存储行业市场分析

存储行业市场分析供需平衡带动价格止跌，存储周期反转在即存储是最能反映半导体景气度的细分品种存储芯片隶属于半导体大类中集成电路的范畴。半导体可分为分离器件、光电子、传感器和集成电路四大类。其中，集成电路是半导体中占比最高的产品类型，2022年其市场规模达4799.88亿美元，约占整个半导体市场规模的82.74%，集成电路包括模拟芯片、微处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片等四种类型芯片。存储芯片（MemoryChip）是一种用于数据存储和读取的电子器件，其由一系列存储单元组成，每个存储单元可以存储一个或多个比特的数据。存储芯片包括一旦断电储存的数据就会丢失的易失性存储（RAM），以及断电后不影响保存数据的非易失性存储（ROM）。其中，RAM按照是否需要刷新分为SRAM和DRAM（需要刷新），DRAM按应用场景的不同分为DDR以及LPDDR；ROM芯片中最为常见的是Flash，其按照不同的存储结构分为基于页的NANDFlash以及基于字节的NORFlash，NANDFlash按应用场景不同又分为嵌入式存储、固态硬盘SSD以及移动存储等。DRAM、NAND是目前全球最主要的存储器，根据ICInsights的数据显示，2021年全球DRAM\NAND\NOR营收占比分别为56%\41%\2%。目前存储芯片被广泛应用于各种电子设备和系统中，例如个人电脑、智能手机、数码相机、游戏机、汽车电子、物联网设备等。存储芯片在集成电路中占比较高。根据WSTS数据，2021、2022年，存储芯片在集成电路销售额中占比33.23%、28.00%，同时预测2023年全年集成电路销售额将达到4530.41亿美元，其中存储产品销售额达1116.24亿美元，占比24.64%，在半导体市场遇冷的大环境下，仍旧占比较高。据Yole预测数据，存储21-27年CAGR达到8%，至2027年，存储市场规模有望达到2630亿美元。存储芯片市场弹性较强，将有望引来上行周期。存储芯片大宗商品属性较强，标准化程度高，故其可替代性较强、价格对下游市场需求较为敏感，因此存储芯片的周期波动往往高于半导体行业的整体周期波动，在整体行业处于下行周期时，存储市场往往会受到更高的冲击，而相应地若处于从低谷持续回暖的上行周期，存储芯片市场也将会相对受益更多；同时，根据过去的历史规律，存储芯片下跌周期往往不超3年，而目前存储市场景气度下行已持续近两年半，我们预计其有望很快迎来上行周期，根据WSTS的预测，存储2023-2024年市场规模为840.4亿美元和1203.3亿美元，分别同比-35%，+43%。多维度论证存储周期底部已至我们将从价格、库存、供给、需求四个角度来论述存储周期底部已至。①价格端，分为回溯存储芯片历史价格周期与预测存储芯片短期价格波动两部分论证其价格走向；②库存端，由于处于不同的市场周期，厂商会有不同的备货策略，通过分析存储龙头企业的库存水位及其变化，可以大致判断未来短期市场周期变动；③供给端，通过分析存储原厂的产能利用率以及CAPEX判断未来存储芯片市场的供给情况，从而分析对价格的影响；④需求端，通过分析存储芯片主要下游应用领域景气度的大致变化，判断对上游存储市场的作用效力。价格回溯DRAM价格周期。主流颗粒DDR4-4Gb-512Mx82133/2400MHz、DDR4-8Gb-1Gx82133/2400MHz、DDR3-4Gb-512Mx81333/1600MHz现货平均价自2022年初便一路下跌至近两年来价格谷底，目前下跌速度趋缓，我们预计仍将有一段时间的下跌，但下降空间不大。其中以DDR4-4Gb-512Mx82133/2400MHz为例，目前该颗粒现货价格1美金，而在去年同一时间点的价格约为2.28美金。回溯NANDFlash价格周期。NANDFlash经过了2021年开始的相对高点之后，目前也处于下跌周期，周期长度与DRAM基本重合。代表性颗粒128\256\512GbTLCwafer价格均处于近两年低谷，如512GbTLCWafer现货目前平均价仅为1.40美金。我们预计，相比DRAM，NAND有望先迎来价格上行。23Q3DRAM、NAND产品均价继续下跌但跌幅预计减少，NANDFlashWafer产品均价有望上涨。对于短期内DRAM和NAND芯片的价格变动，参考TrendForce对3Q23产品价格的预估：①DRAM方面，受益于DRAM供应商陆续启动减产，以及季节性需求支撑减轻供应商库存压力，预期23Q3DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%，其中PCDRAM、ServerDRAM、MoblieDRAM、GraphicsDRAM、ConsumerDRAM的23Q3均价均预计环比下跌0~5%；②NANDFlash方面，同样受惠于原厂减产幅度持续扩大，与季节性旺季需求支撑，预估23Q3整体NANDFlash均价下跌收敛至3~8%，其中NANDFlashWafer均价预估将率先上涨，环比增长0~5%；eMMC、UFS，其合约均价预计跌幅仍有约8~13%；EnterpriseSSD均价跌幅将收敛至5~10%；ClientSSD均价将环比下跌8~13%。库存对比海外存储大厂海力士与美光的库存，自22年初水位一直增长，反应过去存储一直处于下行周期，目前海力士库存水位增速放缓，其周转天数已达峰，23Q2有望看到好转；美光FY23Q2存货、存货周转天数水平较FY22Q4均有所下行，公司在FY23Q3法说会也公开表明其客户库存正在改善：除数据中心外，美光的其他终端市场的库存接近正常水平，数据中心的客户库存预计在今年年底或往后不久也会有所改善。美光FY23Q3指的是公司2023年2月-5月的经营季度，对应了三星、海力士一部分的FY23Q2的财务情况，因此从美光的指引来看三星、海力士FY23Q2的库存水位很有可能看到好转的迹象。同时，近日三星突然在非常规的人事季节更换DRAM部门负责人，与其上半年存储半导体表现低迷亦有关联。我们判断，海外存储大厂的库存水位与库存周转天数的变化是目前存储行业已触底的积极信号。