肖特基二极管原理和常用参数和检测方法

肖特基势垒二极管SBD（SchottkyBarrierDiode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode）是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、竦、钛等材料。其半导体材料采用硅或神化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属一绝缘体一半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B-A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A-B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用神作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较N-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr—0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（神材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

肯特基二极管的弟枸 成志电子制作网肖特基二极管封装肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式，如图4-45所示。4-45有引线式有持基二极4-45有引线式有持基二极管外形IIUUH3)肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式，见图4-46。图446有引雄式肖特某对管的凡神管岬引出方式采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有9种管脚引出方式，见图4-47和图4-48。^4-47春面封皱H^4-47春面封皱H特摹二限管的外怡囹4-4S我面封警尚待基二畏管的9称骨牌引出亦式常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。«4-45几#甯网有割姓式肖稿捱二粉隹解主柔•敷n宜整能电能/A峰胞电臆ZA酷夫正向正降/VJUHdr拜.Hi/V反向依就时利/ft*内挥封装埼衿形式1枷皿15jsnQa5540<10TD-3P皿5i伽0.5540<lftTD-220MHRI54S15IS)0.7心TO-ZMM.HH253530倾D.?l<]□并制财■TO-2MNENH$r411IU白Cl0-5S401T>-220FPuwasr-4D-55新TO-22IJFPRBIWJA相CL55础MSRR0IQ>0.1CM，IX?"KE572|qir.O5n.2n.3715IX)-34

3E4-MRB嘉H我函对荣叫特■二松骨的主亶#般X股高反N<K/V■定正/A峰值/A/V最大反向电建*iA为瞿站柳以暗式l¥JV4lIII/fitIf511-tn4Q4wCh9535WCPU(DPAK)..I0SU1ft404fl3相。落52W1CPD(OPAKJ1曲1岫40401JO0.S5I4MMIF^MJRUtlOC4013ft-6MiM曲〔SOTT时FRL^DIDW9.530.570SMD(54-舛/SffT-23}DkniiH：40*150.5100(styr-89)F3"S5J0MPT3{SOT-89)GH旧DO”1»-530-5$MH(St：-59/SOT-iJ)f]KKJIIR20伉530.5wSMIJT)KFH20IJ25D.l10.451SM[JDk[ti2ll>20D.lI0.5SSMDDR[M25l>20D.I10.55»SMI)ARU45OF250.110.451UMDDRB45LF20CMI0.5530UMDDRIU73E部QJ10.5530FMD<SDT-25)ERimiD250,030u20.J7SMD(SC-59ETF)DM花呻1）2$a.030-F洲）ARimSF25ii-2H-20.”1c*3<).37iiMii-AKH7I7FRhT^lltkK71iL：0.03o.ns0.2<).3?L：MI>u0!0.2・£LWD-J70.45tdsm.JG.OJIMl)[SOT-34】kRSdOEl25N.IDSM*0.1“-55l)SMJ肖特基二极管的检测肖特基（Schottky）=极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。1.性能比较下表列出了肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。半导体器件名称典型产品型号平均盛流电流L(A)正向导通电压反向恢复时间反向峰值电压皿(V)典型值Kr(V)霰大值肖特基二极管161CMQ0501600.40.S<10so超快诙复二极管MUR80100A300.61.0351000快恢复二极管D2A0215土6400200硅高频整流管PR3006S0.61.2goo800硅高速开美二极管1N414B4100http：//hi.baidu.cgid/diydz2.检测方法下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括：①识别电极；②检查管子的单向导电性；③测正向导压降VF；④测量反向击穿电压VBR。被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面(字面朝向人)从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的RX1档进行测量，全部数据整理成下表：

电阻档黑袤笔电阻档黑袤笔所接蓍脚红表笔所接管腐1氏X1①②①②③③③电阻值(Q)表针倒数偏转的格数格)正向辱通压降・WV)2,610.&Q.31B8■■■2*8110.3388■u，■OO■ 1*rp=0.03V/#rX httpbaidu.com/diydz测试结论：第一， 根据①一②、③一④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。第二， 因①一②、