《电工电子技术基础》电子技术中常用半导体器件

电子根底知识物质按导电才干的不同可分为导体、半导体和绝缘体3类。日常生活中接触到的金、银、铜、铝等金属都是良好的导体，它们的电导率在105S·cm-1量级；而像塑料、云母、陶瓷等几乎不导电的物质称为绝缘体，它们的电导率在10-22~10-14S·cm-1量级；导电才干介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，它们的电导率在10-9~102S·cm-1量级。自然界中属于半导体的物质有很多种类，目前用来制造半导体器件的资料大多是提纯后的单晶型半导体，主要有硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓〔GaAs)等。半导体的根本知识第3页〔1〕经过掺入杂质可明显地改动半导体的电导率。例如，室温30°C时，在纯真锗中掺入一亿分之一的杂质〔称掺杂〕，其电导率会添加几百倍。〔2〕温度可明显地改动半导体的电导率。利用这种热敏效应可制成热敏器件，但另一方面，热敏效应使半导体的热稳定性下降。因此，在半导体构成的电路中常采用温度补偿及稳定参数等措施。〔3〕光照不仅可改动半导体的电导率，还可以产生电动势，这就是半导体的光电效应。利用光电效应可制成光敏电阻、光电晶体管、光电耦合器和光电池等。光电池已在空间技术中得到广泛的运用，为人类利用太阳能提供了宽广的前景。半导体之所以得到广泛的运用，是由于它具有以下特性。1.半导体的独特性能第3页由此可以看出：半导体不仅仅是电导率与导体有所不同，而且具备上述特有的性能，正是利用这些特性，使今天的半导体器件获得了举世瞩目的开展。2.本征半导体与杂质半导体〔1〕天然的硅和锗提纯后构成单晶体，称为本征半导体普通情况下，本征半导体中的载流子浓度很小，其导电才干较弱，且受温度影响很大，不稳定，因此其用途还是很有限的。硅和锗的简化原子模型。这是硅和锗构成的共价键构造表示图晶体构造中的共价键具有很强的结合力，在热力学零度和没有外界能量激发时，价电子没有才干挣脱共价键束缚，这时晶体中几乎没有自在电子，因此不能导电第3页当半导体的温度升高或遭到光照等外界要素的影响时，某些共价键中的价电子因热激发而获得足够的能量，因此能脱离共价键的束缚成为自在电子，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴〞。空穴自在电子本征半导体中产生电子—空穴对的景象称为本征激发。显然在外电场的作用下，半导体中将出现两部分电流：一是自在电子作定向运动构成的电子电流，一是仍被原子核束缚的价电子〔不是自在电子〕递补空穴构成的空穴电流。共价键中失去电子出现空穴时，相邻原子的价电子比较容易分开它所在的共价键填补到这个空穴中来，使该价电子原来所在的共价键中又出现一个空穴，这个空穴又可被相邻原子的价电子填补，再出现空穴，如右图所示。在半导体中同时存在自在电子和空穴两种载流子参与导电，这种导电机理和金属导体的导电机理具有本质上的区别。第3页在纯真的硅〔或锗〕中掺入微量的磷或砷等五价元素，杂质原子就替代了共价键中某些硅原子的位置，杂质原子的四个价电子与周围的硅原子结成共价键，剩下的一个价电子处在共价键之外，很容易挣脱杂质原子的束缚被激发成自在电子。同时杂质原子由于失去一个电子而变成带正电荷的离子，这个正离子固定在晶体构造中，不能挪动，所以它不参与导电。杂质离子产生的自在电子不是共价键中的价电子，因此与本征激发不同，它不会产生空穴。由于多余的电子是杂质原子提供的，故将杂质原子称为施主原子。掺入五价元素的杂质半导体，其自在电子的浓度远远大于空穴的浓度，因此称为电子型半导体，也叫做N型半导体。在N型半导体中，自在电子为多数载流子〔简称多子〕，空穴为少数载流子〔简称少子〕；不能挪动的离子带正电。