供给供给方面，低迷的市场表现和严重的亏损影响着各大存储芯片厂商，为及时调整库存和减少供应过剩带来的负面影响如降价等，三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据等大厂纷纷于半年内宣布大幅减产、缩减资本支出。根据美光FY23Q3法说会信息，其近期将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至接近30%，预计减产将持续到2024年，这或也将对应三星、海力士等存储大厂FY23Q2的晶圆开工率情况。在大厂纷纷减产影响下，存储市场的供给将会持续减少以应对当前客户足量的库和下游萎靡的需求，最终驱动供求关系稳定地趋于平衡，存储芯片价格将会止跌。需求根据ICInsights数据，2021年NANDflash和DRAM占存储芯片市场份额近97%，因此NANDFlash和DRAM的下游需求结构能够反映存储芯片主要下游应用。根据相关数据，智能手机分别占到NANDFlash和DRAM下游应用的40%左右，服务器分别占23%和34%，笔电分别占21%和13%。以下将从智能手机、笔电、服务器三类下游应用的市场规模及趋势进行需求端的分析。自2017年开始，全球智能手机开始呈现下降趋势，经济疲软和通货膨胀等后疫情宏观因素使得消费复苏不如预期，IDC预测2023年全球智能手机出货量将下降3.2%。但同时IDC也释放出积极信号，全球智能手机市场将有望于2024年实现良好复苏，预计出货量将增长6%，未来4年市场也将呈持续增长趋势。笔电市场在经过几季度的低迷后有望立即反弹。根据TrendForce数据，全球笔电市场将于23Q2实现快速复苏并持续增长，23Q2全球笔电出货量将达40.5百万台，同比增长15.7%，到23Q4出货量将增长到44.7百万台。我们认为，笔电市场的复苏或将带动其余品类的消费电子产品景气度上行，从而多重需求驱动存储芯片市场的增长。同时，笔电代工厂广达受惠于笔电需求转好的季底拉货效应展现强大动能，6月营收破900亿元新台币大关，纬创、英业达业绩6月营收也同比走高。全球服务器出货量过去十年一直呈现增长趋势，由于宏观经济因素，IDC预计2023出货量增速将下滑，2024年有望重回稳健增长轨道。同时，行业整体呈现出AI服务器等高算力型号渗透率增长超过传统型号的趋势，预计2023-2026年AI服务器渗透率CAGR将达到26.05%，且由于AI服务器对软硬件要求高，对上游部件价值量起到的增长作用将远超传统服务器。供应链瓶颈仍在，存储国产化是关键一环目前我国的半导体产业正蓬勃发展，但仍有一些卡脖子的环节，如产业链上游的半导体设备（如光刻机）与原材料（如湿化学品）、晶圆制造以及芯片设计环节，在芯片设计中存储芯片产业链便是目前国家布局半导体行业中需要着重攻克的领域。半导体产业链存储芯片行业产业链上游参与者为原材料供应商和设备供应商；行业中游为存储芯片制造商，主要负责存储芯片的设计、制造和销售。芯片具有较高技术壁垒，当前全球存储芯片市场被韩国、日本、美国企业所占据；行业产业链下游参与者为消费电子、信息通信、高新科技技术和汽车电子等应用领域内的企业。存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。虽然中国本土长江存储、合肥长鑫等存储芯片企业已逐步完善NAND和DRAM产业布局，技术已经追赶上国际巨头并进行规模量产，但也有部分等细分领域仍处于投产初期，尚未实现产品的规模量产。与国外存储芯片制造商相比，中国存储芯片技术基础薄弱为制约行业发展的主要因素。从三大产品看国内存储产业链布局现状DRAMDRAM三巨头具备先发优势。据TrendForce数据统计，DRAM头部效应明显且集中度呈现越来越高的趋势，23Q1市场CR3达95.5%，较20Q1提升1.3pcts。产品上，目前产品最新标准迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。传统异步DRAM已被淘汰，读/写时钟与CPU同步的SDRAM作为DRAM的升级成为主流，主要包括DDR/GDDR/LPDDR等，其中DDR已迭代至第五代（DDR5）；制程上，10nm~20nm系列制程至少包括六代：1Xnm（16-19nm）/1Ynm（14-16nm）/1Znm（12-14nm）/1α/1β/1γ，10nm以下待突破。长鑫2018年成功研发出中国首个国产8GbDDR4内存，2021年开始进入17nm工艺环节，2022年完成了17nmDDR5内存试产。目前长鑫存储主要产品有DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片以及DDR4模组，但整体来看，与DRAM三巨头仍存在一定差距。NANDFlash相比于DRAM，NAND集中度更低，但目前依然呈现越来越高的趋势。据TrendForce数据显示，近两年NANDFlash市场龙头占领的市场份额进一步加大，CR5从20年Q1的89.0%增长到现在的96.6%。产品上，长江存储于2022年发布基于晶栈®（Xtacking）3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070，相比长江存储上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-plane设计，性能提升的同时功耗更低，同时是长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量，与国际巨头达到相近的技术水平，这同时也是NAND价格一路下跌的重要原因之一。NORFlashNORFlash市场由华邦电、旺宏、兆易创新3家厂商主导。据ICInsights统计，2021年NORFlash市场CR3份额达91%。从制程布局上看，华邦电相对领先，自2021年大多数产品已转进40nm制程；旺宏的所有NOR器件都于2022Q2开始向45nm工艺生产过渡；兆易创新作为国产NORFlash龙头，其55nmNORFlash全系列产品均已量产，同时正在着力推进45nm制程工艺研发。作为国产化率最高的一类存储芯片，国内有许多企业在NORFlash芯片进行产品布局。