的厚度与深度。四、语言特色角度分析鉴赏传记的类别自传采用第一人称，语言或幽默调侃或自然亲切；他传采用第三人称，语言或朴实自然或文采斐然。语意和句式句子中的关键词所包含的情感、态度等，整句与散句、推测与肯定、议论与抒情、祈使与反问等特殊句式，往往有着不同一般的表现力。这些都是分析语言的切入点。修辞的角度修辞一般是用来加强语言的表现力的。抓住修辞特点，就能从语言的表达效果上加以体味。语言风格含蓄与明快、文雅与通俗、生动与朴实、富丽与素淡、简洁与繁复等。1.(2015·新课标全国卷Ⅰ)阅读下面的文字，完成后面的题目。[即学即练]朱东润自传1896年我出生在江苏泰兴一个失业店员的家庭，早年生活艰苦，所受的教育也存在着一定的波折。21岁我到梧州担任广西第二中学的外语教师，23岁调任南通师范学校教师。1929年4月间，我到武汉大学担任外语讲师，从此我就成为大学教师。那时武汉大学的文学院长是闻一多教授，他看到中文系的教师实在太复杂，总想来一些变动。用近年的说法，这叫作掺沙子。我的命运是作为沙子而到中文系开课的。大约是1939年吧，一所内迁的大学的中文系在学年开始，出现了传记研究这一个课，其下注明本年开韩柳文。传记文学也好，韩柳文学也不妨，但是怎么会在传记研究这个总题下面开韩柳文呢？在当时的大学里，出现的怪事不少，可是这一项多少和我的兴趣有关，这就决定了我对于传记文学献身的意图。《四库全书总目》有传记类，指出《晏子春秋》为传之祖，《孔子三朝记》为记之祖，这是三百年前的看法，现在用不上了。有人说《史记》《汉书》为传记之祖，这个也用不上。《史》《汉》有互见法，对于一个人的评价，常常需要通读全书多卷，才能得其大略。可是在传记文学里，一个传主只有一本书，必须在这本书里把对他的评价全部交代。是不是古人所作的传、行状、神道碑这一类的作品对于近代传记文学的写作有什么帮助呢？也不尽然。古代文人的这类作品，主要是对于死者的歌颂，对于近代传记文学是没有什么用处的。这些作品，毕竟不是传记文学。除了史家和文人的作品以外，是不是还有值得提出的呢？有的，这便是所谓别传。别传的名称，可能不是作者的自称而是后人认为有别于正史，因此称为“别传”。有些简单一些，也可称为传叙。这类作品写得都很生动，没有那些阿谀奉承之辞，而且是信笔直书，对于传主的错误和缺陷，都是全部奉陈。是不是可以从国外吸收传记文学的写作方法呢？当然可以，而且有此必要。但是不能没有一个抉择。罗马时代的勃路塔克是最好的了，但是他的时代和我们相去太远，而且他的那部大作，所着重的是相互比较而很少对于传主的刻画，因此我们只能看到一个大略而看不到入情入理的细致的分析。英国的《约翰逊博士传》是传记文学中的不朽名作，英国人把它推重到极高的地位。这部书的细致是到了一个登峰造极的地位，但是的确也难免有些琐碎。而且由于约翰逊并不处于当时的政治中心，其人也并不能代表英国的一般人物，所以这部作品不是我们必须模仿的范本。是不是我国已经翻译过来的《维多