〔2〕杂质半导体相对金属导体而言，本征半导体中载流子数目极少，因此导电才干依然很低。在假设在其中掺入微量的杂质，将使半导体的导电性能发生显著变化，我们把这些掺入杂质的半导体称为杂质半导体。杂质半导体可以分为N型和P型两大类。N型半导体第3页不论是N型半导体还是P型半导体，虽然都有一种载流子占多数，但晶体中带电粒子的正、负电荷数相等，依然呈电中性而不带电。应留意：P型半导体在P型半导体中，由于杂质原子可以接纳一个价电子而成为不能挪动的负离子，故称为受主原子。掺入三价元素的杂质半导体，其空穴的浓度远远大于自在电子的浓度，因此称为空穴型半导体，也叫做P型半导体。在硅〔或锗〕晶体中掺入微量的三价元素杂质硼〔或其他〕，硼原子在取代原晶体构造中的原子并构成共价键时，将因短少一个价电子而构成一个空穴。当相邻共价键上的电子遭到热振动或在其他激发条件下获得能量时，就有能够填补这个空穴，使硼原子得电子而成为不能挪动的负离子；而原来的硅原子共价键那么因短少一个电子，出现一个空穴。于是半导体中的空穴数目大量添加。空穴成为多数载流子，而自在电子那么成为少数载流子。第3页正负空间电荷在交界面两侧构成一个由N区指向P区的电场，称为内电场，它对多数载流子的分散运动起阻挠作用，所以空间电荷区又称为阻挠层。同时，内电场对少数载流子起推进作用，把少数载流子在内电场作用下有规那么的运动称为漂移运动。3.PN结P型和N型半导体并不能直接用来制造半导体器件。通常是在N型或P型半导体的部分再掺入浓度较大的三价或五价杂质，使其变为P型或N型半导体，在P型和N型半导体的交界面就会构成PN结。PN结是构成各种半导体器件的根底。左图所示的是一块晶片，两边分别构成P型和N型半导体。为便于了解，图中P区仅画出空穴〔多数载流子〕和得到一个电子的三价杂质负离子，N区仅画出自在电子〔多数载流子〕和失去一个电子的五价杂质正离子。根据分散原理，空穴要从浓度高的P区向N区分散，自在电子要从浓度高的N区向P区分散，并在交界面发生复合(耗尽〕，构成载流子极少的正负空间电荷区如图中间区域，这就是PN结，又叫耗尽层。第3页空间电荷区PN结中的分散和漂移是相互联络，又是相互矛盾的。在一定条件〔例如温度一定〕下，多数载流子的分散运动逐渐减弱，而少数载流子的漂移运动那么逐渐加强，最后两者到达动态平衡，空间电荷区的宽度根本稳定下来，PN结就处于相对稳定的形状。－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++PN结的构成演示根据分散原理，空穴要从浓度高的P区向N区分散，自在电子要从浓度高的N区向P区分散，并在交界面发生复合(耗尽〕，构成载流子极少的正负空间电荷区〔如上图所示〕，也就是PN结，又叫耗尽层。P区N区空间电荷区第3页少子漂移分散与漂移到达动态平衡构成一定宽度的PN结多子分散构成空间电荷区产生内电场促使阻止第3页分散运动和漂移运动相互联络又相互矛盾，分散使空间电荷区加宽，促使内电场加强，同时对多数载流子的继续分散阻力增大，但使少数载流子漂移加强；漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又促使多子的分散容易进展。继续讨论当漂移运动到达和分散运动相等时，PN结便处于动态平衡形状。可以想象，在平衡形状下，电子从N区到P区分散电流必然等于从P区到N区的漂移电流，同样，空穴的分散电流和漂移电流也必然相等。即总的多子分散电流等于总的少子漂移电流，且二者方向相反。在无外电场或其他要素激发时，PN结处于平衡形状，没有电流经过，空间电荷区的宽度一定。由于空间电荷区内，多数载流子或已分散到对方，或被对方分散过来的多数载流子复合掉了，即多数载流子被耗尽了，所以空间电荷区又称为耗尽层，其电阻率很高，为高阻区。分散作用越强，耗尽层越宽。PN结具有电容效应。结电容是由耗尽层引起的。