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文档简介

《新型非易失性存储器基本性能测试方法》团体标准（征求意见稿）编制说明1.工作情况态硬盘的要求也越来越高。而当前广泛用作主存的DRAM和广泛用存储器（MagneticRandomAccessMemory；MRAM）、相变存储器（PhaseChangeMemory；PCM）、阻变存储器（ResistiveRandom的性能测试方法，涵盖读写速度、数据保持性和置位/复位等关键性能参数的测量。国际半导体技术发展路线图（ITRS）等组织积极制本标准规定三种新型非易失性存储器芯片包括磁随机存储器芯江省半导体行业协会关于<非易失性存储器基本性能测试方法>团体搜索国内外对新型非易失性存储器基本性能测试方法的标准制定情收集国内相关标准：收集到GB/T6648—1986《半导体集成编写标准草案及编制说明：根据标准编制原则，经反2.标准编制原则、主要内容及确定依据1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规2.2主要内容及确定依据标准主要内容包括新型非易失性存储器基本性能测试方法的范2.2.4磁存储器测试、相变存储器测试、阻对磁存储器抗磁性测试、读干扰率/写错误率测试、数据保持时变存储器测试的测试条件、测试原理、存储窗口测试以及置位/复位重点参考了GB/T35003—2018《非易失性存储器耐久和数据保3.知识产权情况4.产业化情况5.采用国际标准和国外先进标准情况6.与现行相关法律、法规、规章及相关标准的协调性GBT35003-2018非易失性TCSTM01003—2023相变存储6.2本标准与相关法律、法规、规章、强制性标准无冲突。GB/T6648——1986半导体集成电路静态读/写存储器空白详细GB/T35003——2018非易GB/T33657纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作7.

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