①兆易创新：作为全球NORFlash产品的龙头，其相关产品涵盖了市场绝大部分的容量类型，从512Kb至2Gb，电压涉及1.8V、2.5V、3.3V以及宽电压产品；②北京君正：公司分别通过控股北京矽成、上海芯楷进行NORFlash存储芯片的研发与生产，具有串口型和并口型两种设计结构，涉及到消费电子、汽车电子等下游领域；③普冉股份：公司相关产品包含L系列（高电压、2.3-3.6V）、H系列（低电压、1.65-2V）、U系列（宽范围：1.65-3.6V）三类，广泛应用于智能手机、TWS耳机等领域；④东芯股份：公司产品应用于通讯设备、可穿戴设备以及安防监控设备，覆盖容量从64Mb到1Gb的产品规格；⑤恒烁股份：公司NORFlash存储芯片产品具有可靠性高，功耗低以及先进的安全特性等优势，应用范围涵盖了显示驱动，PC、平板等消费电子设备，以及WLAN等通讯设备。新应用催生新需求，AI驱动存力重要性提升AI服务器存储用量倍增，新平台引DDR5加速渗透AI大模型伴随自身参数的爆发增长持续迭代升级，AI服务器深度受益于AI大模型的参数增长。2023年3月15日，OpenAI发布了ChatGPT的最新版本——GPT4模型，揭开了第四次科技革命——“智能时代”序幕，人类进入AI大模型时代。而目前大模型升级的趋势之一即是参数量的飙升。大模型的参数规模越大，意味着算力负担越重，而AI服务器则是算力的核心。TrendForce不断上修AI服务器出货量，预计2023年AI服务器（包含搭载GPU、FPGA、ASIC等）出货量近120万台，年增38.4%，占整体服务器出货量近9%，至2026年将占15%，同步上修2022~2026年AI服务器出货量年复合成长率至22%。我们认为AI创新引发的算力“军备竞赛”将推动AI服务器超预期渗透。大模型参数及训练数据量的增长对显存容量有更高的要求。更多的参数量不仅可以提高模型的表现能力，也意味着需要大容量、高速的存储支持。存储芯片巨头美光于FY24Q2法说会表示，一台人工智能服务器DRAM使用量是普通服务器的6-8倍，NAND是普通服务器的3倍。根据我们的预测，2026年服务器DRAM（不含HBM）市场规模有望达321亿美元，NAND市场规模有望达425亿美元。针对AI服务器的高性能要求，更强大的内存——DDR5需求也随之提升。与DDR4相比，DDR5具备更高速度、更大容量与更低能耗等特点。DDR5内存的最高传输速率达6.4Gbps，比DDR4内存提升了一倍。与根据Semiconductor资料显示，DDR产品总体呈现电源电压值越来越小、数据传输速率急速增长、芯片密度越来越大的趋势。内存接口芯片需求有望随DDR5份额提升而增加内存接口芯片是服务器内存模组的核心逻辑器件，作为服务器CPU存取内存数据的必由通路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求；内存接口芯片认证、技术壁垒高，行业格局高度集中，有研发周期长，更新迭代快的特点。自DDR4开始，行业主要参与者仅剩澜起、瑞萨（IDT）、Rambus三家，2020年三家全球市占率分别为44%、36%、20%。随着DDR内存技术向DDR5世代切换，内存接口芯片的用量也在增加。以国内龙头澜起科技为例，其在业界率先试产DDR5第二子代RCD芯片，发布业界首款DDR5第三子代RCD芯片工程样片及DDR5第一子代CKD芯片工程样片。目前，澜起DDR4及DDR5内存接口芯片已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，并占据全球市场的重要份额。电源管理芯片（PMIC）是在DDR5中新集成的一块内存接口芯片。PMIC能简化DDR5内存电压调节，对于英特尔的XMP3.0等内存超频功能来说至关重要，但这种设计造成了PMIC数量不足的问题。美光等内存厂商确认，由于PMIC等非内存组件的缺失，造成了DDR5普及困难的现状，DDR5内存PMIC的交期一度达到35周，随着产能恢复，PMIC的供给问题得到一定缓解。英特尔（Intel）和超威（AMD）支持DDR5新平台推出后，服务器DDR5RDIMM又出现了PMIC匹配性问题，使得DDR5的需求不能快速提升，新平台的推出仍受阻，而目前DRAM原厂和PMIC厂商均已着手处理。我们认为尽管短期原厂DDR5供应受阻，价格下降趋势放缓影响渗透提升，但由于PMIC供应厂商较多，切换及适配不会成为DDR5渗透率提升瓶颈。我们预估，服务器DDR5渗透率有望于今年底达到25%，在2026年达到85%，AI服务器的加速发展以及PMIC良率问题逐步得到解决，DDR5渗透率有望逐步攀升，内存接口芯片供应商有望深度受益本次升级浪潮。AI推动存算一体技术创新加速，HBM技术推动AI算力突破存力瓶颈存算一体有助于从根本解决“存储墙”问题。从早期开始，冯·诺依曼理论就是计算机系统架构的核心，而随着AI的持续发展，算力的增长速度要远大于存储的增长速度，这导致冯·诺依曼结构中突出的“存储墙”问题越发严重：①一是存储带宽问题。由于存储与计算单元分离，所以就需要通过总线不断从存储与处理器之前传输数据，存储的带宽对计算单元的带宽进行了限制，从而对AI算力的效率提升较低；②二是传输能效问题。从外部处理器到内存之间不断进行数据的搬运，搬运时间往往是运算时间的成百上千倍，产生的无用能耗过多，而这也导致计算卡的算力提升受到限制。为了解决“存储墙问题”，存算一体的概念再一次被提出。存算一体是指拉进计算单元与存储之间的传输距离，按距离的远近可以分为近存计算，存内处理，存内计算三类。·近存计算（PNM）：将存储芯片与计算单元芯片通过封装等方式进行集成。近存计算仅仅降低了数据传输的成本，存储芯片和计算单元芯片仍旧相互独立。近存计算的代表模式有HBM（3DHighBandwidthMemory）模式，HBM技术将多个存储Die通过TSV（硅通孔）垂直堆叠来提升存储容量，并基于硅中介板（Interposer）的高速接口与计算单元芯片(GPU/CPU/SOCDie）互联，最终具有更高的I/O数量、可达1024位的显存位宽、更低的功耗与更小的外形等优势。存内处理（PIM）：存储芯片上同时集成存储与计算的能力，此时存储芯片和计算单元芯片已合二为一，但存内处理的本质仍是存储能力与计算能力的分离，存储器内具有的独立计算单元负责进行计算操作，提供大吞吐低延迟片上处理能力。