耗尽层中有不能挪动的正、负离子，各具有一定的电量，当外加电压使耗尽层变宽时，电荷量添加，反之，外加电压使耗尽层变窄时，电荷量减小。这样耗尽层中的电荷量随外加电压变化而改动时，就构成了电容效应。第3页3.PN结的单导游电性PN结具有单导游电的特性，也是由PN构呵斥的半导体器件的主要任务机理。PN结外加正向电压〔也叫正向偏置〕时，如左以下图所示：正向偏置时外加电场与内电场方向相反，内电场被减弱，多子的分散运动大大超越少子的漂移运动，N区的电子不断分散到P区，P区的空穴也不断分散到N区，构成较大的正向电流，这时称PN结处于导通形状。第3页P端引出极接电源负极，N端引出极电源正极的接法称为反向偏置；反向偏置时内、外电场方向一样，因此内电场加强，致使多子的分散难以进展，即PN结对反向电压呈高阻特性；反偏时少子的漂移运动虽然被加强，但由于数量极小，反向电流IR普通情况下可忽略不计，此时称PN结处于截止形状。PN结的“正偏导通，反偏阻断〞称为其单导游电性质，这正是PN构呵斥半导体器件的根底。第3页讨论题半导体的导电机理与金属导体的导电机理有本质的区别：金属导体中只需一种载流子—自在电子参与导电，半导体中有两种载流子—自在电子和空穴参与导电，而且这两种载流子的浓度可以经过在纯真半导体中参与少量的有用杂质加以控制。半导体导电机理和导体的导电机理有什么区别？杂质半导体中的多子和少子性质取决于杂质的外层价电子。假设掺杂的是五价元素，那么由于多电子构成N型半导体：多子是电子，少子是空穴；假设掺入的是三价元素，就会由于少电子而构成P型半导体。P型半导体的共价键构造中空穴多于电子，且这些空穴很容易让附近的价电子跳过来填补，因此价电子填补空穴的空穴运动是主要方式，所以多子是空穴，少子是电子。杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么P型半导体中的空穴多于电子？N型半导体中具有多数载流子电子，同时还有与电子数量一样的正离子及由本征激发的电子—空穴对，因此整块半导体中正负电荷数量相等，呈电中性而不带电。N型半导体中的多数载流子是电子，能否以为这种半导体就是带负电的？为什么？空间电荷区的电阻率为什么很高？何谓PN结的单导游电性？第3页2.半导体在热〔或光照等〕作用下产生电子、空穴对，这种景象称为本征激发；电子、空穴对不断激发产生的同时，运动中的电子又会“跳进〞另一个空穴，重新被共价键束缚起来，这种景象称为复合，即复合中电子空穴对被“吃掉〞。在一定的温度下，电子、空穴对的产生和复合都在不停地进展，最终处于一种平衡形状，平衡形状下半导体中载流子浓度一定。

1.半导体中的少子虽然浓度很低，但少子对温度非常敏感，即温度对半导体器件的性能影响很大。而多子因浓度根本上等于杂质原子的浓度，所以根本上不受温度影响。4.PN结的单导游电性是指：PN结的正向电阻很小，因此正向偏置时电流极易经过；同时PN结的反向电阻很大，反向偏置时电流根本为零。问题讨论3.空间电荷区的电阻率很高，是指它的内电场总是妨碍多数载流子〔电流〕的分散运动作用，由于这种妨碍作用，使得分散电流难以经过，也就是说，空间电荷区对分散电流呈现高阻。第3页6.2半导体二极管1.二极管的构造和类型一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管，接在P型半导体一侧的引出线称为阳极；接在N型半导体一侧的引出线称为阴极。半导体二极管按其构造不同可分为点接触型和面接触型两类。点接触型二极管PN结面积很小，因此结电容小，适用于高频几百兆赫兹下任务，但不能经过很大的电流。主要运用于小电流的整流和高频时的检波、混频及脉冲数字电路中的开关元件等。面接触型二极管PN结面积大，因此能经过较大的电流，但其结电容也小，只适用于较低频率下的整流电路中。参看二极管的实物图第3页2.