AP90N03Q 30v 90a mos管可代换NCEPB303GU-90N03 MOS-骊微电子

AP90N03QN-ChannelEnhancementFeature• 30V,90ARos)mGs=V TYP:3.6mQRos。)mQGsV 2mQAdvancedT「enchTechnologyLeadproductisacquiredExcellentRos<ON)andLowGateChargeApplicati。nPWMappli臼tionsLoadPowermanagementPackageMarkingdgi。n

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剑”。1WERN-ChannelEnhancementMosfet DATASHEETTestCircuitQ9Ve,s

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Vos1�vfiTT1tp←Figure3:UnclampedInductiveSwitchingTutCircuit&W回vefonns深圳市骊微电子科技有限公司 铨力半导体代理商AP90N03QN-ChannelEnhancementMosfetTypicalPerformanceCharacteristicsFlgure1:Characteristics80604020。 2 3 5Figure3:0n-resistancevs.DrainRDS(ON)一一一VGs一一一VGs=4.5VVGs=:10VoA)

剑”。1WERSHEETFigureTypicalT『ansfe『Characte『isti臼”。恒�ω回40到。 2.0 3.0 4.0 5.0 Figure4:BodyDiodeCharac恒rist臼ls(A)5.0 1－－－－－－4.0 ’．

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0 6 18 24 深圳市骊微电子科技有限公司 铨力半导体代理商AP90N03QN-ChannelEnhancementMosfete7:NormalizedB陪akdownevs.nVBR(DSSJ(V)1.3

剑”。1WERSHEETFigure:donis恒n饵vs.nTemperature．』－阳崎n)(mn)2．』2r1.10.9

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