DB52T 844-2013 半导体电流调整管

40DB52

52/T

844Current

regulator

diode 贵州省质量技术监督局

DB52/T

2013目次前言

................................................................................

II

范围

..............................................................................

规范性引用文件

....................................................................

术语文字符号

......................................................................

要求

..............................................................................

试验方法

..........................................................................

接收和可靠性

.....................................................................

12

标志、包装、运输和贮存

...........................................................

14DB52/T

2013前 言本标准按照GB/T

本标准与GB/T

12560-1999《半导体器件

分立器件分规范》、GB/T

4589.1-2006《半导体器件

10部分：分立器件和集成电路总规范》共同构成了电流调整管的试验、检验标准。DB52/T

2013半导体电流调整管

范围

规范性引用文件

GB/T

2424.19

GB/T

2423.28

GB/T

2423.30

GB/T

4589.1

GB/T

4937.1

第1部分:总则

GB/T

12560 半导体器件

GB/T

17573 半导体器件

JESD

51-14

术语和定义及符号3.1

术语和定义 current-regulator

DB52/T

2013

当半导体电流调整管工作时，

cathode

S regulator

currentSR

leak

current(VL

S

k

voltageE

maximum

I

current

DB52/T

2013

K

E

voltage测试恒定电流值

SS

K

R

breakdown

通过结的反向电流等于规定值

R

电流调整精度(Kc)current

表征恒定电流值受电压变化影响的参数。定义为恒定电流变化量与工作电压区之比，单位为微安/A/V)。公式为：

......................................

temperature

of

currentr

S

S脉冲下降时间(tf

SS3.1.10

Z

S

Zm

S

E

3.1.11DB52/T

2013H dynamic

S

符号半导体电流调整管的电路符号见图

1，直流特性曲线见图

3。电流调整管（阳极端（

-阴极端（图1

半导体电流调整管电路符号

eq

\o\ac(△,I)

图2

半导体电流调整管直流特性曲线

DB52/T

20131 2

0.9I0.1Itr tf

图3

半导体电流调整管瞬态特性曲线

要求

型号

4.2

封装和外形尺寸4.3

引脚定义4.4

极限值a) 最高贮存温度(Tstg)；b)

c)

(P)；d) 最大反向电压(VR

R)。4.5

电特性

a)

S

b)

E

SE

c) 电流调整精度(Kc)；DB52/T

2013d)

L

e)

Ef)

脉冲上升时间(tr)；g)

脉冲下降时间(tf)；h)

H

is4.6

热特性4.7

机械特性4.7.1

引出端强度4.7.2

可焊性

4.7.3

耐焊接热

4.8

气候环境适应性4.8.1

快速温度变化4.8.2

贮存（在高温下）

试验方法5.1

测量用仪器a)

b)

c)

5.2

测量环境条件a) 常规测试大气条件：温度

45%～75%，气压

86kPa～106kPa

b) 基准测试大气条件：温度

48%～52%，气压

86kPa～106kPa

5.3

外观检查DB52/T

2013环境照度为250lx,

距离300mm，正常或放大3～10倍，目视检查。出现以下任一情况，则判为不合a)b)

c)d)e)5.4

尺寸检验5.5

电测试5.5.1

恒定电流（s）a) 测量原理见图

电流调整管（CRD）

－ b)

S

S

IS

a) 测量原理见图

b) 1)

1中放置

0.5h

S

s1

2)

2中放置

0.5h

S

s23)

C)

C)

.................................

I

I

T)I

DB52/T

2013c)1=25℃

2

S

5.5.3

恒定电流变化量eq

\o\ac(△,

)( Sa)测量原理见图

4。b) 1)在规定的环境条件下，打开并调节直流电源

K

S1

2)

E

S2

3) 计算恒定电流变化量:S

S1

......................................

5.5.4

电流调整精度

(Kca)

s1=VK

s2=VE

5.5.4

s1s2

b) c

s1

EK..................................

c)电流调整精度的单位为微安/伏(A/V)

5.5.5

动态电阻

（ZHa) 测量原理见图

CRDVPP=3.0Vf=1KHz －图5

动态电阻测量原理图b)

S

1kHz

3.0

H5.5.6

瞬态参数测试（tr，

tf)a) 测量原理见图

DB52/T

2013CRD交流、脉冲信号源

图6瞬态参数

r

fb)测试脉冲信号为方波，占空比为

50%；脉冲宽度

Vs；c)

r

f

5.6

热阻（结-壳）测量

θJC）a)

1)

2)

受测器件接通恒定加热电流

H

，对器件加热，使其达到热稳态，此时结温保持恒定，记

VH

H

MM

M

得出

H

MPH

HMTJ(t)3)

TJ(t)θJC

J

J

...................................

θJC

θJC

b)

1）

2）

3）

H4）

M5.7

机械性能试验和气候环境适应性试验5.7.1

引出端强度（片式封装不适用）DB52/T

2013a) b)

5.7.2

可焊性

GB/T

2423.28

Ta

当选择方法3时，各引出端均在离器件管体5mm士1mm的点上进行试验。引线应在2.5s时间内沾上焊陷，如针孔或未润湿面积的痕迹不大于5%

5.7.3

耐焊接热

2423.28

5.7.4

快速温度变化

2423.22

AB1120min5.7.5

贮存（在高温下）器件贮存（高温下）试验应在详细规范中规定。试验前和试验后器件均应按5.5.1进行恒定电流测5.7.6

标志耐久性

GB/T

a) 溶剂：

配方

B：R113(70%士

C：蒸馏水或去离子b) 溶剂温度:

c) 试验方法：方法

d) 5.8

电耐久性试验5.8.1

一般要求SMSMSMDB52/T

2013见IEC

5.8.2

特殊要求5.8.2.1

电耐久性试验

CRD

图7

a) 在规定的环境条件下，打开并调节直流电源

Sb)5.8.2.2

判定失效的特性和失效判据表1

判定失效的特性和失效判据表

接收和可靠性6.1

定型试验半导体电流调整管定型试验由项目质量一致性检验的A组、B组、C组构成，具体项目见表1。isθJCDB52/T

20136.2

测量和试验6.3

质量一致性检验表2

半导体电流调整管质量一致性检验项目及抽样方案

时，可不做此项；DB52/T

2013表2

半导体电流调