二极管的伏安特性二极管的电路图符号如右图所示：〔1〕正向特性二极管外加正向电压较小时，外电场缺乏以抑制内电场对多子分散的阻力，PN结仍处于截止形状。反向电压大于击穿电压时，反向电流急剧添加。正向电压大于死区电压后，正向电流随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。〔2〕反向特性外加反向电压时，PN结处于截止形状，反向电流很小；显然二极管的伏安特性不是直线，因此属于非线性电阻元件。导通后二极管的正向压降变化不大，硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。第3页普通二极管被击穿后，由于反向电流很大，普通都会呵斥“热击穿〞，热击穿不同于齐纳击穿和雪崩击穿，这两种击穿不会从根本上损坏二极管，而热击穿将使二极管永久性损坏。热击穿问题3.二极管的主要参数1〕最大整流电流IDM：指管子长期运转时，允许经过的最大正向平均电流。2〕最高反向任务电压URM：二极管运转时允许接受的最高反向电压。3〕反向电流IR：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，那么管子的单导游电性越好。4.二极管的运用举例二极管运用范围很广，主要是利用它的单导游电性，常用于整流、检波、限幅、元件维护以及在数字电路中用作开关元件等。DTru1RLu2＋UL－二极管半波整流电路＋u－uDAU＋F二极管钳位电路RuOuiD1D2二极管限幅电路第3页讨论PN结击穿景象包括哪些？击穿能否意味着二极管的永久损坏？反向电压添加到一定大小时，经过二极管的反向电流剧增，这种景象称为二极管的反向击穿。反向击穿电压普通在几十伏以上〔高反压管可达几千伏〕。反向击穿景象分有雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。雪崩击穿：PN结反向电压添加时，空间电荷区内电场加强。经过空间电荷区的电子和空穴，在内电场作用下获得较大能量，它们运动时不断地与晶体中其它原子发生碰撞，经过碰撞使其它共价键产生本征激发又出现电子–空穴对，这种景象称为碰撞电离。新产生的电子—空穴对与原有的电子和空穴一样，在电场作用下，也向相反的方向运动，重新获得能量，再经过碰撞其它原子，又产生电子–空穴对，从而构成载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值，载流子的倍增情况就像在陡峻的山坡上积雪发生雪崩一样，忽然使反向电流急剧增大，发生二极管的雪崩击穿。齐纳击穿：在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存一个强电场，它可以破坏共价键将束缚电子分别出来呵斥电子–空穴对，构成较大的反向电流。发生齐纳击穿需求的电场强度约为2×10V/cm，这只需在杂质浓度特别大的PN结中才干到达，由于杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度也大，因此空间电荷区很窄，电场强度能够很高，致使PN结产生雪崩击穿。齐纳击穿和雪崩击穿都不会呵斥二极管的永久性损坏。第3页稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管，其实物图、图符号及伏安特性如下图：当反向电压加到某一数值时，反向电流剧增，管子进入反向击穿区。图中UZ稳压管的稳定电压值。特殊二极管1.稳压管稳压管实物图由图可见，稳压管特性和普通二极管类似，但其反向击穿是可逆的，不会发生“热击穿〞，而且其反向击穿后的特性曲线比较陡直，即反向电压根本不随反向电流变化而变化，这就是稳压二极管的稳压特性。稳压管图符号稳压管的稳压作用：电流增量ΔI很大，只会引起很小的电压变化ΔU。