相比近存计算，存储单元与计算单元的距离更近，进一步缓解“存储墙”的问题。存内处理的代表模式为在内存（DRAM）芯片中实现部分数据处理，较为典型的产品形态为HBM-PIM和PIM-DIMM。存内计算（CIM）：存储芯片内不再区分存储单元和计算单元，利用不同的存储介质（SRAM、Flash、RRAM、MRAM等）的物理特性，对存储芯片的电路重新设计使其同时具备计算和存储能力，通过在内部存储中添加计算逻辑，真正让存储单元和计算单元二者合为一体。存内计算与近存计算、存内处理相比，数据传输路径最短，传输能耗最低，从而计算能效能得到数量级的提升。存内计算的代表模式为卷积神经网络（CNN）与循环神经网络（RNN）。目前存内计算还存在着新型存储器件成熟度较低、电路设计难度较大、计算精度将受到模拟计算低信噪比的影响、整体产业链的生态不完备等问题，因此虽然存内计算可以从根源上解决“存储墙”的缺陷，但目前主流解决方案仍是以HBM为代表的近存计算技术，存内计算则是未来坚定的发展方向。AI快速发展推动存算一体技术的研发创新。AI引发的高算力需求驱动存算一体技术的持续创新，存算一体在智能家居、智慧交通、数据中心、可穿戴设备以及各类智慧终端的应用增长空间较大。在此驱动下，许多国产企业投入存算一体的研发中来：后摩智能推出鸿途H30，其AI物理算力最高可以达到256TOPS，同时功耗仅约为35W，跟国际龙头254TOPS的虚拟算力相比，鸿途H30的性能翻倍，同时功耗仅约为其一半，效率大幅提升；苹芯科技推出PIMCHIP-S200，其采用全数字化设计，不仅保障精度，也保证了能效性的领先。当前HBM主要由SK海力士及三星所垄断。据TrendForce数据，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星约40%、美光约10%，集中度相对较高。高阶深度学习AIGPU的规格刺激HBM产品更迭。2023下半年伴随NVIDIAH100与AMDMI300的搭载，三大原厂也已规划相对应规格HBM3的量产。因此，在今年将有更多客户导入HBM3的预期下，SK海力士整体HBM市占率有望藉此HBM3的量产提升至53%，而根据TrendForce预计三星、美光则陆续在今年底至明年初量产HBM，市占率分别为38%及9%。HBM技术正加速演进。自2014年SK海力士与AMD率先开发出全球首款硅通HBM孔产品以来，HBM技术加速演进，2022年SK海力士再创领先之举，开发并量产全球首款HBM3，为未来AI创新成果的广泛实施奠定了基础。从HBM发展趋势我们可以看出，芯片密度更大，堆叠层数更多，对应容量、带宽、连接速率均呈翻倍发展态势。当前最新发布的NVDIAH100，GH200以及2023年下半年即将量产的MI300都采用了HBM3内存技术。英伟达DGXGH200的发布则更代表了当前对存力需求的迫切。DGXGH200共链接256个GraceHopper超级芯片，能够提供1exaflop的性能、具有144TB的共享内存，GH200单卡配备了480GBLPDDR5内存及96GB的HBM显存，而上一代DGXH100服务器中，平均单颗H100芯片对应256GB内存，以及80GB的HBM。二者对比，GH200方案的存储器价值量有显著提升。除HBM外，CXL（ComputeExpressLink，计算快速链接）技术亦备受市场关注。CXL是一种全新的互联技术标准，其带来的DRAM池化技术可以大大节约数据中心的建设成本，同时也将大大带动DRAM的用量。节约下来的成本将会主要用于对DRAM的采购，TB级别的DRAM将会在更多通用性服务器中广泛使用。我们认为随着整体出货量持续增长，以及未来AI模型逐渐复杂化趋势下，算力推动存力逻辑进一步兑现，服务器DRAM、固态硬盘用量激增，存储器相关厂商均有望受益。数字中国建设加速，存储增量空间打开自党的十九大提出“数字中国”以来，全国有条不紊的走在建设数字经济、数字民生、数字政务、数字安全的道路上。目前我国正通过四个方向加速推动算力发展，第一，全球AI等技术的飞速发展助力了我国算力建设的快速扩张，据工信部统计，2018-2022年我国算力产业规模平均增速超过30%，算力规模排名全球第二。二是北京、上海、深圳等城市正积极推动新的政府级算力项目。三是实现算力调度和交易，构建公共算力平台。四是政策支持国产AI芯片的应用和发展。以上方向构成的中国未来算力发展主要赛道，将对相关产业链带来利好，包括AI芯片，服务器整机制造，算力中心建设及运营等。“东数西算”，数字经济时代的又一大国家级重点工程，类似曾经的南水北调，西气东输，目的是解决东西部供需不平衡的问题。其中的“数”即为数据。数据按使用频率分类可分为热数据、冷数据以及温数据，而东数西算的工程目的，则能将大部分使用频率低的冷数据和时延要求低的温数据输送至西部运算，从而减轻东部压力并提高运算效率。数字化时代，数据和算力成为新的生产要素，算力代表着对数字化信息处理能力的强弱，是支持数字经济发展和驱动国民经济增长的关键因素。它不仅改变了人们的生产方式、生活模式和科研范式，甚至成为科技进步和经济社会发展的关键“底座”。小到智能电脑、智能手机、平板等电子产品，大到天气预报、医疗保障、清洁能源等民用领域拓展应用，都离不开算力的赋能支撑。5G、云计算、大数据、人工智能、物联网等数字化技术，在各个行业得到加速应用。算力作为数字经济的新引擎，正持续促进线上线下加速融合。根据IDC数据，全球数据量由2019年的42ZB增长至2022年的81.3ZB，CAGR达24.6%，预计2025年全球数据产量将增至175ZB。而作为拥有全球第二大数据产量的国家，2022年我国数据产量约7.9ZB，预计2023年将增至9.3ZB。政策推动打造算力产业新格局根据“东数西算”政策规划，将在京津冀等八地建设国家算力枢纽节点并规划了10个国家数据中心集群，根据国家互联网信息办公室发布《数字中国发展报告（2022年）》与国家发改委相关指引，截至2022年底我国数据中心机架总规模已超过650万标准机架，大数据中心投资还将以每年超过20%的速度增长，累计带动各方面投资将超过3万亿元。目前，“东数西算”工程的8个国家算力枢纽节点建设已全部开工，工程从系统布局进入全面建设阶段。