曲线愈陡，动态电阻rz=ΔU/ΔI愈小，稳压管的稳压性能愈好。普通地说，UZ为8V左右的稳压管的动态电阻较小，低于这个电压时，rz随齐纳电压的下降迅速添加，使低压稳压管的稳压性能变差。稳压管的稳定电压UZ，低的为3V，高的可达300V，稳压二极管在任务时的正向压降约为0.6V。I/mA40302010-5-10-15-20〔μA〕正向00.40.8－12－8－4反向ΔUZΔIZU/V第3页留意：稳压管稳压电路中普通都要加限流电阻R，使稳压管电流任务在Izmax和Izmix的范围内。稳压管在运用中要采取适当的措施限制经过管子的电流值，以保证管子不会呵斥热击穿。稳压管的主要参数：〔1〕稳定电压UZ：反向击穿后稳定任务的电压。〔2〕稳定电流IZ：任务电压等于稳定电压时的电流。〔3〕动态电阻rZ：稳定任务范围内，管子两端电压的变化量与相应电流的变化量之比。即：rZ=ΔUZ/ΔIZ〔4〕耗散功率PZM和最大稳定电流IZM。额定耗散功率PZM是在稳压管允许结温下的最大功率损耗。IZM是指稳压管允许经过的最大电流。二者关系可写为：PZM=UZIZM讨论回想二极管的反向击穿时特性：当反向电压超越击穿电压时，流过管子的电流会急剧添加。击穿并不意味着管子一定要损坏，假设我们采取适当的措施限制经过管子的电流，就能保证管子不因过热而烧坏。在反向击穿形状下，让流过管子的电流在一定的范围内变化，这时管子两端电压变化很小，利用这一点可以到达“稳压〞的效果。稳压管是怎样实现稳压作用的？第3页2.发光二极管单个发光二极管实物发光二极管图符号发光二极管是一种能把电能直接转换成光能的固体发光元件。发光二极管和普通二极管一样，管芯由PN构呵斥，具有单导游电性。左图所示为发光二极管的实物图和图符号。发光二极管是一种功率控制器件，常用来作为数字电路的数码及图形显示的七段式或阵列式器件；单个发光二极管常作为电子设备通断指示灯或快速光源以及光电耦合器中的发光元件等。3.光电二极管光电二极管也和普通二极管一样，管芯由PN构呵斥，具有单导游电性。光电二极管的管壳上有一个能射入光线的“窗口〞，这个窗口用有机玻璃透镜进展封锁，入射光经过透镜正好射在管芯上。问题讨论利用稳压管的正向压降，能否也可以稳压？利用稳压管的正向压降是不能进展稳压的。由于稳压管的正向特性与普通二极管一样，正向电阻非常小，任务在正导游通区时，正向电压普通为0.6V左右，此电压数值普通变化不大。第3页双极型三极管6.4.1双极型晶体管的根本构造和类型双极型晶体管是由两个背靠背、互有影响的PN构呵斥的。在任务过程中两种载流子都参与导电，所以全称号为双极结型晶体管。双极结型晶体管有三个引出电极，人们习惯上又称它为晶体三极管或简称晶体管。

晶体管的种类很多,按照频率分，有高频管、低频管；按照功率分，有小、中、大功率管；按照半导体资料分，有硅管、锗管等等。但是从它的外形来看，晶体管都有三个电极，常见的晶体管外形如下图：从晶体管的外形可看出，其共同特征就是具有三个电极，这就是“三极管〞简称的来历。第3页由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体的管子称为NPN管。还有一种与它成对偶方式的，即两块P型半导体中间夹着一块N型半导体的管子，称为PNP管。晶体控制造工艺上的特点是：发射区是高浓度掺杂区，基区很薄且杂质浓度底，集电结面积大。这样的构造才干保证晶体管具有电流放大作用。基极发射极集电极晶体管有两个结晶体管有三个区晶体管有三个电极第6章结论：三极管是一种具有电流放大作用的模拟器件。晶体管的电流分配与放大作用μAmAmAICIBIEUBBUCCRB3DG6NPN型晶体管电流放大的实验电路RCCEB左图所示为验证三极管电流放大作用的实验电路，这种电路接法称为共射电路。其中，直流电压源UCC应大于UBB，从而使电路满足放大的外部条件：发射结正向偏置，集电极反向偏置。改动可调电阻RB，基极电流IB，集电极电流IC和发射极电流IE都会发生变化，由丈量结果可得出以下结论：晶体管电流放大的条件：晶体管内部：a〕发射区杂质浓度>>基区>>集电区；b〕基区很薄。晶体管外部：发射结正偏，集电结反偏。1.IE＝IB＋IC〔符合KCL定律〕2.IC≈βIB，β为管子的流放大系数，用来表征三极管的电流放大才干：3.△IC≈β△IB

第6章晶体管的电流放大原理：1、发射区向基区分散电子的过程：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子自在电子将不断分散到基区，并不断从电源补充进电子，构成发射极电流IE。2、电子在基区的分散和复合过程：由于基区很薄，其多数载流子空穴浓度很低，所以从发射极分散过来的电子只需很少一部分和基区空穴复合，剩下的绝大部分都能分散到集电结边缘。实验阐明：IC比IB大数十至数百倍，因此IB虽然很小，但对IC有控制造用，IC随IB的改动而改动，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，阐明基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。3、集电区搜集从发射区分散过来的电子过程：由于集电结反向偏置，可将从发射区分散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而构成较大的集电极电流IC。第6章晶体管的特性曲线1．输入特性曲线晶体管的输入特性与二极管类似死区电压UCE≥1V，缘由是b、e间加正向电压。这时集电极的电位比基极高，集电结为反向偏置，发射区注入基区的电子绝大部分分散到集电结，只需一小部分与基区中的空穴复合，构成IB。与UCE=0V时相比，在UBE一样的条件下，IB要小的多。从图中可以看出，导通电压约为0.5V。严厉地说，当UCE逐渐添加时，IB逐渐减小，曲线逐渐向右移。这是由于UCE添加时，集电结的耗尽层变宽，减小了基区的有效宽度，不利于空穴的复合，所以IB减小。不过UCE超越1V以后再添加，IC添加很少，由于IB的变化量也很小，通常可以忽略UCE变化对IB的影响，以为UCE1V时的曲线都重合在一同。第6章〔1〕放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置〔2〕截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置〔3〕饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置2．输出特性曲线iB>0，uBE>0，uCE≤uBE第6章晶体管的主要参数1、电流放大倍数β：iC=βiB2、极间反向电流iCBO、iCEO：iCEO=〔1+β〕iCBO3、极限参数〔1〕集电极最大允许电流ICM：下降到额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。〔2〕反向击穿电压U〔BR〕CEO：基极开路时，集电极、发射极间的最大允许电压：基极开路时、集电极与发射极之间的最大允许电压。为保证晶体管平安任务，普通应取：〔3〕集电极最大允许功耗PCM：晶体管的参数不超越允许值时，集电极所耗费的最大功率。第6章学习与讨论晶体管的发射极和集电极是不能互换运用的。由于发射区的掺杂质浓度很高，集电区的掺杂质浓度较低，这样才使得发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，假设互换作用显然不行。晶体管的发射极和集电极能否互换运用？为什么?