韶关数据中心建设带动相关市场空间达800亿元韶关是全国一体化算力网络粤港澳大湾区唯一枢纽节点，其数据中心建设将成为全国一体化大数据中心协同创新样板标杆，根据韶关发布官方公众号信息，韶关数据中心目标至2025年中心将建成50万架标准机架、500万台服务器规模，投资超500亿元。建设情况中国移动将在韶关建设国家级数据中心，并升级韶关网络为国家级骨干枢纽节点，打造融合算力网络。中国移动韶关国家级数据中心项目占地110亩，建设规模3.2万标准机架，将承载移动云、行业云、网络设备、IDC等广泛需求，PUE小于1.25。根据韶关发布官方公众号信息，第一期建设1.8万标准机架，预计2023年8月开工，2024年底竣工。中国联通也将在韶关市建立了粤港澳大湾区枢纽韶关数据中心集群项目，总投资190亿元，预计2025年前建成2.88万2.5KW标准机架。此外，中国电信目前已打造粤港澳大湾区首张400G全光运力网络，并且计划投资32亿元的中国电信粤港澳大湾区一体化数据中心项目已于2022年启动，预计今年9月份完成主体结构封顶，2024年二季度投产。“东数西算”拉动存储需求在已经开工的8个国家算力枢纽中，今年新开工的数据中心项目近70个，其中，新建数据中心规模超130万标准机架，西部新增数据中心的建设规模超过60万机架。工程自启动至今，全国新增投资超过4000亿元。韶关官方预计到2025年，中国IDC新增机柜需求达到每年75万台。若单以韶关数据中心测算其对存储芯片需求的拉动，2025年韶关数据中心预计建设500万台服务器，每台服务器搭载8块8TBSSD（均价3000元/块），那么到2025年韶关数据中心将为8TBSSD市场贡献近1.2千亿的需求。兆易创新公司业务高速扩张兆易创新科技集团股份有限公司成立于2005年4月，专注于Fabless业务，总部设于中国北京，在中国上海、深圳、合肥、西安、成都、苏州和香港，美国、韩国、日本、英国、德国、新加坡等多个国家和地区均设有分支机构和办事处，营销网络遍布全球，为客户提供优质便捷的本地化支持服务。公司2012年完成股份制改革并于2016年在上交所成功上市；2021年，公司首款自有品牌DRAM4GbDDR4产品正式发布；2023年，公司全系列车规级存储产品累计出货一亿颗。根据公司2022年报，公司是全球排名第一的无晶圆厂Flash供应商，据Web-FeetResearch报告显示，在NORFlash领域，公司2022年市场占有率全球第三、中国第一，累计出货量近212亿颗。公司营收呈高速上升趋势，2019-2021年增速均超过40%，其中2021年增速达到89.25%，营收增速反映出公司正处于高速发展阶段；分产品来看，存储芯片除去2022年外营收保持稳定增长；微控制器是公司近年营收增长较高的主要贡献力量之一，2018年，公司微控制器营收仅为4.04亿元，而2021年，公司微控制器营收已达到24.56亿元；传感器产品则从2019才开始产生营收，处于起步阶段。财务费用控制优秀，研发投入充分。公司研发投入充分，2022年研发费用率达11.51%。整体费用率方面基本维持稳定，财务费用率控制优秀。2018-2021年，公司归母净利润保持高速增长，2022年同比下滑12.16%。打造“感存算控连”一体化芯生态积极应对市场变化，开拓新领域和新应用。公司继续保持在消费市场，尤其是中高端消费市场的优势，并在持续布局的工业、汽车等行业取得了较好的营收增长。在NORFlash产品上，2022年消费、手机、PC领域整体需求降低，在工业、汽车领域则稳步提升，工业领域销量同比2021年持平，车规产品销售金额同比2021年实现约80%的增长，车规产品累计出货量已达1亿颗。在自有品牌DRAM产品上，工业类应用取得较好成长；消费类市场方面，已在主流消费类平台获得认证，并在TV等诸多客户端量产使用。公司代销DRAM产品在消费类、手机市场继续开拓。2022年，在MCU产品的结构上，公司在工业领域、网通领域营收实现较大幅度的增长，工业应用成为公司MCU产品第一大营收来源；在部分消费市场（家用电器等）、汽车前装应用领域亦实现良好成长；此外，MCU海外业务拓展顺利，海外市场营收占比大幅提升。持续完善产品线，升级产品结构。公司存储器产品分为三个部分，NORFlash、SLCNandFlash和DRAM，NOR方面，公司推出GD25UF系列1.2V低电压超低功耗SPINORFlash产品，可以满足主控新工艺演进趋势的低电压、低功耗要求。公司NORFlash产品目前主要工艺节点在55nm工艺制程；Flash方面，车规级产品已被国内外多家知名汽车企业批量采用；DRAM方面，可广泛应用在智慧家庭、工业、车载影音系统等领域，推出DDR3L产品，在满足消费类市场需求的同时，兼顾工业及汽车市场应用。公司MCU产品已成功量产38大产品系列、超过450款MCU产品供市场选择，2022年公司全面量产GD32W515系列Wi-Fi产品；在汽车应用领域，发布GD32A503系列车规级MCU产品，为车身控制、车用照明、智能座舱、辅助驾驶及电机电源等多种电气化车用场景提供开发之选，并已与业界多家领先的Tier1供应商和整车厂建立了长期战略合作关系。公司传感器业务目前在LCD触控、电容指纹、光学指纹市场有广泛的应用。公司触控芯片年出货近亿颗。公司指纹产品多年来已在多款旗舰、高、中阶智能手机商用前置/后置/侧边电容和光学方案，成为市场主流方案商。东芯股份公司深耕中小容量存储市场，持续投入研发提升竞争力东芯股份聚焦于多品类的中小容量存储芯片研发、生产与销售。东芯股份成立于2014年，于2021年在科创板上市，是一家专精于中小容量存储芯片研发生产的高新技术企业，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，公司也是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的企业。东芯股份的NAND/NOR/DRAM产品广泛覆盖网络通信、安防监控、消费电子、工控与医疗、物联网等下游领域。NANDFlash：公司NANDFlash产品属于小容量的SLCNANDFlash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上，并可灵活选择SPI或PPI类型接口，广泛应用于网络通讯、监控安防、工业控制、机顶盒、打印机、穿戴式设备。