晶体管在输出特性曲线的饱和区任务时，UCE<UBE，集电结也处于正偏，这时内电场大大减弱，这种情况下极不利于集电区搜集从发射区到达基区的电子，因此在一样的基极电流IB时，集电极电流IC比放大形状下要小很多，可见饱和区下的电流放大倍数不再等于β。晶体管在输出特性曲线的饱和区任务时，其电流放大系数能否也等于β？N型半导体中具有多数载流子电子，同时还有与电子数量一样的正离子及由本征激发的电子—空穴对，因此整块半导体中正负电荷数量相等，呈电中性而不带电。为什么晶体管基区掺杂质浓度小？而且还要做得很薄？第6章单极型三极管单极型三极管只需一种载流子〔多数载流子〕参与导电而命名之。单极型三极管又是利用电场控制半导体中载流子运动的一种有源器件，因此又称之为场效应管。目前场效应管运用得最多的是以二氧化硅作为绝缘介质的金属—氧化物—半导体绝缘栅型场效应管，这种场效应管简称为CMOS管。与双极型晶体管相比，单极型三极管除了具有双极型晶体管体积小、分量轻、寿命长等优点外，还具有输入阻抗高、动态范围大、热稳定性能好、抗辐射才干强、制造工艺简单、便于集成等优点。近年来场效应管的开展得非常迅速，很多场所取代了双极型晶体管，特别时大规模集成电路，大都由场效应管构成。场效应管实物图第6章1.MOS管的根本构造

根据场效应管构造和任务原理的不同，普通可分为两大类：结型场效应管和绝缘栅场效应管。结型场效应N沟道管构造图及电路图符号结型场效应P沟道管构造图及电路图符号第6章绝缘栅型场效应管中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作为金属铝栅极和半导体之间的绝缘层，简称MOS管。它有N沟道和P沟道两类，而每一类又分加强型和耗尽型两种。所谓加强型就是UGS＝0时，漏源之间没有导电沟道，即使在漏源之间加上一定范围内的电压，也没有漏极电流；反之，在UGS=0时，漏源之间存在有导电沟道的称为耗尽型。左图是N沟道加强型MOS管的构造图：一块杂质浓度较低的P型硅片作为衬底B，在其中分散两个N+区作为电极，分别称为源极S和漏极D。半导体外表覆盖一层很薄的二氧化硅〔SiO2〕绝缘层，在漏源极间的绝缘层上再制造一层金属铝，称为栅极G。这就构成了一个N沟道加强型MOS管。显然它的栅极与其它电极间是绝缘的。栅极漏极源极二氧化硅绝缘层P型硅衬底铝第6章N沟道加强型MOS管图符号P沟道加强型MOS管图符号2.MOS管的任务原理MOS管的源极和衬底通常是接在一同的(大多数管子在出厂前已衔接好)，且N沟道加强型MOS管不存在原始沟道。因此，当UGS=0时，加强型MOS管的漏源之间相当于有两个背靠背的PN结，所以即使在D、S间加上电压，无论UDD的极性如何，总有一个PN结处于反偏形状，因此场效应管不能导通，ID=0。PＮ＋结UDD－＋P型硅衬底PDSGN＋N＋PＮ＋结UGS怎样才干产生导电沟道呢？++++++++耗尽层导电沟道在G、S间加正电压，即栅极、衬底间加UGS〔与源极连在一同〕，由于二氧化硅绝缘层的存在，故没有电流。但是金属栅极被充电而聚集正电荷。P型衬底中的多子空穴被正电荷构成的电场排斥向下运动，在外表留下带负电的受主离子，构成耗尽层。随着G、S间正电压的添加，耗尽层加宽。当UGS增大到一定值时，衬底中的少子电子被正电荷吸引到外表，在耗尽层和绝缘层之间构成了一个N型薄层，这个反型层构成了漏源之间的导电沟道，这时的UGS称为开启电压UT。UGS继续添加，衬底外表感应电子增多，导电沟道加宽，但耗尽层的宽度却不再变化。即用UGS的大小可以控制导电沟道的宽度。第6章

由上述分析可知，N沟道加强型MOS管在UGS＜UT时，导电沟道不能构成，ID=0，这时管子处于截止形状；当UGS=UT时，导电沟道开场构成，此时假设在漏源极间加正向电压UDD，就会有漏极电流ID产生，管子开场导通；UGS>UT时，随着UGS的增大，导电沟道