NORFlash：公司自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至1Gb，读取速度快并支持多种数据传输模式，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。DRAM：公司研发的产品分为DDR（L）系列与LPDDR系列，DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时的特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；LPDDR系列产品具有低功耗、高传输速度的特点，在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。MCP：公司的MCP产品集成了自主研发的低功耗1.8vSLCNANDFlash与低功耗DRAM，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。蒋学明与蒋雨舟为公司实际控制人，发布股权激励计划健全公司长效激励约束机制。蒋学明间接控股东方恒信来实际控制东芯股份，因此蒋学明与其女蒋雨舟为公司的实际控制人，共持有公司37.47%的表决权。华为百分百持股的哈勃科技创投公司持股3%。公司设立东芯科创为员工持股平台，蒋雨舟为实际控制人。同时，为了吸引和留住优秀人才，充分调动公司核心团队的积极性，公司于2022年1月28号发布限制性股票激励计划草案，拟向公司的董监高、核心技术人员等激励对象授予权益合计212.55万股，2022-2024年为三年的归属期，该股权激励计划显示了公司对于业绩持续增长的信心。公司2022年营收同比略有上升，NANDFlash产品营收维持高增长，NORFlash产品营收同比下滑严重。在2022年宏观经济景气度下行，地缘政治局势紧张以及半导体行业周期性波动的冲击下，公司持续开发新产品，开拓新市场与新应用，最终实现11.46亿元的营业收入，破历史新高，同比增长1.03%；从产品营收变化来看，NANDFlash2022年营收为7.08亿元，对比2020年3.98亿元的营收，复合增长率约为33.29%，NANDFlash也为公司主要贡献收入的产品，占比为61.75%，其次为占比19.66%的MCP。同时，2022年仅有NORFlash产品营收出现了下滑，其收入同比减少61.47%，主要系受消费电子需求下滑，穿戴式应用需求走弱所致。公司毛利率与净利率均有所下降。2022年公司的毛利率为40.58%，同比下滑1.54pcts，净利率为18.97%，同比下滑6.08pcts。其中，毛利率的下滑主要系NANDFlash的毛利率同比下降4.14pcts，同时NORFlash、DRAM的毛利率均有一定下降。公司持续增加研发支出，2022年归母净利润同比下滑29.17%。对于公司的期间费用率，2022年仅有研发费用率保持上涨，同比上升3.03pcts，主要系随着研发项目的新增和现有项目的展开，研发人员、研发设备等的增加所致，同时，由于利息收入增长、美元升值导致汇兑损益提升，公司的财务费用率下降明显；2022年公司的归母净利润为1.85亿元，同比下降29.17%，原因有两点：一为研发费用率的提升，二为受下游应用市场需求疲软的影响，公司部分产品市场价格持续下滑，公司谨慎性地对存在减值迹象的存货计提跌价准备。公司打造通讯&网络、服务器、汽车的产品布局，深度布局产能扩张规划公司坚持技术创新，保持公司产品的技术先进性。①公司的SPINANDFlash产品，采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，在耐久性、数据保持特性等方面也表现突出，在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，在可靠性也逐步从工业级标准向车规级标准迈进；②公司的MCP产品，其在提供高可靠性、大容量存储的同时，可以保证客户的长期供应，已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证；③公司的NORFlash、DRAM产品性能同样优异，广泛应用于消费电子、可穿戴设备、通讯设备等下游市场。公司持续开拓优质客户，提升公司在全球的市场地位和影响力。凭借公司丰富的产品矩阵以及优异的产品性能，公司持续拓展下游终端客户，使用公司产品的终端客户包括中兴通讯、海康威视、三星电子、LG、传音控股、歌尔股份、伟创力、紫光展锐、高通、联发科等中外知名企业。公司推进产品的制程升级迭代与产品的容量扩张，车规级产品研发取得快速进展。①公司SLCNANDFlash产品的制程升级。目前量产产品以中芯国际38nm、24nm，力积电28nm制程为主，基于先进制程的1xnmNANDFlash已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证；②公司NORFlash产品的制程升级。在中芯国际的NORFlash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片；③在容量扩张方面。NORFlash产品在力积电48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash产品已实现样品供货；④在车规级产品研发方面。公司基于中芯国际38nm工艺平台的SLCNANDFlash以及基于力积电48nm工艺平台的NORFlash均有产品通过AEC-Q100测试，适用于要求更为严苛的车规级应用环境。北京君正规模不断扩大，形成“计算+存储+模拟”三大产品矩阵嵌入式CPU起家，实施物联网、可穿戴业务战略。公司成立于2005年，之后5年时间一直致力于广泛拓展业务领域，曾先后进入生物识别、教育电子、PMP市场。2010年公司上市，由于消费电子产品品类迭代，公司原有业务受创并宣布退出平板和手机市场，同年正式进入物联网领域。2015到2019年间，公司大力发展物联网业务，包括可穿戴设备业务以及智能家居业务，成功与多个大厂合作了搭载君正芯片的可穿戴设备、智能家居、智能家电设备。2020年收购存储制造商ISSI及其子公司Lumissil，大规模拓宽产线。ISSI总部位于美国加州，是一家全球领先的存储制造公司，具备丰富的存储产品矩阵，主要产品有高速低功耗SRAM、中低密度DRAM以及Flash等，充分完善了君正的存储产线。ISSI业务涉及的市场种类十分宽泛，包括汽车、通信、数字消费者、工业、医疗等。ISSI子公司Lumissil的主要产品涵盖模拟和互联芯片，旨在成为汽车、物联网和工业市场的最佳模拟解决方案提供商。因此，ISSI和Lumissil的成功并购，大规模丰富了君正的产品，从原来的微处理器和智能视频芯片两部分，拓宽了存储、模拟与互联芯片部分，目前共四条产线，形成了“计算+存储+模拟”三大产品矩阵。自此，君正产品应用领域布局方面，从原有的物联网智能硬件、泛智能视频设备基础上延伸至汽车、工业、通讯等不同产品级别的市场。股权结构相对分散，两位公司创始人为实际控制人。公司创办人刘强和李杰为同乡兼清华校友，在中国科学院攻读硕士学位时期又为同门，关系十分密切。两人作为创办人，始终为公司主要股东并担任核心职位，对公司的业务发展和经营规划具有决定性的影响。上市之初两位创始人共占50%以上股份，随着公司规模扩大，国家和地方间接参与控股，目前两人总共约占13.02%公司股权。刘强是公司持股比例最高的自然人，达8.40%。并表后规模迅速扩大，存储芯片贡献主要收入。君正于2020年6月与ISSI并表，此前君正每年的营收规模约为1-3.5亿元，主要的营收构成为微处理器芯片业务和智能芯片业务。完成并表后，2020年营收同比增长540%至21.70亿元，存储芯片贡献15.25亿元增长，同时原有智能视频芯片业务2020年同比增长62.57%至2.91亿元。2021年公司营收同比2020年再增143%至52.74亿元。截至2022年报，公司营收已达54.12亿元量级，2014-2022年复合增长率高达5681%。可以看到，君正并购ISSI成功扩大了企业规模，借助ISSI在具有较高技术壁垒的汽车存储芯片市场的经验和规模，大力加码车规、工规级存储芯片赛道。产品均具备较高毛利空间，公司盈利能力稳健。公司毛利率水位一直处于较高水平，2020年前达40%，并表后虽降至27%，但显示出连年增长趋势，2022年毛利率水平已恢复至39%。分产品看，智能视频芯片和模拟互联芯片均具备较高毛利空间，多年来毛利率分别稳定保持在20%/50%左右。传统业务盈利水平较为理想，为公司长期发展与扩张奠定了良好基础。并表后的核心营收贡献因子存储芯片板块毛利表现良好，从2020年的21%增至2022年的37%。模拟芯片部分，收购以来毛利率保持在50%以上。总体来看，公司的各产品毛利率较高，整体盈利能力稳健，净利率和毛利率波动主要由收购造成。7个硬核技术，带来芯片产品多方面竞争优势秉承研发基因，坚持自主创新路线。公司在核心领域坚持自主创新路线，形成了7项自主关键技术：1）嵌入式CPU技术：保持高性能、低功耗等关键指标，设计XBurst系列CPU内核，创新微体系结构，积极拥抱RISC-V架构研发趋势，力图用更好的计算架构打破欧美CPU技术垄断。2）视频编解码技术：支持世界上大多数主流格式编码，软硬件结合提高性能，精细设计开关降低动态功耗，有利支持智能视频业务发展。3）影像信号处理技术：与世界高水平看齐，多个图像信号前沿技术，满足各类场景应用和高图像质量需求。4）神经网络处理器技术：AI算力需求增长，公司结合神经网络处理器和CPU技术有机结合，形成独特的AI算力架构，兼顾计算效能、灵活性、延展性，从容应对各种应用需求。5）AI算法技术：在各种识别、检测、跟踪技术方面已有大量成熟的算法，同时不断优化模型迭代速度。6）存储器技术：SRAM、DRAM、Flash技术有ISSI公司存储行业30年深耕能力保证，为工、车规等高壁垒技术托底。7）模拟和互联技术：FxLED、大功率LED、车用MCU、LIN/CAN总线和GreenPhy、G.vn等网络传输技术，满足汽车电子、工业制造、通讯、消费等多领域不同级别的需求。普冉股份战略布局多元产品线，营收增长伴市场复苏积极拓展多元产品线，推动存储产品更新迭代。公司成立于2016年，专注于集成电路设计领域的科技创新，围绕非易失存储器领域，是低功耗SPINORFlash存储器芯片和高可靠性ICEEPROM存储器芯片的供应商，致力于研发28nm~55nm低功耗、高可靠性的NORFlash存储器产品，可应用于传统消费类和工业市场，以及新兴的应用市场。在立足于存储芯片领域的基础上，公司实施了基于先进工艺和存储器优势的“存储+”战略，积极拓展通用微控制器和存储结合模拟的全新产品线。深耕非易失性存储器，积极拓展微控制器及模拟芯片。公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，目前主要产品包括NORFlash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型芯片，可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。权架构清晰，控股股东为公司核心技术人员。公司控股股东及实际控制人为王楠，持股比例18.73%，以及李兆桂，持股比例4.86%，两位同时为一致行动人，王楠为公司核心技术人员，还为上海志颀企业管理咨询合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人，持有上海志颀企业管理咨询合伙企业18.72%合伙份额，整体上，公司股权架构及管理结构稳定。定价策略及成本致公司毛利率下降。由于国际经济形势及半导体市场供需情况，为了巩固市场份额，公司对原有的存储芯片产品线采取了适当降价去库存的定价策略。同时，由于代工价格变动相对存在一定的滞后，公司在2022年销售的主要产品的原材料采购价格仍相对较高，芯片产品的价格与毛利均承受了较大的压力。研发费用率持续增长，22年增加备货、支付股权激励费用等致归母净利润下滑。公司持续重视产品研发和下游应用结构的优化，保持高强度的研发投入。2022年研发费用较上年增加0.57亿元，增幅比例达62.42%。此外，股权激励的实施使得股份支付成本较上年增长696.64万元。归母净利润方面除受以上环境因素影响还有以下原因，公司下游客户因受行业周期影响，账期有所延长，回款速度放缓；为保证公司业务正常开展，公司主动增加备货，向上游支付较多货款，因此归母净利润同比减少2.08亿元，降幅71.44%。全面升级产品线，战略布局“存储+”产品线制程升级，积极布局大容量产品研发。公司在存储器芯片领域持续拓展，进行40mn以下新一代工艺和浮栅下一代技术创新技术储备，并在存储领域延展ETOX工艺技术开发中大容NORFlash产品，同时布局“存储+”战略，包括基于ARM内核的32位MCU芯片多颗产品实现研发并部分产品量产出货，以及应用于摄像头模组的高性能VCMDriver芯片系列模拟产品。NORFlash方面，公司基于SONOS工艺结构、40nm制程节点下的NORFlash全系列产品研发完成并将量产交付，将升级替代公司原有55nm制程节点下的NORFlash产品。该产品具备更低功耗水平与更高芯片集成度，处于行业领先水平。公司NORFlash产品有着功耗低、读写速度快等优势，因此在国内利基市场中占有一定市场份额，仅次于兆易创新。同时公司将加速布局256Mbit及以上大容量产品，补齐NORFlash产品线，推进5G、工业控制、车载电子等更多应用领域，进一步提升公司在NORFlash领域的行业地位。EEPROM产品方面，公司联合晶圆厂优化130nm及95nm及以下工艺制程下的制造工艺，针对存储单元的结构、擦写电压进行了改造和优化，有效的缩小了芯片面积，在保障可靠性的前提下有效的降低了芯片的单位成本。公司积极响应市场需求、发挥技术优势，实现了地址编程、区域保护等特色功能，满足了客户对摄像头模组中的参数的保护诉求，极大地提升了公司产品的市场竞争力并保障了公司的盈利能力。同时车载EEPROM产品完成了AECQ100标准的全面考核，以车身摄像头和车载中控应用形式实现了对海外客户的批量交付，未来将继续向海内外客户拓展。应用于高速宽带通信和数据中心的2Mbit大容量SPI及I2CEEPROM产品顺利量产出货。1.2VEEPROM产品率先进入市场，成功实现了小批量交付，将面向新一代手机主控平台。“存储+”战略，开拓微控制器、模拟芯片领域市场。在微控制器（MCU）领域，公司得益于领先工艺和超低功耗与高性价比，布局了具有特色工艺的通用型MCU产品线。公司在芯片中嵌入Flash和SRAM存储器，结合基本逻辑工艺的低功耗特征和低功耗技术，使得公司的MCU芯片产品具备与公司SONOSNORFlash一脉相承的低功耗、高可靠性、高性价比和优越的抗电磁干扰性能等特点。2022年公司研发的基于ARM内核的32位M0+MCU产品顺利量产出货并全面进入市场。该系列产品种类繁多，应用领域广阔。同样基于ARM内核的M4MCU产品开发进展顺利。澜起科技主营两大产品线，持续研发创新澜起科技股份有限公司成立于2004年。澜起科技于2005年推出DDR2服务内存缓冲芯片产品；2010年，公司推出基于DDR3的服务内存缓冲芯片；2013年，公司推出DDR4服务器内存缓冲芯片并第一个获得Intel的认证；2016年，公司与清华大学、Intel公司联手研发新型通用CPU——津逮CPU；2019年，公司津逮CPU多系列具备大批量供货能力；2020年，公司发布第二代津逮CPU，PCleRetimer芯片实现量产；2021年，公司发布第三代津逮CPU，DDR5第一代子内存接口及模组配套芯片实现量产；2022年，公司试产DDR5第二子代RCD芯片，与三星、海力士合作推出CXL存储器。公司目前拥有互连类芯片和津逮®服务器平台两大产品线，津逮®服务器平台产品包括津逮®CPU以及混合安全内存模组（HSDIMM®）；互连类芯片产品包括内存接口芯片、内存模组配套芯片、PCIeRetimer芯片以及CXL内存扩展控制器(MXC)。公司无实际控制人，股权结构分散。截至2023年7月4日，公司第一大股东为中国电子投资有限公司，持有公司9.88%的股份，第二大股东为INTELCAPITALCORPORATION，公司与英特尔合作密切，2016年开始与英特尔合作开发津逮CPU产品。公司董事长兼首席执行官、首席科学家杨崇和博士1990年至1994年在美国国家半导体等公司从事芯片设计研发工作；1994年至1996年任上海贝岭新产品研发部负责人。1997年，杨博士与同仁共同创建了新涛科技，该公司于2001年与IDT公司成功合并。杨博士于2010年当选美国电气和电子工程师协会院士（IEEEFellow），并于2022年晋升为IEEE终身院士。此外，杨博士还荣获多个奖项，其中包括“IEEECAS产业先驱奖”、JEDEC“杰出管理领袖奖”和上海市政府授予的“白玉兰荣誉奖”等。公司盈利能力有所下降，但仍保持高位。由于津逮服务器相对内存接口业务利润率较低，随着津逮服务器销量的增加，公司总体毛利率、净利率存在下滑，但是总体利润率仍然较高，2022年公司销售毛利率为46.44%，净利率为35.38%。分业务来看，2022年公司内存接口业务毛利率为58.72%，津逮服务器业务毛利率为10.54%。新品取得突破，持续拓展市场持续受益于DDR5迭代升级，互连类产品线多产品布局取得突破。公司核心产品内存接口芯片及内存模组配套芯片持续受益于行业迭代升级。2022年底至2023年初，随着支持DDR5的主流CPU陆续量产上市，内存模组市场由DDR4向DDR5迭代升级，DDR5的渗透率逐步提升，由此带动相关芯片的需求。公司作为相关细分领域的行业领跑者，把握行业迭代升级带来机遇，享受市场空间拓展带来的红利。同时，公司作为全球微电子产业的领导标准机构JEDEC组织下属三个委员会及分会主席，在相关细分领域的产品标准制定方面具有重要话语权，公司深度参与DDR5世代多款芯片标准的制定，提前布局相关产品，巩固了公司在该领域的技术领先地位。2022年度，公司牵头制定DDR5第二子代、第三子代内存接口芯片及第一子代高带宽内存接口芯片MDB等产品的国际标准，并积极参与DDR5第一子代CKD和DDR5内存模组配套芯片标准制定。津逮®服务器平台产品线持续拓展市场，营业收入稳健增长。津逮®CPU是公司在数据处理类芯片进行战略布局的重要产品之一。目前，搭载津逮®CPU的